WikiDer > Спектроскопия разности отражений
Спектроскопия разности отражений (RDS) это спектроскопический методика измерения разницы в отражательная способность двух балок свет которые светятся при нормальном падении на поверхность с разными линейные поляризации.[2] Он также известен как спектроскопия анизотропии отражения (РАС).[3]
Он рассчитывается как:
и - коэффициент отражения в двух разных поляризациях.
Метод был внедрен в 1985 году для исследования оптических свойств кубический полупроводники кремний и германий.[4] Благодаря высокой чувствительности поверхности и независимости от сверхвысокий вакуум, его использование было расширено до на месте мониторинг эпитаксиального роста[5] или взаимодействие поверхностей с адсорбатами.[1] Чтобы связать специфические особенности сигнала с их происхождением в морфологии и электронной структуре, теоретическое моделирование теория функционала плотности необходимо.
Рекомендации
- ^ а б Мэй, М. М .; Lewerenz, H.-J .; Hannappel, T. (2014), "Оптическое исследование in situ химии поверхности InP (100): диссоциативная адсорбция воды и кислорода", Журнал физической химии C, 118 (33): 19032, Дои:10.1021 / jp502955m
- ^ Питер Ю. Ю., Мануэль Кардона, «Основы полупроводников»
- ^ Weightman, P; Мартин, Д. С; Коул, Р. Дж .; Фаррелл, Т. (2005), "Спектроскопия анизотропии отражения", Отчеты о достижениях физики, 68 (6): 1251, Bibcode:2005RPPh ... 68.1251Вт, Дои:10.1088 / 0034-4885 / 68/6 / R01
- ^ Aspnes, D.E .; Studna, A. A. (1985), "Анизотропия в сверхзонных оптических спектрах кубических полупроводников", Письма с физическими проверками, 54 (17): 1956–1959, Bibcode:1985ПхРвЛ..54.1956А, Дои:10.1103 / PhysRevLett.54.1956, PMID 10031185
- ^ Richter, W .; Зеттлер, Ж.-Т. (1996), "Анализ эпитаксиального роста полупроводников III - V в реальном времени", Прикладная наука о поверхности, 100--101: 465–477, Bibcode:1996ApSS..100..465R, Дои:10.1016/0169-4332(96)00321-2
 | Эта научная статья заглушка. Вы можете помочь Википедии расширяя это. |