WikiDer > Дмитрий З. Гарбузов - Википедия

Дмитрий З. Гарбузов
Дмитрий Гарбузов получает Ленинскую премию в России
Родившийся	27 октября 1940 г. Свердловск, РСФСР, Советский союз
Умер	20 августа 2006 г. Принстон, Нью-Джерси, Соединенные Штаты
Национальность	русский
Известен	Практичные (комнатная температура, высокая эффективность и высокая мощность) диодные лазеры с различными длинами волн от видимого до среднего инфракрасного
Награды	Ленинская премия (1972) Государственная премия (1987). Избран членом Российской академии наук (1991). Премия Гумбольдта (1992)
Научная карьера
Учреждения	Физико-технический институт им. Иоффе (Санкт-Петербург, Россия); в последние годы Принстонский университет (Принстон, Нью-Джерси), Sarnoff Corporation (Принстон, Нью-Джерси) (в настоящее время интегрирована в SRI International) и Princeton Lightwave, Inc. (Крэнбери, Нью-Джерси)

Дмитрий З. Гарбузов (27 октября 1940 г., Свердловск (Екатеринбург) - 20 августа 2006 г., Принстон, Нью-Джерси) был одним из пионеров и изобретателей непрерывных диодов, работающих при комнатной температуре. лазеры и мощный диодные лазеры.

Первые непрерывные диодные лазеры, работающие при комнатной температуре, были успешно изобретены, разработаны и практически одновременно продемонстрированы в Физико-техническом институте им. Иоффе в Ленинграде. Россия командой в составе Гарбузова и Жорес Алферов (лауреат Нобелевской премии по физике 2000 г.),^[1] и конкурирующей командой И. Хаяси и М. Паниша на Bell Telephone Laboratories в Мюррей-Хилл, Нью-Джерси. Обе группы достигли этого результата в 1970 году. Гарбузов также отвечал за разработку практических мощных, высокоэффективных диодных лазеров в различных диапазонах длин волн от видимого до среднего инфракрасного диапазона.

Следующий перестройкаГарбузов, который был опытным и уважаемым ученым и менеджером в советской системе научных исследований, основал на Западе исследовательскую группу, в которой работали несколько российских ученых-эмигрантов и одновременно вносили вклад в три американских коммерческих предприятия.

Личная жизнь

Дмитрий Залманович Гарбузов родился в Свердловск, Россия в 1940 году. Его отец, Залман Гарбузов, был известным инженером. Его матерью была Наталья Полива. Он женился на Галине Мининой, у них двое детей, Алина и Дмитрий.

Гарбузов скончался от рака, диагностированного на поздней стадии, в августе 2006 года в возрасте 65 лет в своем доме в Принстоне, штат Нью-Джерси.

Ранняя карьера

В 1962 году Дмитрий окончил физический факультет Ленинградского государственного университета. В 1964 году Дмитрий присоединился к группе Жореса Алферова на Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. в Ленинграде. В то время группа Алферова была одной из немногих исследовательских групп в мире, которые изучали гетеропереходы в полупроводниках. В 2000 году Жорес Алферов и Герберт Кремер были награждены Нобелевская премия за их новаторскую работу.

О создании первого диодного лазера непрерывного действия 300ºK сообщалось в Исследование влияния параметров гетероструктуры AlGaAs-GaAs на пороговый ток лазера и реализация непрерывного излучения при комнатной температуре. ^[2]

Дмитрий Гарбузов защитил кандидатскую диссертацию. в 1968 г. и степень доктора наук в 1979 г. В российской системе докторская степень - это вторая докторская степень, присуждаемая подходящим кандидатам, которые могут вести исследования.

Диодный лазер комнатной температуры

Фон

Демонстрация в 1970 году первого диодного лазера, работающего при комнатной температуре, увенчала годы научных и технологических исследований в области оптических полупроводников. Эти достижения параллельны, но отстают от революции в области микроэлектроники, которая началась с транзистор, впервые продемонстрированный в 1947 году (что привело к вытеснению вакуумная труба электроника на рынке). Хотя лазер уже был изобретен Чарльз Хард Таунс и Артур Леонард Шавлов, отдельно по Гордон Гулд, и отдельно в Советском Союзе Александра Прохорова,^[3] не было практического лазера »чип"что сделало бы лазер товаром, который сегодня вытесняет более неэффективные лазеры (основанные на сброс газа или же фонарик образцы) на потребительском, промышленном, медицинском и государственном рынках.

Вскоре после достижений, приписываемых Таунсу и Шавлову, была признана возможность лазерной генерации в полупроводниковом устройстве. Ключевым достижением стало наблюдение в 1962 г. почти 100% внутренней эффективности преобразования электронно-дырочных пар в фотоны в полупроводниковых устройствах на основе GaAs в Массачусетском технологическом институте. Лаборатория Линкольна, RCA Лаборатории и Инструменты Техаса, Inc., вскоре после этого последовала демонстрация первого диодного лазера компанией General Electric и IBM. Новые полупроводниковые лазерные устройства работали только при криогенных температурах (обычно жидкий азот, то есть при 77 ° К или –196 ° С). Для практического использования необходимо продемонстрировать действие диодного лазера в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Изобретение диодного лазера для комнатной температуры

Изобретение первого в Советском Союзе диодного лазера, работающего при комнатной температуре, произошло в условиях суровой погоды. Холодная война конкуренция и секретность, хотя и со спорадическими научными контактами на международных конференциях и во время политически санкционированных международных визитов. Вопрос о первенстве изобретения обсуждался годами. Однако сегодня ученые, работающие в области полупроводниковых лазеров, согласны с тем, что ключевая концепция конструкции, позволившая создать диодный лазер при комнатной температуре, а именно конструкция с двойной гетероструктурой, была изобретена в Советском Союзе в 1964 году Рудольфом Ф. Казариновым и Жоресом Алферовым, как записано в В том же году подана заявка на российский патент. За это изобретение и несколько других плодотворных вкладов в полупроводниковые лазеры Рудольф Ф. Казаринов получил в 1998 году премию Общества фотоники IEEE в области квантовой электроники (см. Ниже в разделе «Ссылки»).

В то время как комитет по присуждению Нобелевской премии был удовлетворен тем, что российская группа, включая Дмитрия З. Гарбузова во главе с Жоресом Алферовым, достигла непрерывного режима генерации с комнатной температурой раньше, чем конкурирующая команда Хаяши и Паниша в Bell Labs, дискуссии по этому поводу продолжаются. , и этот вопрос никогда не может быть решен полностью.

Сегодня, благодаря достижениям Гарбузова и других ученых, диодные лазеры продолжают превращать лазер в широко доступный инженерный компонент. Лазерные чипы включены во многие продукты, которые сегодня считаются само собой разумеющимися, такие как компакт-диски, DVD-диски, лазерные принтеры и оптоволоконные средства связи. Другие устройства, основанные на технологии полупроводниковых лазерных чипов, включают системы освещения, измерения дальности и спектроскопии многих типов, а также инструменты для лазерной сварки, резки и механической обработки, такие как те, которые сейчас широко используются производителями автомобилей. Кроме того, те же принципы, впервые разработанные Гарбузовым и Алферовым, лежат в основе продолжающейся революции в нитрид галлия- твердотельное освещение с использованием высококачественных люминофорно-светодиодных светильников с высоким КПД, которые теперь доступны потребителям по доступным ценам.

Поздние годы в России

В последующие годы Гарбузов разработал диодные лазеры наивысшей мощности на длинах волн от 0,8 до 2,7 мкм, представив новую революционную конструкцию лазеров для достижения этой цели, и внес большой вклад в создание новых лазерных устройств и предприятий, которые их производили.

В 1979 году Гарбузов возглавил лабораторию люминесценции полупроводников и инжекционных излучателей Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе. Под его руководством были исследованы гетеропереходы четверных твердых растворов InGaAsP / InP. Лазеры на основе таких структур - основа современной оптической связи.

Он руководил исследованиями эффектов повторного излучения в двойных гетеропереходах. Его группа в Институте Иоффе установила почти 100% -ную внешнюю эффективность люминесценции в гетероструктурах GaAlAs. Это породило еще одно практическое применение - новый класс полупроводниковых буквенно-цифровых дисплеев. В 1987 году Гарбузов и его коллеги были удостоены Государственной премии за это достижение, второй по величине гражданской награды в бывшем Советском Союзе.

Следующим шагом в его научной жизни стали лазеры на диодных гетероструктурах без алюминия. Он предложил и разработал лазеры с длинами волн 0,75–1,0 мкм, в том числе видимыми (красными) длинами волн.

В 1991 году Гарбузов стал членом-корреспондентом Российской академии наук.

Берлин

После распада Советского Союза Гарбузов получил Премия Гумбольдта за его работу над диодными лазерами без алюминия и финансовую поддержку в течение одного года работы в Германии. Он использовал награду для продолжительного визита в 1992 году для проведения исследований InAlGaAs / InGaAs лазеров с распределенной обратной связью в лаборатории Дитера Бимберга в Техническом университете в Берлине.^[4]

Соединенные Штаты

Принстонский университет и Sarnoff Corporation

В 1994 году, после годичного визита с группой Манидже Разеги в Северо-Западный университет в Эванстоне, штат Иллинойс, он решил присоединиться к обоим Университет Принстона и Sarnoff Corporation (ранее RCA Laboratories, а сегодня интегрирована как часть материнской компании SRI International) в Принстоне, штат Нью-Джерси. В 1997 году к нему присоединился давний соавтор Виктор Б. Халфин, теоретик физики полупроводников.

Гарбузов продолжал улучшать характеристики полупроводниковых устройств в обоих учреждениях, а затем стал старшим членом технического персонала в Sarnoff Corporation, где он оставался до мая 2000 года. В Sarnoff Гарбузов работал над лазерами на основе антимонида, демонстрирующими рекордные длины волн 2,7 мкм. В то же время он оказал значительное влияние на создание мощных диодных лазеров и их гетероструктур, представив «расширенный волновод», концепция, которая в настоящее время служит основой для всей отрасли, производящей мощные лазеры для промышленного применения (Патент США 5818860). .

Принстон Лайтвейв

В 2000 году Гарбузов стал одним из основателей Princeton Lightwave Inc., где он был вице-президентом по исследованиям, где продолжил работу над мощными полосовыми лазерами. Работа Гарбузова привела к приобретению части PLI Группой TRUMPF, производителем промышленного оборудования для лазерной обработки металлов и производственного оборудования.

Цитаты

Патенты США

Награды и призы

Комитет по Нобелевской премии присудил Нобелевскую премию по физике 2000 г. Жорес Алферов как руководитель советской команды по открытию и изобретению диодного лазера при комнатной температуре.^[5]

В 1972 году доктор Гарбузов вместе с доктором Алферовым и другими коллегами был удостоен Ленинской премии - высшей гражданской награды в Советском Союзе того времени. Цитирование Ленинской премии звучало как «Фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и разработка новых устройств на их основе».^[6]

Гарбузов вместе со своей командой получил Государственную премию 1987 года, вторую высшую награду Советского Союза.

В 1991 году Гарбузов был удостоен чести стать членом Российская Академия Наук.

Гарбузов получил Премия Гумбольдта в 1992 г.

Смотрите также

• Список русских изобретателей

Рекомендации

Источники

• https://web.archive.org/web/20160819234546/http://www.photonicssociety.org/award-winners/Quantum%20Electronics%20Award

внешняя ссылка

• Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе
• Жорес Алферов
• Конспект лекций Жореса Алферова, лауреата Нобелевской премии по физике 2000 г., в формате .pdf
• Sarnoff Corporation
• Princeton Lightwave, Inc.