WikiDer > Поколения датчиков MEMS

MEMS sensor generations

Поколения датчиков MEMS представляют прогресс, достигнутый в микро датчик технологии и могут быть разделены на следующие категории:

1-е поколение
МЭМС сенсорный элемент в основном основан на кремний структура, иногда в сочетании с аналог усиление на микрочип.[1]
2-е поколение
Чувствительный элемент MEMS в сочетании с аналоговым усилением и аналого-цифровой преобразователь на одном микрочипе.
3-е поколение
Объединение чувствительного элемента с аналоговым усилением, аналого-цифровым преобразователем и цифровой интеллект для линеаризации и температурной компенсации на одном микрочипе.
4-е поколение
Ячейки памяти для данных калибровки и температурной компенсации добавлены к элементам 3-го поколения датчиков MEMS.

Рекомендации

  1. ^ С.С. Терри, Дж. Х. Джерман и Дж. Б. Энджелл: Газохроматографический анализатор воздуха, изготовленный на кремниевой пластине, IEEE Trans.Electron Devices, ED-26,12 (1979) 1880-1886.