WikiDer > Нитрид галлия

Gallium nitride
Эта статья о нитриде галлия, химическом соединении. Для использования в других целях см. Ган.
Нитрид галлия
GaNcrystal.jpg
GaN Wurtzite polyhedra.png
Имена
Название ИЮПАК
Нитрид галлия
Идентификаторы
3D модель (JSmol)
ChemSpider
ECHA InfoCard100.042.830 Отредактируйте это в Викиданных
UNII
Характеристики
GaN
Молярная масса83,730 г / моль[1]
Внешностьжелтый порошок
Плотность6,1 г / см3[1]
Температура плавления> 1600 ° С[1][2]
Нерастворимый[3]
Ширина запрещенной зоны3,4 эВ (300 К, прямое)
Электронная подвижность1500 см2/ (В · с) (300 К)[4]
Теплопроводность1,3 Вт / (см · К) (300 К)[5]
2.429
Структура
Вюрцит
C6v4-п63MC
а = 3,186 Å, c = 5,186 Å[6]
Тетраэдр
Термохимия
-110,2 кДж / моль[7]
Опасности
точка возгоранияНегорючий
Родственные соединения
Другой анионы
Фосфид галлия
Арсенид галлия
Антимонид галлия
Другой катионы
Нитрид бора
Нитрид алюминия
Нитрид индия
Родственные соединения
Арсенид галлия алюминия
Арсенид галлия индия
Фосфид арсенида галлия
Нитрид алюминия-галлия
Нитрид индия-галлия
Если не указано иное, данные для материалов приведены в их стандартное состояние (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа).
проверитьY проверять (что проверитьY☒N ?)
Ссылки на инфобоксы

Нитрид галлия (GaN) является двоичным III/V прямая запрещенная зона полупроводник обычно используется в синем светодиоды с 1990-х гг. В сложный это очень твердый материал, имеющий Кристаллическая структура вюрцита. Его широкий запрещенная зона из 3,4 эВ дает это особые свойства для приложений в оптоэлектронный,[8][9] мощные и высокочастотные устройства. Например, GaN является подложкой, которая делает возможными фиолетовые (405 нм) лазерные диоды без использования нелинейно-оптических удвоение частоты.

Его чувствительность к ионизирующего излучения низкий (как и другие группа III нитриды), что делает его подходящим материалом для солнечная батарея массивы для спутники. Военное и космическое применение также может принести пользу, поскольку устройства показали устойчивость в радиационных средах.[10]

Поскольку транзисторы GaN могут работать при гораздо более высоких температурах и работать при гораздо более высоких напряжениях, чем арсенид галлия (GaAs) транзисторы, они делают идеальные усилители мощности на сверхвысоких частотах. Кроме того, GaN предлагает многообещающие характеристики для ТГц устройств.[11] Из-за высокой плотности мощности и пределов пробоя напряжения GaN также становится перспективным кандидатом для приложений сотовых базовых станций 5G.

Физические свойства

Кристалл GaN

GaN - очень твердый (12 ± 2 ГПа[12]:4), механически устойчивый полупроводник с широкой запрещенной зоной материал с высоким теплоемкость и теплопроводность.[13] В чистом виде устойчив к растрескиванию и может храниться в тонкая пленка на сапфир или же Карбид кремния, несмотря на несоответствие их постоянные решетки.[13] GaN может быть допированный с кремний (Si) или с кислород[14] к n-тип и с магнием (Mg) до р-тип.[15] Однако атомы Si и Mg изменяют способ роста кристаллов GaN, вводя растягивающие напряжения и делая их ломкими.[16] Галлий нитрид соединения также имеют тенденцию иметь высокий вывих плотность, порядка 108 до 1010 дефектов на квадратный сантиметр.[17] Поведение GaN с широкой запрещенной зоной связано со специфическими изменениями в электронной структуре зон, заполнении заряда и областях химической связи.[18]

В Исследовательская лаборатория армии США (ARL) обеспечил первое измерение сильнопольного электрона скорость в GaN в 1999 году.[19] Ученые ARL экспериментально получили пик устойчивое состояние скорость 1,9 х 107 см / с, с транзит время 2,5 пикосекунды, достигнутое при электрическое поле 225 кВ / см. С этой информацией подвижность электронов был рассчитан, что позволило получить данные для проектирования устройств на основе GaN.

События

GaN с высоким кристаллическим качеством может быть получен путем нанесения буферного слоя при низких температурах.[20] Такое высокое качество GaN привело к открытию GaN p-типа,[15] p-n переход синий / УФ-Светодиоды[15] и стимулированное излучение при комнатной температуре[21] (необходимо для лазерного воздействия).[22] Это привело к коммерциализации высокоэффективных синих светодиодов и фиолетовых лазерных диодов с длительным сроком службы, а также к разработке устройств на основе нитридов, таких как УФ-детекторы и высокоскоростные полевые транзисторы.

Светодиоды

GaN-светодиоды (СИД) высокой яркости дополняют диапазон основных цветов и позволяют использовать такие приложения, как полноцветные светодиодные дисплеи, видимые при дневном свете, белые светодиоды и синие лазер устройства возможны. Первые светодиоды высокой яркости на основе GaN использовали тонкую пленку GaN, нанесенную методом Металлоорганическая парофазная эпитаксия (MOVPE) на сапфир. Другие используемые субстраты: оксид цинка, с постоянная решетки несоответствие всего 2% и Карбид кремния (SiC).[23] Нитридные полупроводники III группы в целом признаны одним из наиболее многообещающих семейств полупроводников для изготовления оптических устройств в видимой коротковолновой и УФ-области.

Транзисторы

Очень высокие напряжения пробоя,[24] высоко подвижность электронов и скорость насыщения GaN также сделал его идеальным кандидатом для мощных и высокотемпературных микроволновых приложений, о чем свидетельствует его высокая Достоинства Джонсона. Потенциальные рынки для высокомощных / высокочастотных устройств на основе GaN включают: микроволновая печь радиочастота усилители мощности (например, те, что используются в высокоскоростной беспроводной передаче данных) и высоковольтные коммутационные устройства для электрических сетей. Потенциальное приложение для массового рынка RF на основе GaN транзисторы как микроволновый источник для микроволновые печи, заменив магнетроны в настоящее время используется. Большая ширина запрещенной зоны означает, что характеристики транзисторов GaN сохраняются до более высоких температур (~ 400 ° C[25]), чем кремниевые транзисторы (~ 150 ° C[25]), потому что это уменьшает эффект тепловая генерация носителей заряда присущие любому полупроводнику. Первые полевые полупроводниковые транзисторы из нитрида галлия (GaN MESFET) были экспериментально продемонстрированы в 1993 г.[26] и они активно развиваются.

В 2010 году первая режим улучшения Транзисторы GaN стали общедоступными.[27] Были доступны только n-канальные транзисторы.[27] Эти устройства были разработаны для замены силовых полевых МОП-транзисторов в приложениях, где скорость переключения или эффективность преобразования мощности имеют решающее значение. Эти транзисторы построены путем выращивания тонкого слоя GaN поверх стандартной кремниевой пластины. Это позволяет полевым транзисторам сохранять стоимость, аналогичную кремниевым силовым полевым МОП-транзисторам, но с превосходными электрическими характеристиками GaN. Другим, казалось бы, жизнеспособным решением для реализации HFET с GaN-каналом в режиме усиления является использование согласованного по решетке четвертичного слоя AlInGaN с приемлемо низким рассогласованием спонтанной поляризации с GaN.[28]

Приложения

Светодиоды

Фиолетовый на основе GaN лазерные диоды используются для чтения Диски Blu-ray. Смесь GaN с В (InGaN) или же Al (AlGaN) с шириной запрещенной зоны, зависящей от отношения In или Al к GaN, позволяет изготавливать светодиоды (Светодиоды) с цветами от красного до ультрафиолетового.[23]

Транзисторы

Транзисторы GaN подходят для высокочастотных, высоковольтных, высокотемпературных и высокоэффективных приложений.

GaN HEMTs предлагаются на коммерческой основе с 2006 года и сразу же нашли применение в различных приложениях беспроводной инфраструктуры благодаря своей высокой эффективности и работе при высоком напряжении. Второе поколение устройств с меньшей длиной затвора предназначено для высокочастотных телекоммуникационных и аэрокосмических приложений.[29]

GaN на основе МОП-транзистор и MESFET Транзисторы также обладают преимуществами, включая более низкие потери в электронике большой мощности, особенно в автомобилях и электромобилях.[30] С 2008 года их можно формировать на кремниевой подложке.[30] Высокое напряжение (800 В) Диоды с барьером Шоттки (SBD) также были сделаны.[30]

Электроника на основе GaN (не чистый GaN) может значительно снизить потребление энергии не только в потребительских приложениях, но даже в передача энергии коммунальные услуги.

В отличие от кремниевых транзисторов, которые отключаются из-за скачков напряжения, транзисторы GaN обычно режим истощения устройства (т.е. включены / резистивные, когда напряжение затвор-исток равно нулю). Было предложено несколько методов для достижения нормальной работы в выключенном состоянии (или в E-режиме), что необходимо для использования в силовой электронике:[31][32]

  • имплантация ионов фтора под затвор (отрицательный заряд ионов F способствует истощению канала)
  • использование стека затворов типа MIS, с выемкой AlGaN
  • интеграция каскадной пары, состоящей из нормально включенного GaN-транзистора и низковольтного кремниевого МОП-транзистора
  • использование слоя p-типа поверх гетероперехода AlGaN / GaN

Радары

Они также используются в военной электронике, такой как активная матрица с электронным сканированием радары.[33]

В Армия США финансируется Локхид Мартин включить технологию активных устройств GaN в AN / TPQ-53 радиолокационная система для замены двух радиолокационных систем средней дальности, AN / TPQ-36 и AN / TPQ-37.[34][35] Радиолокационная система AN / TPQ-53 была разработана для обнаружения, классификации, отслеживания и определения местоположения систем непрямого огня противника, а также беспилотных воздушных систем.[36] Радиолокационная система AN / TPQ-53 обеспечивала улучшенные характеристики, большую мобильность, повышенную надежность и удобство обслуживания, более низкую стоимость жизненного цикла и меньшую численность экипажа по сравнению с системами AN / TPQ-36 и AN / TPQ-37.[34]

Lockheed Martin установила другие тактические оперативные радары с технологией GaN в 2018 году, в том числе Многофункциональная радиолокационная система TPS-77 развернут в Латвия и Румыния.[37] В 2019 году партнер Lockheed Martin ELTA Systems Limited, разработал основанный на GaN ELM-2084 Многоцелевой радар, который мог обнаруживать и отслеживать летательные аппараты и баллистические цели, обеспечивая при этом управление огнем для перехвата ракет или артиллерии противовоздушной обороны.

8 апреля 2020 г. Saab летные испытания нового GaN, разработанного AESA X-диапазон радар в JAS-39 Грипен истребитель.[38] Saab уже предлагает продукты с радаром на основе GaN, такие как Радар жирафа, Erieye, Globaleye, и Arexis EW.[39][40][41][42]

Наномасштаб

Нанотрубки GaN и нанопроволоки предлагаются для применения в наноразмерных электроника, оптоэлектроника и биохимические исследования.[43][44]

Возможности спинтроники

При допировании подходящим переходный металл Такие как марганец, GaN - перспективный спинтроника материал (магнитные полупроводники).[23]

Синтез

Сыпучие основы

Кристаллы GaN могут быть выращены из расплава Na / Ga, выдерживаемого при давлении 100 атм.2 при 750 ° С. Поскольку Ga не будет реагировать с N2 ниже 1000 ° C порошок должен быть сделан из чего-то более реактивного, обычно одним из следующих способов:

2 Ga + 2 NH3 → 2 GaN + 3 H2[45]
Ga2О3 + 2 NH3 → 2 GaN + 3 H2О[46]

Нитрид галлия можно также синтезировать путем впрыска газообразного аммиака в расплавленный галлий при температуре 900-980 ° C и нормальном атмосферном давлении.[47]

Молекулярно-лучевая эпитаксия

В промышленных масштабах кристаллы GaN можно выращивать с использованием молекулярно-лучевая эпитаксия или же эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений. Этот процесс можно дополнительно модифицировать, чтобы уменьшить плотность дислокаций. Сначала на поверхность роста подается ионный пучок, чтобы создать нано-шероховатость. Затем поверхность полируется. Этот процесс происходит в вакууме.

Безопасность

Пыль GaN раздражает кожу, глаза и легкие. Вопросы окружающей среды, здоровья и безопасности источников нитрида галлия (например, триметилгаллий и аммиак) и исследования по мониторингу промышленной гигиены MOVPE об источниках сообщалось в обзоре 2004 года.[48]

Bulk GaN нетоксичен и биосовместим.[49] Следовательно, его можно использовать в электродах и электронике имплантатов живых организмов.

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ а б c Хейнс, Уильям М., изд. (2011). CRC Справочник по химии и физике (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. п. 4.64. ISBN 1439855110.
  2. ^ Харафудзи, Кенджи; Цучия, Таку; Кавамура, Кацуюки (2004). «Молекулярно-динамическое моделирование для оценки температуры плавления кристалла GaN типа вюрцита». Appl. Phys. 96 (5): 2501. Bibcode:2004JAP .... 96.2501H. Дои:10.1063/1.1772878.
  3. ^ Фостер, Кори М .; Коллазо, Рамон; Ситар, Златко; Иванишевич, Албена (2013). "аннотация исследования NCSU: водная стабильность Ga- и N-полярного нитрида галлия". Langmuir. 29 (1): 216–220. Дои:10.1021 / la304039n. PMID 23227805.
  4. ^ Йохан Стридом; Майкл де Рой; Дэвид Реуш; Алекс Лидоу (2015). GaN-транзисторы для эффективного преобразования энергии (2-е изд.). Калифорния, США: Wiley. п. 3. ISBN 978-1-118-84479-3.
  5. ^ Мион, Кристиан (2005). «Исследование термических свойств нитрида галлия с использованием метода трех омега», Диссертация, Государственный университет Северной Каролины.
  6. ^ Бугров В., Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л., Зубрилов А. Свойства современных полупроводниковых материалов GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Ред. Левинштейн М.Е., Румянцев С.Л., Шур М.С., John Wiley & Sons, Inc., Нью-Йорк, 2001, 1–30
  7. ^ Хейнс, Уильям М., изд. (2011). CRC Справочник по химии и физике (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. п. 5.12. ISBN 1439855110.
  8. ^ Ди Карло, А. (2001). «Настройка оптических свойств наноструктур на основе GaN с помощью экранирования заряда». Physica Status Solidi A. 183 (1): 81–85. Bibcode:2001PSSAR.183 ... 81D. Дои:10.1002 / 1521-396X (200101) 183: 1 <81 :: AID-PSSA81> 3.0.CO; 2-N.
  9. ^ Аракава, Ю. (2002). «Прогресс в квантовых точках на основе GaN для приложений оптоэлектроники». IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 8 (4): 823–832. Bibcode:2002IJSTQ ... 8..823A. Дои:10.1109 / JSTQE.2002.801675.
  10. ^ Лидов, Александр; Ведьмак, Дж. Брэндон; Смолли, Кен (март 2011 г.). «Характеристики полевого транзистора из нитрида галлия (eGaN) в режиме улучшения при длительной нагрузке» (PDF). Техническая конференция GOMAC.
  11. ^ Ахи, Киараш (сентябрь 2017 г.). «Обзор устройств на основе GaN для работы в терагерцовом диапазоне». Оптическая инженерия. 56 (9): 090901. Bibcode:2017OptEn..56i0901A. Дои:10.1117 / 1.OE.56.9.090901 - через SPIE.
  12. ^ Нитрид галлия как электромеханический материал. Р-З. IEEE 2014
  13. ^ а б Акасаки, I .; Амано, Х. (1997). «Рост кристаллов и контроль проводимости нитридных полупроводников группы III и их применение в коротковолновых излучателях света». Японский журнал прикладной физики. 36 (9А): 5393. Bibcode:1997JaJAP..36.5393A. Дои:10.1143 / JJAP.36.5393.
  14. ^ Wetzel, C .; Suski, T .; Агер, Дж. III; Фишер, С .; Meyer, B.K .; Grzegory, I .; Поровски, С. (1996) Сильно локализованный донорный уровень в нитриде галлия, легированном кислородом, Международная конференция по физике полупроводников, Берлин (Германия), 21–26 июля 1996 г.
  15. ^ а б c Amano, H .; Kito, M .; Hiramatsu, K .; Акасаки, И. (1989). «Проводимость P-типа в GaN, легированном магнием, обработанном низкоэнергетическим электронным пучком (LEEBI)». Японский журнал прикладной физики. 28 (12): L2112. Bibcode:1989JaJAP..28L2112A. Дои:10.1143 / JJAP.28.L2112.
  16. ^ Terao, S .; Iwaya, M .; Nakamura, R .; Kamiyama, S .; Amano, H .; Акасаки, И. (2001). "Перелом AlИксGa1-хГетероструктура N / GaN - Зависимость от состава и примесей - ". Японский журнал прикладной физики. 40 (3A): L195. Bibcode:2001JaJAP..40..195T. Дои:10.1143 / JJAP.40.L195.
  17. ^ Прейс, Пол (11 августа 2000 г.). Исследования синих диодов ускоряют появление крупномасштабных твердотельных источников света. Лаборатория Беркли, lbl.gov.
  18. ^ Магнусон, М .; Mattesini, M .; Höglund, C .; Birch, J .; Халтман, Л. (2010). «Электронная структура GaN и Ga исследована методами мягкой рентгеновской спектроскопии и первопринципных методов». Phys. Ред. B. 81 (8): 085125. Дои:10.1103 / PhysRevB.81.085125. S2CID 30053222.
  19. ^ Wraback, M .; Shen, H .; Carrano, J.C .; Коллинз, Си-Джей; Campbell, J.C .; Dupuis, R.D .; Schurman, M.J .; Фергюсон, И. (2000). "Электропоглощающее измерение с временным разрешением характеристики поля скорости электронов в GaN". Письма по прикладной физике. 76 (9): 1155–1157. Bibcode:2000АпФЛ..76.1155Вт. Дои:10.1063/1.125968.
  20. ^ Amano, H .; Sawaki, N .; Акасаки, I .; Тойода, Ю. (1986). «Эпитаксиальный рост металлоорганической паровой фазы пленки GaN высокого качества с использованием буферного слоя AlN». Письма по прикладной физике. 48 (5): 353. Bibcode:1986АпФЛ..48..353А. Дои:10.1063/1.96549. S2CID 59066765.
  21. ^ Amano, H .; Asahi, T .; Акасаки, И. (1990). «Вынужденное излучение в ближнем ультрафиолете при комнатной температуре из пленки GaN, выращенной на сапфире методом MOVPE с использованием буферного слоя AlN». Японский журнал прикладной физики. 29 (2): L205. Bibcode:1990JaJAP..29L.205A. Дои:10.1143 / JJAP.29.L205.
  22. ^ Акасаки, I .; Amano, H .; Sota, S .; Sakai, H .; Танака, Т .; Масаешикоике (1995). «Вынужденная эмиссия путем закачки тока из устройства квантовой ямы AlGaN / GaN / GaInN». Японский журнал прикладной физики. 34 (11B): L1517. Bibcode:1995JaJAP..34L1517A. Дои:10.1143 / JJAP.34.L1517.
  23. ^ а б c Morkoç, H .; Страйт, С .; Gao, G. B .; Lin, M. E .; Свердлов, Б .; Бернс, М. (1994). «Технология полупроводников на основе SiC, нитридов III-V и ZnSe с большой шириной запрещенной зоны». Журнал прикладной физики. 76 (3): 1363. Bibcode:1994JAP .... 76.1363M. Дои:10.1063/1.358463.
  24. ^ Dora, Y .; Чакраборти, А .; McCarthy, L .; Keller, S .; Denbaars, S.P .; Мишра, У. К. (2006). «Высокое напряжение пробоя, достигнутое на AlGaN / GaN HEMT с интегрированными пластинами наклонного поля». Письма об электронных устройствах IEEE. 27 (9): 713. Bibcode:2006IEDL ... 27..713D. Дои:10.1109 / LED.2006.881020. S2CID 38268864.
  25. ^ а б Почему нитрид галлия?
  26. ^ Асиф Хан, М .; Kuznia, J. N .; Bhattarai, A.R .; Олсон, Д. Т. (1993). «Металлический полупроводниковый полевой транзистор на основе монокристалла GaN». Письма по прикладной физике. 62 (15): 1786. Bibcode:1993АпФЛ..62.1786А. Дои:10.1063/1.109549.
  27. ^ а б Дэвис, Сэм (март 2010 г.). "GaN MOSFET в режиме улучшения обеспечивает впечатляющую производительность". Силовая электроника. 36 (3).
  28. ^ Рахбардар Моджавер, Хасан; Госслен, Жан-Лу; Вализаде, Пуйя (27 июня 2017 г.). «Использование двухслойного согласованного с решеткой барьера AlInGaN для улучшения ограничения носителей канала полевых транзисторов на гетероструктуре AlInGaN / GaN в режиме усиления». Журнал прикладной физики. 121 (24): 244502. Дои:10.1063/1.4989836. ISSN 0021-8979.
  29. ^ 2010 IEEE Intl. Симпозиум, Техническая книга рефератов, сессия TH3D, стр. 164–165
  30. ^ а б c Дэвис, Сэм (1 ноября 2009 г.). «SiC и GaN соревнуются за кусок пирога с электромобилем». Силовая электроника. Получено 3 января 2016. Эти устройства предлагают более низкие потери при преобразовании мощности и рабочие характеристики, которые превосходят традиционные кремниевые аналоги.
  31. ^ «Создание нового кремния: электроника из нитрида галлия может значительно сократить потребление энергии». Получено 28 июн 2018.
  32. ^ Менегини, Маттео; Хилт, Оливер; Вюрфль, Иоахим; Менегессо, Гауденцио (25 января 2017 г.). «Технология и надежность нормально выключенных GaN HEMT с затвором p-типа». Энергии. 10 (2): 153. Дои:10.3390 / en10020153.
  33. ^ «Модули на основе нитрида галлия устанавливают новый 180-дневный стандарт для работы с высокой мощностью». Northrop Grumman, 13 апреля 2011 г.
  34. ^ а б Браун, Джек (16 октября 2018 г.). «GaN увеличивает дальность действия армейской радиолокационной системы Q-53». Микроволны и RF. Получено 23 июля 2019.
  35. ^ Мартин, Локхид. «Армия США заключила контракт с Lockheed Martin на расширение дальности действия радара AN / TPQ-53». Локхид Мартин. Получено 23 июля 2019.
  36. ^ Мартин, Локхид. «Радиолокационная система AN / TPQ-53». Локхид Мартин. Получено 23 июля 2019.
  37. ^ Мартин, Локхид. «Lockheed Martin демонстрирует зрелую, проверенную радарную технологию во время осмысления армии США». Локхид Мартин. Получено 23 июля 2019.
  38. ^ «Gripen C / D впервые летает с новым радаром AESA от Saab». В архиве из оригинала 2 мая 2020 г.
  39. ^ «Saab первым в своей отрасли вывел на рынок GaN». В архиве из оригинала от 6 февраля 2016 г.
  40. ^ "Радар Saab Giraffe 1X обеспечивает портативную дальность обнаружения 75 км". В архиве с оригинала 23 августа 2020 года.
  41. ^ "Saab получает шведский заказ на Giraffe 4A и Arthur Radars". В архиве из оригинала от 5 декабря 2018 г.
  42. ^ «Арексис - перехитрить угрозы с помощью электронных атак». В архиве с оригинала 23 августа 2020 года.
  43. ^ Goldberger, J .; Ее.; Zhang, Y .; Lee, S .; Ян, Х .; Choi, H.J .; Ян, П. (2003). «Монокристаллические нанотрубки нитрида галлия». Природа. 422 (6932): 599–602. Bibcode:2003Натура.422..599Г. Дои:10.1038 / природа01551. PMID 12686996. S2CID 4391664.
  44. ^ Чжао, Чао; Альфарадж, Насир; Субеди, Рам Чандра; Лян, Цзянь Вэй; Алатави, Абдулла А .; Alhamoud, Abdullah A .; Эбаид, Мохамед; Псевдоним, Мохд Шаризал; Нг, Тьен Хи; Оои, Бун С. (2019). «III-нитридные нанопроволоки на нетрадиционных подложках: от материалов до оптоэлектронных устройств». Прогресс в квантовой электронике. 61: 1–31. Дои:10.1016 / j.pquantelec.2018.07.001.
  45. ^ Ральф Ридель, Ай-Вей Чен (2015). Керамика и технология, Том 2: Материалы и свойства. Wiley-Vch. ISBN 978-3527802579.
  46. ^ Цзянь-Чан Хуанг, Хао-Чун Куо, Ши-Чианг Шен (2014). Нитридные полупроводниковые светодиоды (светодиоды). п. 68. ISBN 978-0857099303.CS1 maint: несколько имен: список авторов (связь)
  47. ^ М. Шибата, Т. Фуруя, Х. Сакагути, С. Кума (1999). «Синтез нитрида галлия инжекцией аммиака в расплав галлия». Журнал роста кристаллов. 196 (1): 47–52. Bibcode:1999JCrGr.196 ... 47S. Дои:10.1016 / S0022-0248 (98) 00819-7.CS1 maint: несколько имен: список авторов (связь)
  48. ^ Шенай-Хатхате, Д. В .; Goyette, R.J .; Дикарло, Р. Л. младший; Дриппс, Г. (2004). «Вопросы окружающей среды, здоровья и безопасности для источников, используемых при выращивании сложных полупроводников MOVPE». Журнал роста кристаллов. 272 (1–4): 816–21. Bibcode:2004JCrGr.272..816S. Дои:10.1016 / j.jcrysgro.2004.09.007.
  49. ^ Шипман, Мэтт и Иванишевич, Албена (24 октября 2011 г.). «Исследования показывают, что нитрид галлия нетоксичен, биосовместим - перспективен для биомедицинских имплантатов». Университет штата Северная Каролина

внешняя ссылка

Соли и ковалентные производные нитрид ион
NH3
N2ЧАС4		Курицы2)11
Ли3NБыть3N2BNβ-C3N4
g-C3N4
CИксNу		N2NИксОуNF3Ne
Na3NMg3N2AlNSi3N4PN
п3N5		SИксNу
SN
S4N4		NCl3Ar
KCa3N2ScNБанкаVNCrN
Cr2N		MnИксNуFeИксNуПротивNi3NCuNZn3N2GaNGe3N4В качествеSeNBr3Kr
Руб.Sr3N2YNZrNNbNβ-Mo2NTcRURhPdNAg3NCdNГостиницаSnSbTeNI3Xe
CSБа3N2 Hf3N4TaNWNReОперационные системыIrPtAuHg3N2TlNPbBiNПоВRn
ПтРа3N2 RfDbSgBhHsMtDsRgCnNhFlMcLvЦOg
↓
ЛаCeNPrNdВечераСмЕвропаGdNTbDyХоЭТмYbЛу
AcЧтПаООНNpПуЯвляюсьСмBkCfEsFMМкрНетLr