WikiDer > Диана Хаффакер

Diana Huffaker
Диана Хаффакер
Альма-матерТехасский университет, Остин
Научная карьера
Поляэпитаксия, оптоэлектронные устройства, плазмоника, Квантовая точка и наноструктурированный
УчрежденияКардиффский университет

Диана Хаффакер FIEEE, FOSA физик, работающий в составные полупроводники оптические устройства. В настоящее время она является председателем Sêr Cymru в области перспективных разработок и материаловедения и научным руководителем Институт сложных полупроводников базируется в Кардиффский университет. Ее работа включает составные полупроводники. эпитаксия, лазеры, солнечные батареи, оптоэлектронные устройства, плазмоника, и Квантовая точка и наноструктурированный материалы.

Исследования и карьера

До переезда в Кардиффский университет в 2015 году,[1] Хаффакер был профессором электротехники и директором лаборатории интегрированных наноматериалов Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе (UCLA).

Наиболее цитируемые статьи

  • Хаффакер, Д. Л., Деппе, Д. Г., Кумар, К., и Роджерс, Т. Дж. (1994). Кольцевой контакт из натурального оксида для низкопороговых лазеров с вертикальным резонатором. Письма по прикладной физике, 65 (1), 97–99. DOI: 10.1063 / 1.113087[2]
  • Хаффакер, Д. Л., и Деппе, Д. Г. (1998). Эффективность электролюминесценции квантовых точек InGaAs / GaAs с длиной волны 1,3 мкм. Письма по прикладной физике, 73 (4), 520–522. DOI: 10.1063 / 1.121920[3]
  • Хаффакер, Д. Л., Парк, Г., Зоу, З., Щекин, О. Б., и Деппе, Д. Г. (1998). Лазер на основе квантовых точек на основе GaAs 1,3 мкм при комнатной температуре. Письма по прикладной физике, 73 (18), 2564–2566. DOI: 10.1063 / 1.122534[4]
  • Парк Гёнвон, Щекин, О. Б., Хаффакер, Д. Л., и Деппе, Д. Г. (2000). Низкопороговый лазер на квантовых точках 1,3 мкм с ограничением оксида. Письма IEEE Photonics Technology Letters, 12 (3), 230–232. DOI: 10.1109 / 68.826897[5]
  • Хуанг, С. Х., Балакришнан, Г., Хошахлаг, А., Джаллипалли, А., Доусон, Л. Р., и Хаффакер, Д. Л. (2006). Снятие деформаций с помощью периодических массивов несоответствий для GaSb с низкой плотностью дефектов на GaAs. Письма по прикладной физике, 88 (13), 131911. doi: 10.1063 / 1.2172742[6]
  • Лагумаварапу, Р. Б., Мошо, А., Хошахлаг, А., Эль-Эмави, М., Лестер, Л. Ф., и Хаффакер, Д. Л. (2007). Солнечные элементы с квантовыми точками GaSb ∕ GaAs типа II для улучшенного инфракрасного спектрального отклика. Письма по прикладной физике, 90 (17), 173125. doi: 10.1063 / 1.2734492[7]

Награды и награды

  • Оптическое общество, Научный сотрудник, 2014 г.[8]
  • SPIE, Премия «Пионер в области нанотехнологий», 2010 г.
  • Creative Awards, Самый ценный патент, 2009 г.
  • DoD, научный сотрудник факультета национальной безопасности и инженерии (NSSEFF), 2008 г.
  • IEEE, Научный сотрудник, 2008 г.
  • Стипендия Александра фон Гумбольдта, 2004 г.

внешняя ссылка

Рекомендации

  1. ^ «Диана Хаффакер присоединяется к Кардиффскому университету и возглавит исследовательскую лабораторию». BBC. 26 мая 2015. Получено 8 октября 2018.
  2. ^ Huffaker, D. L .; Deppe, D. G .; Kumar, K .; Роджерс, Т. Дж. (1994-07-04). «Кольцевой контакт из естественного оксида для низкопороговых лазеров с вертикальным резонатором». Письма по прикладной физике. 65 (1): 97–99. Дои:10.1063/1.113087. ISSN 0003-6951.
  3. ^ Huffaker, D. L .; Деппе, Д. Г. (27 июля 1998 г.). «Эффективность электролюминесценции квантовых точек InGaAs / GaAs с длиной волны 1,3 мкм». Письма по прикладной физике. 73 (4): 520–522. Дои:10.1063/1.121920. ISSN 0003-6951.
  4. ^ Huffaker, D. L .; Парк, Г .; Zou, Z .; Щекин, О. Б .; Деппе, Д. Г. (1998-11-02). «Лазер на основе квантовых точек на основе GaAs, 1,3 мкм, комнатная температура». Письма по прикладной физике. 73 (18): 2564–2566. Дои:10.1063/1.122534. ISSN 0003-6951.
  5. ^ Парк Гёнвон; Щекин, О.Б .; Huffaker, D.L .; Деппе, Д. (2000). «Низкопороговый лазер на квантовых точках 1,3 мкм с оксидным ограничением». Письма IEEE Photonics Technology. 12 (3): 230–232. Дои:10.1109/68.826897. ISSN 1041-1135.
  6. ^ Huang, S. H .; Балакришнан, Г .; Хошахлаг, А .; Jallipalli, A .; Dawson, L.R .; Хаффакер, Д. Л. (27 марта 2006 г.). «Снятие деформаций с помощью периодических массивов несоответствия для GaSb с низкой плотностью дефектов на GaAs». Письма по прикладной физике. 88 (13): 131911. Дои:10.1063/1.2172742. ISSN 0003-6951. S2CID 120236461.
  7. ^ Laghumavarapu, R. B .; Moscho, A .; Хошахлаг, А .; Эль-Эмави, М .; Лестер, Л. Ф .; Хаффакер, Д. Л. (2007-04-23). «Солнечные элементы с квантовыми точками GaSb ∕ GaAs типа II для улучшенного инфракрасного спектрального отклика». Письма по прикладной физике. 90 (17): 173125. Дои:10.1063/1.2734492. ISSN 0003-6951.
  8. ^ «Стипендиаты Оптического общества Америки 2014 г.». Получено 18 сентября 2019.