WikiDer > Электронная дыра

Electron hole
Не путать с Холон (физика).
Когда электрон покидает гелий атом, он оставляет электронно-дырочный на своем месте. Это заставляет атом гелия становиться положительно заряженным.

В физика, химия, и электронная инженерия, электронная дыра (часто просто называют дыра) - это отсутствие электрона в том месте, где он мог бы существовать в атом или атомная решетка. Дырки на самом деле нет частицы, скорее квазичастицы; они отличаются от позитрон, какой античастица электрона. (Смотрите также Море Дирака.) Поскольку в нормальном атоме или кристаллической решетке отрицательный заряд электронов уравновешивается положительным зарядом атомные ядраотсутствие электрона оставляет чистый положительный заряд в месте расположения дырки.

Отверстия в металле[1] или полупроводник кристаллическая решетка может двигаться через решетку, как электроны, и действовать аналогично положительно заряженный частицы. Они играют важную роль в работе полупроводниковые приборы такие как транзисторы, диоды и интегральные схемы. Если электрон переходит в более высокое состояние, он оставляет дыру в своем старом состоянии. Это значение используется в Оже-электронная спектроскопия (и другие Рентгеновский техники), в вычислительная химия, и объяснить низкую скорость рассеяния электронов на электронах в кристаллах (металлы, полупроводники).

В кристаллы, электронная зонная структура расчеты приводят к эффективная масса для электронов, которая обычно отрицательна в верхней части зоны. В отрицательная масса это неинтуитивная концепция,[2] и в этих ситуациях более знакомая картина обнаруживается, если рассматривать положительный заряд с положительной массой.

Физика твердого тела

В физика твердого тела, электронная дыра (обычно обозначается просто как дыра) - отсутствие электрона в полном валентная полоса. Дырка - это, по сути, способ концептуализировать взаимодействие электронов внутри почти полный валентная зона кристаллической решетки, которая отсутствует небольшая часть его электронов. В некотором смысле поведение отверстия в полупроводнике кристаллическая решетка сравнимо с пузырем в полной бутылке с водой.[3]

Упрощенная аналогия: свободное место в аудитории.

Детская головоломка, демонстрирующая подвижность дырок в атомной решетке. Плитки аналогичны электронам, а недостающая плитка (нижний правый угол) аналогичен дыре. Точно так же, как положение отсутствующей плитки можно перемещать в разные места, перемещая плитки, дыра в кристаллической решетке может перемещаться в разные позиции в решетке за счет движения окружающих электронов.

Дырочная проводимость в валентная полоса можно объяснить следующей аналогией. Представьте себе ряд людей, сидящих в зале, где нет запасных стульев. Кто-то в середине ряда хочет выйти, поэтому он перепрыгивает через спинку сиденья в другой ряд и выходит. Пустая строка аналогична строке зона проводимости, а выходящий человек аналогичен электрону проводимости.

А теперь представьте, что кто-то другой подходит и хочет сесть. Пустой ряд плохо просматривается; поэтому он не хочет там сидеть. Вместо этого человек из переполненного ряда перемещается на свободное место первым, оставленным позади. Пустое место сдвигается на одно место ближе к краю и к человеку, ожидающему сесть. Следующий человек следует за ним, следующий и так далее. Можно сказать, что свободное место сдвигается к краю ряда. Когда свободное место достигает края, новый человек может сесть.

В процессе все в ряду двинулись дальше. Если бы эти люди были заряжены отрицательно (как электроны), это движение было бы проводимость. Если бы сами места были заряжены положительно, то положительным было бы только свободное место. Это очень простая модель того, как работает дырочная проводимость.

Вместо анализа движения пустого состояния в валентной зоне как движения множества отдельных электронов, рассматривается одна эквивалентная воображаемая частица, называемая «дырой». В прикладной электрическое полеэлектроны движутся в одном направлении, что соответствует движению дырки в другом. Если дырка ассоциируется с нейтральным атомом, этот атом теряет электрон и становится положительным. Следовательно, отверстие считается положительным. плата + e, прямо противоположно заряду электрона.

На самом деле из-за принцип неопределенности из квантовая механикав сочетании с уровни энергии, доступные в кристалле, отверстие невозможно локализовать в одной позиции, как описано в предыдущем примере. Скорее, положительный заряд, который представляет собой отверстие, охватывает область в кристаллической решетке, покрывающую многие сотни элементарные ячейки. Это эквивалентно невозможности сказать, какая разорванная связь соответствует «отсутствующему» электрону. Аналогичным образом делокализованы электроны зоны проводимости.

Подробная картина: дыра - это отсутствие электрона с отрицательной массой

Полупроводник электронная зонная структура (справа) включает дисперсионное соотношение каждой полосы, то есть энергию электрона E как функция электронного волновой вектор k. «Незаполненная полоса» - это полупроводник. зона проводимости; он изгибается вверх, указывая на положительный эффективная масса. «Заполненная полоса» - это полупроводниковая валентная полоса; он изгибается вниз, указывая на отрицательную эффективную массу.

Приведенная выше аналогия довольно упрощена и не может объяснить, почему дырки создают эффект, противоположный электронам в эффект Холла и Эффект Зеебека. Далее следует более точное и подробное объяснение.[4]

Дисперсионное соотношение - это соотношение между волновой вектор (k-вектор) и энергия в полосе, часть электронная зонная структура. В квантовой механике электроны - это волны, а энергия - это частота волны. Локализованный электрон - это волновой пакет, а движение электрона задается формулой для групповая скорость волны. Электрическое поле воздействует на электрон, постепенно сдвигая все волновые векторы в волновом пакете, и электрон ускоряется при изменении его групповой скорости волны. Следовательно, опять же, то, как электрон реагирует на силы, полностью определяется его дисперсионным соотношением. Электрон, плавающий в космосе, имеет дисперсионное соотношение E= ℏ2k2/(2м), где м это (настоящий) масса электрона и ℏ приведенная постоянная Планка. В нижней части зона проводимости полупроводника дисперсионное соотношение вместо этого E= ℏ2k2/(2м*) (м* это эффективная масса), поэтому электрон зоны проводимости реагирует на силы как будто у него была масса м*.

Дисперсионное соотношение вблизи вершины валентной зоны имеет вид E= ℏ2k2/(2м*) с участием отрицательный эффективная масса. Таким образом, электроны в верхней части валентной зоны ведут себя так, как будто они отрицательная масса. Когда сила тянет электроны вправо, эти электроны фактически перемещаются влево. Это происходит исключительно из-за формы валентной зоны и не зависит от того, полна она или пуста. Если бы вы могли каким-то образом очистить валентную зону и просто поместить один электрон около максимума валентной зоны (нестабильная ситуация), этот электрон двинулся бы «не в ту сторону» в ответ на силы.

  • Положительно заряженные отверстия как ярлык для расчета полного тока почти полной полосы.[4]

Совершенно полная полоса всегда имеет нулевой ток. Один из способов подумать об этом факте состоит в том, что электронные состояния около верха зоны имеют отрицательную эффективную массу, а состояния около низа зоны - положительную эффективную массу, поэтому чистое движение равно нулю. Если в противном случае почти полная валентная зона имеет состояние без электрон в нем, мы говорим, что это состояние занято дыркой. Существует математический способ вычисления тока каждого электрона во всей валентной зоне: начните с нулевого тока (общего, если полоса заполнена), и вычесть ток из-за электронов, которые было бы быть в каждом состоянии отверстия, если это не была дыра. поскольку вычитание ток, вызванный отрицательный заряд в движении такой же, как добавление ток, вызванный положительный Если заряд движется по тому же пути, математическое сокращение состоит в том, чтобы притвориться, что каждое состояние дырки несет положительный заряд, игнорируя при этом все остальные электронные состояния в валентной зоне.

  • Дырка около вершины валентной зоны движется так же, как электрон около вершины валентной зоны. было бы шаг[4] (который находится в противоположном направлении по сравнению с электронами зоны проводимости, испытывающими ту же силу.)

Этот факт следует из обсуждения и определения выше. Это пример, когда приведенная выше аналогия с аудиторией вводит в заблуждение. Когда человек движется влево в полном зале, пустое место перемещается вправо. Но в этом разделе мы представляем себе, как электроны движутся через k-пространство, а не реальное пространство, и эффект силы заключается в перемещении всех электронов через k-пространство в одно и то же время в одном направлении. В этом контексте лучшая аналогия - пузырь под водой в реке: пузырь движется в том же направлении, что и вода, а не в противоположном.

Поскольку сила = масса × ускорение, электрон с отрицательной эффективной массой около верха валентной зоны будет двигаться в противоположном направлении, как электрон с положительной эффективной массой около низа зоны проводимости, в ответ на данный электрический или магнитный сила. Следовательно, дыра тоже перемещается в эту сторону.

  • Вывод: дыра - это положительный заряд, положительная масса. квазичастица.

Из вышесказанного следует, что отверстие (1) несет положительный заряд, а отверстие (2) реагирует на электрические и магнитные поля, как если бы оно имело положительный заряд и положительную массу. (Последнее связано с тем, что частица с положительным зарядом и положительной массой реагирует на электрические и магнитные поля так же, как частица с отрицательным зарядом и отрицательной массой.) ​​Это объясняет, почему дырки можно рассматривать во всех ситуациях как обычные положительно заряженные. квазичастицы.

Роль в полупроводниковой технологии

В некоторых полупроводниках, таких как кремний, эффективная масса дырки зависит от направления (анизотропный), однако значение, усредненное по всем направлениям, может использоваться для некоторых макроскопических расчетов.

В большинстве полупроводников эффективная масса дырки намного больше, чем масса дырки. электрон. Это приводит к снижению мобильность для отверстий под воздействием электрическое поле и это может снизить скорость электронного устройства, сделанного из этого полупроводника. Это одна из основных причин использования электронов в качестве первичных носителей заряда, когда это возможно в полупроводниковых устройствах, а не дырок. Кроме того, почему Логика NMOS быстрее чем Логика PMOS.

Однако во многих полупроводниковых приборах оба электрона и дыры играют существенную роль. Примеры включают p – n диоды, биполярные транзисторы, и CMOS логика.

Дыры в квантовой химии

Альтернативное значение термина электронная дыра используется в вычислительная химия. В связанный кластер При использовании методов основное (или низкоэнергетическое) состояние молекулы интерпретируется как «вакуумное состояние» - теоретически в этом состоянии нет электронов. В этой схеме отсутствие электрона в нормально заполненном состоянии называется «дыркой» и рассматривается как частица, а присутствие электрона в нормально заполненном состоянии просто называется «электроном». Эта терминология почти идентична той, что используется в физике твердого тела.

Смотрите также

использованная литература

  1. ^ Эшкрофт и Мермин (1976). Физика твердого тела (1-е изд.). Холт, Райнхарт и Уинстон. стр.299–302. ISBN 978-0030839931.
  2. ^ Для электронов с отрицательной массой импульс противоположен скорость, поэтому силы, действующие на эти электроны, вызывают изменение их скорости в «неправильном» направлении. По мере того, как эти электроны набирают энергию (движутся к верху полосы), они замедляются.
  3. ^ Веллер, Пол Ф. (1967). «Аналогия для понятий элементарной теории зон в твердых телах». J. Chem. Образовательный. 44 (7): 391. Bibcode:1967JChEd..44..391W. Дои:10.1021 / ed044p391.
  4. ^ а б c d е Киттель, Введение в физику твердого тела, 8-е издание, стр. 194–196.