WikiDer > NvSRAM

NvSRAM

nvSRAM это тип энергонезависимая память с произвольным доступом (NVRAM).[1][2]По действию он похож на статическая оперативная память (SRAM).

nvSRAM - одна из передовых технологий NVRAM, которая быстро заменяет BBSRAM; статическая оперативная память с резервным питанием от аккумулятора, особенно для приложений, которым требуются решения без аккумулятора и долгосрочное хранение на скоростях SRAM. nvSRAM используются в широком спектре ситуаций - сетевых, аэрокосмических и медицинских, среди многих других.[3]- где сохранение данных имеет решающее значение, а батареи нецелесообразны.

Некоторые продукты под названием nvSRAM доступны по адресу Cypress Semiconductor, который представляет собой комбинацию SRAM и SONOS основан энергонезависимая память.[4] Но кажется, что они имеют внутреннюю структуру, отличную от ячеек памяти в справочниках.[1][2]

Это быстрее, чем решения с EPROM и EEPROM. Есть и другие продукты nvSRAM от Максим Интегрированный, по сути, это BBSRAM. У них есть литиевая батарея встроен в пакет SRAM. Они быстрее, чем решения с EPROM и EEPROM (см. внешняя ссылка раздел.)

Описание

Внешне nvSRAM выглядит как стандартная SRAM. Однако внутри nvSRAM способна делать больше, чем стандартная SRAM. Хотя SRAM может прочти и напиши, nvSRAM может читать, писать, хранить и вызывать. Дополнительные операции сосредоточены вокруг энергонезависимой части nvSRAM.

При чтении и записи nvSRAM действует не иначе, чем стандартная асинхронная SRAM. Подключенный процессор или контроллер видит 8 бит Интерфейс SRAM и больше ничего. Операция STORE сохраняет данные, которые находятся в массиве SRAM, в энергонезависимой части. Cypress и Simtek nvSRAM имеют три способа хранения данных в энергонезависимой области. Они есть:

  1. автосалон
  2. строительный магазин,
  3. магазин программного обеспечения.

Автосохранение происходит автоматически, когда основные данные источник напряжения падает ниже рабочего напряжения устройства. Когда это происходит, управление мощностью переключается с Vcc к конденсатор. Конденсатор будет питать микросхему достаточно долго, чтобы сохранить содержимое SRAM в энергонезависимой части. Вывод HSB (Hardware Store Busy) извне инициирует энергонезависимую операцию магазина оборудования. Использование сигнала HSB, который запрашивает энергонезависимый цикл аппаратного STORE, не является обязательным. Магазин программного обеспечения инициируется определенной последовательностью операций. Когда определенные операции выполняются последовательно, запускается магазин программного обеспечения.

Приложения

Регистрация данных - это одна из основных областей, где необходимы модули NVSRAM. POS терминалы / смарт-терминалы теперь могут утверждать платежные операции без получения разрешения от удаленного сервер. Поскольку защищенные данные хранятся в терминале, можно сэкономить много времени с точки зрения беспроводной проверки, которая является медленной и подверженной вторжению.

Автомобиль аварийные коробки - еще одна область, в которой можно эффективно использовать nvSRAM. Данные о состоянии транспортного средства на момент аварии могут иметь большое значение для подтверждения претензий и определения причины аварии. Это имеет огромные финансовые последствия для страхование промышленность, а также концепцию аварийных боксов в пассажирских /коммерческие автомобили может стать стандартом де-факто в ближайшем будущем. nvSRAM с их быстрым читай пиши Возможности хорошо подходят для этого приложения.

Подобные важные приложения, такие как медицинское оборудование а высокопроизводительные серверы могут использовать nvSRAM для хранения своих данных. В случае внешнего сбой питанияили непредвиденных бедствий, nvSRAM может хранить данные без внешнего вмешательства (функция автосохранения). Следовательно, это обеспечит гибкость EEPROM, но на скоростях SRAM.

Приложения в средах, где обслуживание на месте невозможно / дорого, например, регистраторы данных, разбросанные по географическим регионам, маршрутизаторы, оборудование в неблагоприятных условиях, могут использовать nvSRAM, поскольку nvSRAM не использует батареи, которые могут взорваться / высвободить вредные химические вещества в суровых условиях.

Короче говоря, nvSRAM подходят для приложений, которым необходимо хранить критически важные данные, но без полевого служения.

Сравнение с другими типами воспоминаний

nvSRAMBBSRAMСегнетоэлектрическое ОЗУМагниторезистивная память с произвольным доступом
ТехникаИмеет энергонезависимый элементы наряду с высокой производительностью SRAMИмеет литий источник энергии для питания, когда внешнее питание выключенИмеет сегнетоэлектрик кристалл между двумя электроды сформировать конденсатор. В момент атомов при приложении электрического поля используется для хранения данныхПодобно сегнетоэлектрическому RAM, но атомы выстраиваются в направлении внешнего магнитная сила. Этот эффект используется для хранения данных
Хранение данных20 лет7 лет, в зависимости от батареи и температура окружающей среды10 лет20 лет
ВыносливостьБезлимитныйОграниченоБезлимитный
Механизм магазинаАвтозапуск запускается, когда Vcc отключение питания обнаруженоРазрешение микросхемы должно поддерживаться на высоком логическом уровне, чтобы предотвратить случайное чтение / записьСтатическая работа. Данные хранятся только в энергонезависимой части
Включите восстановление данныхЭнергонезависимые данные автоматически становятся доступными в SRAM.SRAM переключится с батареи на Vcc
Замена на SRAMnvSRAM можно заменить на SRAM с незначительной модификацией платы для добавления внешнего конденсатораАссигнования на аккумулятор требует перепроектирования платы, чтобы разместить батарею большего размераНекоторые части совместимы по выводам с существующими SRAM.Последовательная совместимость с существующими SRAM
ПайкаСтандарт SMT использовалПрипой оплавлением невозможно сделать с установленной батареей, так как батареи могут взорватьсяИспользуется стандартный SMT
Скорость (лучшая)15–45 нс70–100 нс55 нс35 нс

Рекомендации

  1. ^ а б Ма, Яньцзюнь; Кан, Эдвин (2017). Нелогические устройства в логических процессах. Springer. ISBN 9783319483399.
  2. ^ а б Се, Юань (2013). Новые технологии памяти: дизайн, архитектура и приложения. Springer Science & Business Media. ISBN 9781441995513.
  3. ^ Компьютерная организация (4-е изд.). [S.l.]: МакГроу-Хилл. ISBN 0-07-114323-8.
  4. ^ http://www.electronicsweekly.com/products/2008/07/15/20229/cypress-cy14b102-2mbit-and-cy14b108-8mbit-nvsrams.htm

внешняя ссылка