WikiDer > Конденсатор MIS

MIS capacitor
Структура МДП (металл / SiO2 / п-Si) в вертикальном МДП конденсаторе

А Конденсатор MIS представляет собой конденсатор, образованный из слоя металл, слой изоляционный материал и слой полупроводник материал. Он получил свое название от инициалов структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Как и в случае с MOS полевой транзистор По историческим причинам этот слой также часто называют МОП-конденсатором, но это конкретно относится к материалу оксидного изолятора.

Максимальная емкость, CMIS (макс.) рассчитывается аналогично пластинчатому конденсатору:

где :

Способ производства зависит от используемых материалов (возможно, даже в качестве изолятора можно использовать полимеры). Мы рассмотрим пример МОП-конденсатора на основе кремний и диоксид кремния. На полупроводниковую подложку наносится тонкий слой оксида (диоксида кремния) (например, термическое окисление, или химическое осаждение из паровой фазы) а потом покрытый с металлом.

Эта структура и, следовательно, конденсатор этого типа присутствует в каждом полевом транзисторе МДП, таком как МОП-транзисторы. Для неуклонного уменьшения размеров структур в микроэлектронике очевидны следующие факты. Из приведенной выше формулы следует, что емкость увеличивается с уменьшением толщины слоев изоляции. Для всех устройств MIS толщина изоляции не может быть ниже минимум 10 нм. Использование более тонкой изоляции, чем это, приводит к возникновению туннелирование через изоляционный материал (диэлектрик). В связи с этим использование так называемых высокий-к материалы в качестве материала изолятора исследуются (по состоянию на 2009 г.).