WikiDer > Z-RAM
| Память компьютера типы |
|---|
| Общий |
| Летучий |
| баран |
| Исторический |
|
| Энергонезависимая |
| ПЗУ |
| NVRAM |
| Ранняя стадия NVRAM |
| Магнитный |
| Оптический |
| В развитии |
| Исторический |
|
Z-RAM это торговая марка ныне устаревшего динамическая память с произвольным доступом технология, не требующая конденсатора для поддержания своего состояния. Z-RAM был разработан между 2002 и 2010 годами ныне несуществующей[1] компания под названием Innovative Silicon.
Z-RAM полагается на эффект плавающего тела,[2] артефакт кремний на изоляторе (SOI) процесс, при котором транзисторы помещаются в изолированные ванны (напряжения на корпусе транзистора «плавают» относительно подложки пластины под баками). Эффект плавающего тела вызывает переменную емкость появиться между дном ванны и нижележащим субстрат. Эффект плавающего тела обычно является паразитным эффектом, который сбивает с толку схемы, но также позволяет построить ячейку, подобную DRAM, без добавления отдельного конденсатора, при этом эффект плавающего тела затем заменяет обычный конденсатор. Поскольку конденсатор расположен под транзистором (а не рядом с транзистором или над ним, как в обычных DRAM), другое значение названия "Z-RAM" заключается в том, что оно распространяется в отрицательном z-направление.
Теоретически уменьшение размера ячейки позволило бы более плотное хранилище, что, в свою очередь, могло бы (при использовании с большими блоками) улучшить время доступа за счет уменьшения физического расстояния, которое данные должны были бы пройти, чтобы выйти из блока.[3] Для большого кэш-память (как это обычно бывает в высокопроизводительных микропроцессорах), тогда Z-RAM была бы потенциально такой же быстрой, как SRAM, используемая для обычных кэшей на процессоре (L1 / L2), но с меньшей площадью поверхности (и, следовательно, стоимостью). Однако с развитием технологий производства обычных SRAM (что наиболее важно, переход на 32-нм производственный узел), Z-RAM потеряла преимущество в размере.
Несмотря на то что AMD лицензировал Z-RAM второго поколения в 2006 году,[4] производитель процессоров отказался от планов Z-RAM в январе 2010 года.[5] Аналогичным образом производитель DRAM Hynix также лицензировал Z-RAM для использования в микросхемах DRAM в 2007 году,[6] и Innovative Silicon объявили, что совместно разрабатывают версию Z-RAM без SOI, которую можно будет производить при меньших затратах. CMOS технологии в марте 2010 года, но Innovative Silicon закрылась 29 июня 2010 года. Ее патентный портфель был приобретен Микронная технология в декабре 2010 г.[7]
Рекомендации
- ^ «Обзор компании Innovative Silicon, Inc». Bloomberg L.P. Получено 2015-06-29.
- ^ «DRAM без конденсатора удваивает плотность памяти». Компоненты в электронике. Февраль 2005. Архивировано с оригинал на 2007-09-27.
- ^ Крис Холл (2006-03-28). «Случай для Z-RAM: вопросы и ответы со специалистом по памяти Innovative Silicon». DigiTimes.
- ^ Кларк, Питер (04.12.2006). «Инновационный кремний обновляет память SOI, AMD это нравится». EE Times. Получено 2015-06-29.
- ^ «GlobalFoundries представляет дорожную карту 22 нм». Китайская Академия Наук. 2010-01-08. Получено 2015-06-29.
- ^ Ям, Маркус (13 августа 2007). «Hynix лицензирует технологию ISi Z-RAM для будущих чипов DRAM». DailyTech. Получено 2015-06-29.
- ^ Кларк, Питер (13.05.2011). «Micron выигрывает по мере того, как закрывается фирма с плавающей памятью». EE Times. Получено 2015-06-29.