WikiDer > Память ECC

ECC memory
ECC DIMM обычно имеют девять микросхем памяти с каждой стороны, на одну больше, чем обычно в модулях DIMM без ECC (некоторые модули могут иметь 5 или 18).[1]

Память кода с исправлением ошибок (Память ECC) является разновидностью компьютерное хранилище данных который может обнаруживать и исправлять n-битные повреждение данных что происходит в памяти. Память ECC используется в большинстве компьютеров, где повреждение данных недопустимо ни при каких обстоятельствах, например, в приложениях промышленного управления, критически важных базах данных или кэше инфраструктурной памяти.

Как правило, память ECC поддерживает систему памяти, невосприимчивую к однобитовым ошибкам: данные, считываемые из каждой слово всегда совпадает с записанными в него данными, даже если один из фактически сохраненных битов перешел в неправильное состояние. Большая часть памяти без ECC не может обнаруживать ошибки, хотя некоторая память без ECC с поддержкой четности позволяет обнаруживать, но не исправлять.

Описание

ECC защищает от необнаруженного повреждения данных памяти и используется в компьютерах, где такое повреждение недопустимо, например, в некоторых научных и финансовых вычислительных приложениях, или в файловые серверы. ECC также снижает количество сбоев, которые особенно недопустимы в многопользовательских серверных приложениях и системах максимальной доступности.

Электрические или магнитные помехи внутри компьютерной системы могут вызвать одиночный разряд динамическая память с произвольным доступом (DRAM) для самопроизвольного перехода в противоположное состояние. Первоначально считалось, что это произошло в основном из-за альфа-частицы испускается загрязнителями в упаковочном материале для чипов, но исследования показали, что большинство одноразовых мягкие ошибки в микросхемах DRAM возникают в результате фоновое излучение, в основном нейтроны от космический луч вторичные, которые могут изменять содержимое одного или нескольких ячейки памяти или вмешиваться в схемы, используемые для чтения или записи в них.[2] Следовательно, частота ошибок быстро увеличивается с увеличением высоты; например, по сравнению с уровнем моря скорость нейтронный поток в 3,5 раза выше на 1,5 км и в 300 раз выше на 10–12 км (крейсерская высота коммерческих самолетов).[3] В результате системы, работающие на больших высотах, требуют особого обеспечения надежности.

Например, космический корабль Кассини – Гюйгенс, выпущенный в 1997 году, содержал два идентичных бортовых самописца, каждый с 2,5 гигабитами памяти в виде массивов коммерческих микросхем DRAM. Благодаря встроенному EDAC функциональность, инженерная телеметрия космического корабля сообщала о количестве (исправляемых) ошибок типа один бит на слово и (не исправляемых) ошибок двойного бит на слово. В течение первых 2,5 лет полета космический аппарат сообщал о почти постоянной частоте однобитовых ошибок около 280 ошибок в день. Однако 6 ноября 1997 г., в течение первого месяца полета, количество ошибок увеличилось более чем в четыре раза за этот день. Это было приписано событие солнечной частицы что было обнаружено спутником GOES 9.[4]

Были некоторые опасения, что по мере дальнейшего увеличения плотности DRAM и, следовательно, уменьшения размеров компонентов на микросхемах, в то время как рабочие напряжения продолжают падать, микросхемы DRAM будут подвергаться воздействию такого излучения чаще, поскольку частицы с более низкой энергией смогут для изменения состояния ячейки памяти.[3] С другой стороны, меньшие ячейки создают меньшие цели и переходят к таким технологиям, как ТАК ЧТО Я может сделать отдельные клетки менее восприимчивыми и, таким образом, противодействовать или даже обратить вспять эту тенденцию. Недавние исследования[5] показывают, что единичные сбои из-за космического излучения резко сокращаются с изменением геометрии технологического процесса, и предыдущие опасения по поводу увеличения количества ошибок в битовых ячейках необоснованны.

Исследование

Работа, опубликованная в период с 2007 по 2009 год, показала сильно различающийся уровень ошибок с разницей более чем на 7 порядков величины, начиная от 10−10 ошибка / бит · ч (примерно одна битовая ошибка в час на гигабайт памяти) до 10−17 ошибка / бит · ч (примерно одна битовая ошибка на миллениум на гигабайт памяти).[5][6][7] Масштабное исследование, основанное на Googleочень большое количество серверов было представлено на конференции SIGMETRICS / Performance ’09.[6] Фактический коэффициент ошибок был на несколько порядков выше, чем в предыдущих мелкомасштабных или лабораторных исследованиях, с 25000 (2,5 × 10−11 ошибка / бит · ч) и 70 000 (7,0 × 10−11 ошибка / бит · ч, или 1 битовая ошибка на гигабайт ОЗУ за 1,8 часа) ошибок на миллиард часов устройства на мегабит. Ежегодно более 8% модулей памяти DIMM подвергались ошибкам.

Последствия ошибки памяти зависят от системы. В системах без ECC ошибка может привести либо к сбою, либо к повреждению данных; на крупных производственных объектах ошибки памяти являются одной из наиболее частых аппаратных причин сбоев оборудования.[6] Ошибки памяти могут вызвать уязвимости системы безопасности.[6] Ошибка памяти не может иметь последствий, если она немного изменяет бит, который не вызывает наблюдаемых сбоев и не влияет на данные, используемые в расчетах или сохраняемые. Имитационное исследование 2010 года показало, что для веб-браузера только небольшая часть ошибок памяти вызвала повреждение данных, хотя, поскольку многие ошибки памяти являются прерывистыми и коррелированными, влияние ошибок памяти было больше, чем можно было бы ожидать от независимых программных ошибок.[8]

Некоторые тесты показывают, что изоляция DRAM Ячейки памяти можно обойти с помощью непреднамеренных побочных эффектов специально созданного доступа к соседним ячейкам. Таким образом, доступ к данным, хранящимся в DRAM, приводит к тому, что ячейки памяти теряют свои заряды и электрически взаимодействуют в результате высокой плотности ячеек в современной памяти, изменяя содержимое соседних строк памяти, которые фактически не были адресованы в исходном доступе к памяти. Этот эффект известен как гребной молот, и он также использовался в некоторых повышение привилегий компьютерная безопасность подвиги.[9][10]

Пример однобитовой ошибки, которая будет проигнорирована системой без проверки ошибок, остановит машину с проверкой четности или будет незаметно исправлена ​​ECC: один бит застревает на 1 из-за неисправного чипа, или становится 1 из-за фона или космического излучения; загружается электронная таблица, хранящая числа в формате ASCII, и символ «8» (десятичное значение 56 в кодировке ASCII) сохраняется в байте, который содержит застрявший бит в его самой нижней битовой позиции; затем в электронную таблицу вносятся изменения, и она сохраняется. В результате "8" (0011 1000 двоичный) молча превратился в "9" (0011 1001).

Решения

Было разработано несколько подходов для борьбы с нежелательными переворотами битов, в том числе программирование с учетом иммунитета, Четность RAM память и ECC объем памяти.

Эту проблему можно смягчить, используя модули DRAM, которые включают в себя дополнительные биты памяти, и контроллеры памяти, которые используют эти биты. Эти дополнительные биты используются для записи паритет или использовать код исправления ошибок (ECC). Четность позволяет обнаруживать все однобитовые ошибки (фактически, любое нечетное количество ошибочных битов). Наиболее распространенный код исправления ошибок, a исправление одиночной ошибки и обнаружение двойной ошибки (ОТДЕЛЬНО) Код Хэмминга, позволяет исправлять однобитовые ошибки и (в обычной конфигурации с дополнительным битом четности) обнаруживать двухбитовые ошибки. Чипкилл ECC - более эффективная версия, которая также исправляет несколько битовых ошибок, включая потерю всего чипа памяти.

Реализации

Сеймур Крей классно сказал "паритет для фермеров"когда его спросили, почему он оставил это вне CDC 6600.[11] Позже, он включил паритет в CDC 7600, что заставило ученых мужей заметить, что «очевидно, что многие фермеры покупают компьютеры». Оригинал IBM PC и все ПК до начала 1990-х годов использовали проверку четности.[12] Более поздние по большей части этого не сделали. Многие современные микропроцессорные контроллеры памяти поддерживают ECC, но многие материнские платы, в частности платы, использующие младшие наборы микросхем, не поддерживают.[нужна цитата]

Контроллер памяти с поддержкой ECC может обнаруживать и исправлять ошибки одного бита на 64-битный "слово"(единица автобус передачи), и обнаруживать (но не исправлять) ошибки двух битов на 64-битное слово. В BIOS на некоторых компьютерах при использовании с операционными системами, такими как некоторые версии Linux, macOS, и Windows,[нужна цитата] позволяет подсчитывать обнаруженные и исправленные ошибки памяти, в частности, чтобы помочь выявить неисправные модули памяти до того, как проблема станет катастрофической.

Некоторые микросхемы DRAM включают «внутренние» схемы коррекции ошибок на кристалле, которые позволяют системам с контроллерами памяти без ECC по-прежнему получать большинство преимуществ памяти ECC.[13][14] В некоторых системах подобный эффект может быть достигнут при использовании Память EOS модули.

Обнаружение и исправление ошибок (EDAC) зависит от ожидаемого типа возникающих ошибок. Неявно предполагается, что сбой каждого бита в слове памяти независим, что приводит к маловероятности двух одновременных ошибок. Раньше так было, когда микросхемы памяти имели ширину в один бит, что было типично для первой половины 1980-х годов; более поздние разработки переместили много битов в один и тот же чип. Этот недостаток устраняется различными технологиями, в том числе IBMс Чипкилл, Sun Microsystems' Расширенный ECC, Hewlett Packardс Chipspare, и Intelс Коррекция данных одного устройства (SDDC).

DRAM память может обеспечить повышенную защиту от мягкие ошибки полагаясь на коды исправления ошибок. Такие исправляющая память, известный как ECC или EDAC-защищенный память, особенно желательна для приложений с высокой отказоустойчивостью, таких как серверы, а также для приложений дальнего космоса из-за увеличения радиация. Некоторые системы также "скраб"память" путем периодического чтения всех адресов и обратной записи исправленных версий, если это необходимо для удаления программных ошибок.

Чередование позволяет распределить эффект одного космического луча, потенциально нарушая несколько физически соседних битов в нескольких словах, связывая соседние биты с разными словами. Пока одно событие расстроено (SEU) не превышает пороговое значение ошибки (например, единственная ошибка) в любом конкретном слове между доступами, это может быть исправлено (например, с помощью однобитового кода исправления ошибок), и эффективно безошибочная система памяти может быть поддерживается.[15]

Контроллеры памяти с исправлением ошибок традиционно используют Коды Хэмминга, хотя некоторые используют тройное модульное резервирование (ПМР). Последнее предпочтительнее, потому что его оборудование быстрее, чем у схемы исправления ошибок Хэмминга.[15] В космических спутниковых системах часто используется TMR,[16][17][18] хотя спутниковая RAM обычно использует исправление ошибок Хэмминга.[19]

Многие ранние реализации корректируемых ошибок памяти ECC маскируют, действуя «так, как будто» ошибки никогда не возникали, и сообщают только о неисправимых ошибках. Современные реализации регистрируют как исправимые ошибки (CE), так и неисправимые ошибки (UE). Некоторые люди заблаговременно заменяют модули памяти, которые демонстрируют высокий уровень ошибок, чтобы снизить вероятность возникновения неисправимых ошибок.[20]

Многие системы памяти ECC используют «внешнюю» схему EDAC между процессором и памятью. Некоторые системы с памятью ECC используют как внутренние, так и внешние системы EDAC; внешняя система EDAC должна быть разработана таким образом, чтобы исправлять определенные ошибки, которые внутренняя система EDAC не может исправить.[13] Современные настольные и серверные ЦП интегрируют схему EDAC в ЦП,[21] еще до перехода на контроллеры памяти, интегрированные в ЦП, которые связаны с NUMA архитектура. Интеграция с ЦП обеспечивает систему EDAC без штрафных санкций во время безошибочной работы.

С 2009 года наиболее распространенные коды исправления ошибок используют коды Хэмминга или Сяо, которые обеспечивают исправление однобитовых ошибок и обнаружение двухбитовых ошибок (SEC-DED). Для защиты памяти были предложены другие коды с коррекцией ошибок - коды с двухбитовой коррекцией ошибок и трехбитовые коды с обнаружением ошибок (DEC-TED), коды с исправлением ошибок с одним полубайтом и коды обнаружения ошибок с двумя полубайтами (SNC-DND), Исправление ошибок Рида – Соломона коды и т. д. Однако на практике многобитовая коррекция обычно осуществляется путем чередования нескольких кодов SEC-DED.[22][23]

Ранние исследования пытались минимизировать накладные расходы на площадь и задержку в схемах ECC. Хэмминг впервые продемонстрировал, что коды SEC-DED возможны с одной конкретной проверочной матрицей. Сяо показал, что альтернативная матрица со столбцами с нечетным весом обеспечивает возможность SEC-DED с меньшей площадью аппаратного обеспечения и более короткой задержкой, чем традиционные коды Хэмминга SEC-DED. В более поздних исследованиях также делается попытка минимизировать мощность в дополнение к минимизации площади и задержки.[24][25][26]

Кеш

Многие процессоры используют коды исправления ошибок в кэш на кристалле, включая Intel Itanium и Xeon[27] процессоры AMD Athlon, Opteron, все Дзен-[28] и Дзен +-на основании[29] процессоры (EPYC, EPYC встроенный, Райзен и Райзен Threadripper) и DEC Alpha 21264.[22][30]

По состоянию на 2006 г., EDC / ECC и ECC / ECC - два наиболее распространенных метода защиты от ошибок кэша, используемые в коммерческих микропроцессорах. Метод EDC / ECC использует код обнаружения ошибок (EDC) в кэше уровня 1. При обнаружении ошибки данные восстанавливаются из кэша уровня 2, защищенного с помощью ECC. В методе ECC / ECC используется кэш уровня 1 с защитой ECC и кэш уровня 2 с защитой ECC.[31] ЦП, которые всегда используют технологию EDC / ECC сквозная запись все ХРАНИЛИЩА в кэш уровня 2, так что при обнаружении ошибки во время чтения из кеша данных уровня 1 копия этих данных может быть восстановлена ​​из кеша уровня 2.

Зарегистрированная память

Основная статья: Зарегистрированная память
Два по 8 ГБ DDR4-2133 ECC 1,2 В RDIMM

Зарегистрированная или буферизованная память - это не то же самое, что ECC; технологии выполняют разные функции. Обычно память, используемая на серверах, регистрируется, чтобы позволить использовать многие модули памяти без электрических проблем, и ECC для целостности данных. Память, используемая в настольных компьютерах, не предназначена для экономии. Однако доступна небуферизованная (незарегистрированная) память ECC,[32] а некоторые несерверные материнские платы поддерживают функции ECC таких модулей при использовании с ЦП, поддерживающим ECC.[33] Зарегистрированная память не работает надежно на материнских платах без схемы буферизации, и наоборот.

Преимущества и недостатки

В конечном итоге существует компромисс между защитой от необычной потери данных и более высокой стоимостью.

Память ECC обычно имеет более высокую цену по сравнению с памятью без ECC из-за дополнительного оборудования, необходимого для производства модулей памяти ECC, а также из-за меньших объемов производства памяти ECC и связанного с ней системного оборудования. Материнские платы, чипсеты и процессоры, поддерживающие ECC, также могут быть более дорогими.

Поддержка ECC варьируется от производителей материнских плат, поэтому память ECC может просто не распознаваться материнской платой, несовместимой с ECC. Наиболее материнские платы а процессоры для менее важных приложений не предназначены для поддержки ECC, поэтому их цены могут быть ниже. Некоторые платы и процессоры с поддержкой ECC могут поддерживать небуферизованную (незарегистрированную) ECC, но также будут работать с памятью без ECC; микропрограмма системы включает функцию ECC, если установлена ​​память ECC.

ECC может снизить производительность памяти примерно на 2–3 процента в некоторых системах, в зависимости от приложения и реализации, из-за дополнительного времени, необходимого контроллерам памяти ECC для выполнения проверки ошибок.[34] Однако современные системы интегрируют тестирование ECC в ЦП, не создавая дополнительной задержки при доступе к памяти, пока не обнаруживаются ошибки.[21][35][36]

Память с поддержкой ECC может способствовать дополнительному потреблению энергии из-за схемы исправления ошибок.

использованная литература

  1. ^ Вернер Фишер. "RAM раскрыта". admin-magazine.com. Получено 20 октября, 2014.
  2. ^ Расстройство одиночного мероприятия на уровне земли, Юджин Норманд, член IEEE, Boeing Defense & Space Group, Сиэтл, Вашингтон, 98124-2499
  3. ^ а б "Обзор методов моделирования и повышения надежности вычислительных систем", IEEE TPDS, 2015 г.
  4. ^ Гэри М. Свифт и Стивен М. Гертин. "Наблюдения в полете множественных сбоев в DRAM". Лаборатория реактивного движения
  5. ^ а б Боруки, «Сравнение ускоренных коэффициентов мягких ошибок DRAM, измеренных на уровне компонентов и систем», 46-й ежегодный международный симпозиум по физике надежности, Феникс, 2008 г., стр. 482–487
  6. ^ а б c d Шредер, Бьянка; Пинейро, Эдуардо; Вебер, Вольф-Дитрих (2009). Ошибки DRAM в дикой природе: крупномасштабное полевое исследование (PDF). СИГМЕТРИКА / Производительность. ACM. ISBN 978-1-60558-511-6. Сложить резюме – ZDNet.
  7. ^ «Измерение программных ошибок памяти в производственных системах». Архивировано из оригинал на 2017-02-14. Получено 2011-06-27.
  8. ^ Ли, Хуанг; Шен, Чу (2010). ""Реалистичная оценка аппаратных ошибок памяти и уязвимости программного обеспечения ". Ежегодная техническая конференция Usenix 2010" (PDF).
  9. ^ Юнгу Ким; Росс Дейли; Джереми Ким; Крис Фоллин; Джи Хе Ли; Донхёк Ли; Крис Вилкерсон; Конрад Лай; Онур Мутлу (24.06.2014). «Перемещение битов в памяти без доступа к ним: экспериментальное исследование ошибок нарушения памяти DRAM» (PDF). ece.cmu.edu. IEEE. Получено 2015-03-10.
  10. ^ Дэн Гудин (10 марта 2015 г.). «Передовой хакерский метод дает статус суперпользователя, используя слабые места DRAM». Ars Technica. Получено 2015-03-10.
  11. ^ «CDC 6600». Microsoft Research. Получено 2011-11-23.
  12. ^ «Проверка четности». Pcguide.com. 2001-04-17. Получено 2011-11-23.
  13. ^ а б А. Х. Джонстон.«Эффекты космической радиации в сложных воспоминаниях о вспышках» В архиве 2016-03-04 в Wayback Machine.NASA Программа электронных компонентов и упаковки (NEPP). 2001 г.
  14. ^ «ECC DRAM - интеллектуальная память». Intelligentmemory.com. Получено 2014-12-23.
  15. ^ а б «Использование StrongArm SA-1110 в бортовом компьютере наноспутника». Космический центр Цинхуа, Университет Цинхуа, Пекин. Архивировано из оригинал на 2011-10-02. Получено 2009-02-16.
  16. ^ «Инженеры Actel используют трехмодульное резервирование в новой ПЛИС Rad-Hard». Военная и аэрокосмическая электроника. Архивировано из оригинал на 2012-07-14. Получено 2009-02-16.
  17. ^ "Упрочнение SEU программируемых вентильных матриц (FPGA) для космических приложений и определения характеристик устройств". Klabs.org. 2010-02-03. Архивировано из оригинал на 2011-11-25. Получено 2011-11-23.
  18. ^ «ПЛИС в космосе». Techfocusmedia.net. Получено 2011-11-23.[постоянная мертвая ссылка]
  19. ^ «Технологии коммерческой микроэлектроники для применения в радиационной среде спутников». Radhome.gsfc.nasa.gov. Получено 2011-11-23.
  20. ^ Дуг Томпсон, Мауро Карвалью Чехаб.«EDAC - обнаружение и исправление ошибок» В архиве 2009-09-05 на Wayback Machine.2005 - 2009. «Цель модуля ядра 'edac' - обнаруживать и сообщать об ошибках, которые происходят в компьютерной системе, работающей под Linux».
  21. ^ а б "Руководство по программному обеспечению / BIOS системного контроллера AMD-762 ™, стр. 179" (PDF).
  22. ^ а б До Хён Юн; Мэттан Эрез. "Memory Mapped ECC: недорогая защита от ошибок для кэшей последнего уровня". 2009. с. 3
  23. ^ Даниэле Росси; Никола Тимончини; Майкл Спика; Сесилия Метра.«Анализ кода с исправлением ошибок для обеспечения высокой надежности и производительности кэш-памяти» В архиве 2015-02-03 в Wayback Machine.
  24. ^ Шалини Гош; Сугато Басу; и Нур А. Туба. «Выбор кодов исправления ошибок для минимизации мощности в схемах проверки памяти» В архиве 2015-02-03 в Wayback Machine. п. 2 и стр. 4.
  25. ^ Крис Вилкерсон; Алаа Р. Аламельдин; Зешан Чишти; Вэй Ву; Динеш Сомасекхар; Ши-лен Лу. «Снижение мощности кэш-памяти с помощью недорогих многобитовых кодов с исправлением ошибок». Дои: 10.1145/1816038.1815973.
  26. ^ M. Y. Hsiao. «Класс оптимальных кодов SEC-DED для столбца с минимальным нечетным весом». 1970.
  27. ^ Корпорация Intel.«Семейство процессоров Intel Xeon E7: надежность, доступность и удобство обслуживания».2011.p. 12.
  28. ^ «Микроархитектура AMD Zen - Иерархия памяти». WikiChip. Получено 15 октября 2018.
  29. ^ «Микроархитектура AMD Zen + - Иерархия памяти». WikiChip. Получено 15 октября 2018.
  30. ^ Чану Ким; Никос Хардавеллас; Кен Май; Бабак Фальсафи; Джеймс С. Хоу.«Многобитовые кэши, устойчивые к ошибкам, использующие двумерное кодирование ошибок».2007.стр. 2.
  31. ^ Натан Н. Сэдлер и Дэниел Дж. Сорин.«Выбор схемы защиты от ошибок для кэша данных L1 микропроцессора».2006.p. 1.
  32. ^ "Типичный модуль ОЗУ без буферизации ECC: Crucial CT25672BA1067".
  33. ^ Спецификация системной платы для настольных ПК, которая поддерживает небуферизованную оперативную память как с ECC, так и без ECC с совместимыми процессорами
  34. ^ "Обсуждение ECC на pcguide". Pcguide.com. 2001-04-17. Получено 2011-11-23.
  35. ^ Тест платформы AMD-762 / Athlon с ECC и без него В архиве 2013-06-15 на Wayback Machine
  36. ^ «ECCploit: память ECC все-таки уязвима для атак Rowhammer». Группа системной и сетевой безопасности в VU Amsterdam. Получено 2018-11-22.

внешние ссылки