WikiDer > Безопасная рабочая зона

Safe operating area

За силовые полупроводниковые приборы (Такие как BJT, МОП-транзистор, тиристор или же IGBT), безопасная рабочая зона (SOA) определяется как Напряжение и Текущий условия, при которых устройство может работать без самоповреждений.[1]

SOA обычно представляет собой транзистор таблицы как граф с VCE (напряжение коллектор-эмиттер) на абсцисса и яCE (ток коллектор-эмиттер) на ордината; безопасная «область», относящаяся к площади под кривой. Спецификация SOA объединяет различные ограничения устройства - максимальное напряжение, ток, мощность, температура перехода, вторичный пробой - в одну кривую, что позволяет упростить проектирование схемы защиты.

Иллюстрация безопасной рабочей области биполярного силового транзистора. Транзистор допускает любую комбинацию тока коллектора и напряжения ниже линии.

Часто, в дополнение к непрерывному рейтингу, отдельные кривые SOA также строятся для условий коротких импульсов (импульс 1 мс, импульс 10 мс и т. Д.).

Кривая безопасной рабочей зоны представляет собой графическое представление допустимой мощности устройства в различных условиях. Кривая SOA учитывает токопроводящую способность соединения проводов, температуру перехода транзистора, внутреннюю рассеиваемую мощность и ограничения вторичного пробоя.

Пределы безопасной рабочей зоны

Где и ток, и напряжение отображаются на логарифмические шкалы, границы SOA - прямые:

  1. яC = ЯCmax - ограничение тока
  2. VCE = VCEmax - предел напряжения
  3. яC VCE = Pmax - предел рассеивания, тепловой пробой
  4. яC VCEα = const - это предел, задаваемый вторичным пробоем (только для транзисторов с биполярным переходом)

Спецификации SOA полезны инженерам-проектировщикам, работающим над силовыми цепями, такими как усилители и Источники питания поскольку они позволяют быстро оценить пределы рабочих характеристик устройства, разработать соответствующую схему защиты или выбрать более мощное устройство. Кривые SOA также важны при проектировании складной схемы.

Вторичная поломка

Для устройства, которое использует эффект вторичного пробоя, см. Лавинный транзистор

Вторичная поломка это режим отказа в биполярных силовых транзисторах. В силовом транзисторе с большой площадью перехода при определенных условиях тока и напряжения ток концентрируется в небольшом месте перехода база-эмиттер. Это вызывает локальный нагрев, переходящий в короткое замыкание между коллектором и эмиттером. Это часто приводит к разрушению транзистора. Вторичная поломка может произойти как при прямом, так и при обратном базовом приводе.[2] За исключением низких напряжений коллектор-эмиттер, предел пробоя вторичной цепи ограничивает ток коллектора больше, чем рассеиваемая мощность устройства в установившемся режиме.[3] Более старые силовые полевые МОП-транзисторы не имели вторичного пробоя, а их безопасная рабочая зона ограничивалась только максимальным током (емкостью соединительных проводов), максимальной рассеиваемой мощностью и максимальным напряжением. Это изменилось в более поздних устройствах, как описано в следующем разделе.[4] Однако силовые полевые МОП-транзисторы имеют паразитные элементы PN и BJT в структуре, которые могут вызвать более сложные локальные режимы отказа, напоминающие вторичный пробой.

Температурный разгон MOSFET в линейном режиме

В своей ранней истории полевые МОП-транзисторы были известны отсутствием вторичных пробоев. Это преимущество было связано с тем, что сопротивление в открытом состоянии увеличивается с увеличением температуры, так что более горячая часть полевого МОП-транзистора (например, из-за неровностей в установке кристалла и т. Д.) Будет нести более низкую плотность тока, стремясь даже к исключить любые колебания температуры и предотвратить появление горячих точек. Недавно стали доступны полевые МОП-транзисторы с очень высокой крутизной, оптимизированные для работы в режиме переключения. При работе в линейном режиме, особенно при высоких напряжениях сток-исток и низких токах стока, напряжение затвор-исток имеет тенденцию быть очень близким к пороговому напряжению. К сожалению, пороговое напряжение уменьшается с увеличением температуры, так что если есть какие-либо незначительные колебания температуры на кристалле, то более горячие области будут иметь тенденцию проводить больший ток, чем более холодные области, когда Vgs очень близко к Vth. Это может привести к тепловому разгоне и разрушению полевого МОП-транзистора, даже если он работает в пределах своих номиналов Vds, Id и Pd.[5][6] Некоторые (обычно дорогие) полевые МОП-транзисторы предназначены для работы в линейной области и включают схемы DC SOA, например IXYS IXTK8N150L.[7]

Безопасная рабочая зона с обратным смещением

Транзисторам требуется некоторое время для выключения из-за таких эффектов, как время хранения неосновных носителей и емкость. При выключении они могут быть повреждены в зависимости от того, как реагирует нагрузка (особенно при плохой пренебрежительно индуктивные нагрузки). В безопасная рабочая зона с обратным смещением (или же RBSOA) является SOA в течение короткого времени перед переключением устройства в выключенное состояние - в течение короткого времени, когда смещение базового тока меняется на противоположное. Пока напряжение коллектора и ток коллектора остаются в пределах RBSOA в течение всего выключения, транзистор не будет поврежден. Обычно RBSOA указывается для различных условий выключения, таких как замыкание базы на эмиттер, а также для более быстрых протоколов выключения, в которых напряжение смещения база-эмиттер обращено на противоположное.

RBSOA показывает четкие зависимости по сравнению с обычной SOA. Например в БТИЗ сильноточный и высоковольтный угол RBSOA отключается, когда напряжение коллектора увеличивается слишком быстро.[8] Поскольку RBSOA связан с очень коротким процессом выключения, он не ограничивается пределом непрерывного рассеивания мощности.

Обычная безопасная рабочая зона (когда устройство находится во включенном состоянии) может называться Безопасная рабочая зона с прямым смещением (или же FBSOA), когда его можно спутать с RBSOA.

Защита

Наиболее распространенная форма защиты SOA, используемая с транзисторами с биполярным переходом, измеряет ток коллектор-эмиттер с помощью последовательного резистора с низким сопротивлением. Напряжение на этом резисторе подается на небольшой вспомогательный транзистор, который постепенно «отбирает» базовый ток у силового устройства по мере прохождения избыточного тока коллектора.

Другой способ защиты - это измерение температуры снаружи транзистора в качестве оценки температуры перехода и уменьшение нагрузки на устройство или его отключение, если температура слишком высока. Если несколько транзисторов используются параллельно, только некоторые из них необходимо контролировать на предмет температуры корпуса, чтобы защитить все параллельные устройства.


Такой подход эффективен, но небезопасен. На практике очень сложно спроектировать схему защиты, которая будет работать в любых условиях, и инженеру-проектировщику остается взвесить вероятные условия неисправности с учетом сложности и стоимости защиты.

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ Тим Уильямс,Спутник схемотехника 2-е изд., Баттерворт-Хайнеманн, 2004 г. ISBN 0-7506-6370-7, стр.129-130
  2. ^ Л.В. Тернер, (ред), Справочник инженера-электронщика, 4-е изд. Ньюнес-Баттерворт, Лондон, 1976 г. ISBN 0408001682, страницы 8-45 и 8-46
  3. ^ SANYO Semiconductor Co., Ltd., Зона безопасной эксплуатации
  4. ^ Пол Горовиц и Уинфилд Хилл, Искусство электроники 2-е изд. Издательство Кембриджского университета, Кембридж, 1989 г. ISBN 0-521-37095-7 стр. 321
  5. ^ Рекомендации по применению международных выпрямителей AN-1155
  6. ^ NXP AN11158
  7. ^ Обсуждение MOSFET SOA (на немецком языке)
  8. ^ М. Х. Рашид, Справочник по силовой электронике, Academic Press, 2001, г. ISBN 0-12-581650-2, стр 108-109