WikiDer > Спиновый бесщелевой полупроводник - Википедия

Spin gapless semiconductor - Wikipedia
Физика конденсированного состояния
QuantumPhaseTransition.svg
Фазы · Фаза перехода · QCP

Спиновые бесщелевые полупроводники представляют собой новый класс материалов с уникальной структурой электрических зон для разных спиновых каналов таким образом, что отсутствует запрещенная зона (т.е.бесщелевой канал) для одного спинового канала, в то время как в другом спиновом канале имеется конечная щель.

В бесспиновом полупроводнике проводимость и валентность края полосы прикоснуться, так что не требуется пороговая энергия для перемещения электронов из занятых (валентных) состояний в пустые (проводящие) состояния. Это придает бесспиновым полупроводникам уникальные свойства, а именно то, что их зонные структуры чрезвычайно чувствительны к внешним воздействиям (например, давлению или магнитному полю). [1]

Поскольку для возбуждения электронов в SGS требуется очень мало энергии, концентрации зарядов очень легко «настраивать». Например, это можно сделать, введя новый элемент (легирование) или приложив магнитное или электрическое поле (стробирование).

Новый тип SGS, идентифицированный в 2017 году, известный как линейные бесщелевые полупроводники типа Дирака, имеет линейную дисперсию и считается идеальной платформой для безмассовых и бездиссипативных спинтроника поскольку спин-орбитальная связь открывает щель для спиновой полностью поляризованной зоны проводимости и валентной зоны, и в результате внутренняя часть образца становится изолятором, однако электрический ток может протекать без сопротивления на краю образца. Этот эффект, квантовый аномальный эффект Холла только ранее был реализован в топологических изоляторах с магнитным легированием.[1]

Помимо дираковских / линейных SGS, другой основной категорией SGS являются бесщелевые полупроводники с параболическим спином.[2] [3]

Подвижность электронов в таких материалах на два-четыре порядка выше, чем в классических полупроводниках.[4]

SGS топологически нетривиальный.[2]

Предсказание и открытие

Спиновый бесщелевой полупроводник был впервые предложен как новый спинтроника концепция и новый класс кандидатных материалов для спинтроники в 2008 г. в статье Сяолинь Ван из Университет Вуллонгонга в Австралии.[5] [6] [7]

Свойства и приложения

Зависимость ширины запрещенной зоны от направления спина приводит к высокой спиновой поляризации носителей заряда и предлагает многообещающие электронные и магнитные свойства с управляемым спином для приложений спинтроники.[8]

Спиновый бесщелевой полупроводник является многообещающим кандидатным материалом для спинтроника потому что его заряженные частицы могут быть полностью поляризованы по спину, так что этим спином можно управлять только с помощью небольшой приложенной внешней энергии.[1]

Рекомендации

  1. ^ а б c "Спиновые бесщелевые полупроводники: перспективные материалы для новой спинтроники и протекания тока без диссипации | Центр передового опыта ARC в области технологий низкоэнергетической электроники будущего".
  2. ^ а б «Последние достижения Дирака в бесщелевых полупроводниках». Цитировать журнал требует | журнал = (помощь)
  3. ^ Ван, Сяотянь (2018). «Поиск нового члена параболических бесщелевых полупроводников: случай алмазоподобного четверного соединения CuMn2InSe4». Обзоры прикладной физики.
  4. ^ Ван, Сяо-Линь (2016). "Бесщелевые полупроводники Дирака: многообещающие платформы для безмассовой и бездиссипативной спинтроники и новых (квантовых) аномальных спиновых эффектов Холла". Национальный научный обзор. 4 (2): 252–257. arXiv:1607.06057. Дои:10.1093 / nsr / nww069.
  5. ^ Ван, Сяолинь (18 апреля 2008 г.). "Предложение о новом классе материалов: полупроводники без спиновых зазоров". Письма с физическими проверками. 100 (15): 156404. Bibcode:2008PhRvL.100o6404W. Дои:10.1103 / Physrevlett.100.156404. PMID 18518135.
  6. ^ «Медиа-центр | Университет Вуллонгонга».
  7. ^ «Бесщелевые оксидные полупроводники: дизайнерское решение».
  8. ^ «Полиметаллы и полупроводники без спиновых зазоров». Цитировать журнал требует | журнал = (помощь)