WikiDer > Кан Л. Ван - Википедия

Эта статья поднимает множество проблем. Пожалуйста помоги Улучши это или обсудите эти вопросы на страница обсуждения. (Узнайте, как и когда удалить эти сообщения-шаблоны) Этот биография живого человека требует дополнительных цитаты за проверка. Пожалуйста, помогите, добавив надежные источники. Спорный материал о живых людях, не имеющий или не имеющий источника необходимо немедленно удалить, особенно если потенциально клеветнический или вредно. Найдите источники: "Кан Л. Ван" – Новости · газеты · книги · ученый · JSTOR (Декабрь 2014 г.) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения) Похоже, что один из основных авторов этой статьи тесная связь со своим предметом. Может потребоваться очистка для соответствия политике содержания Википедии, в частности нейтральная точка зрения. Пожалуйста, обсудите подробнее страница обсуждения. (Март 2011 г.) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения) Эта статья может требовать уборка встретиться с Википедией стандарты качества. Конкретная проблема: Длинные абзацы Пожалуйста помоги улучшить эту статью если вы можете. (Июнь 2018 г.) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения)

Кан Л. Ван

Кан Лунг Ван признан исследователем хиральных майорановских фермионов IUPAP. [1]Рожден в Луканг, Чанхуа, Тайваньв 1941 году Ван получил степень бакалавра наук (1964) в Национальный университет Ченг Кунг и его степени магистра (1966 г.) и доктора наук (1970 г.) Массачусетский Институт Технологий.^[1] С 1970 по 1972 год он был доцентом Массачусетского технологического института. С 1972 по 1979 год работал в General Electric Центр корпоративных исследований и разработок как физик/инженер. В 1979 году он присоединился к Электротехника Департамент Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе, где он является профессором и руководит лабораторией исследования устройств. [2] (ДХО). С 1993 по 1996 год он занимал должность заведующего кафедрой электротехники в Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе. Его исследовательская деятельность включает: полупроводник наноустройства и нанотехнологии; рост самосборки квантовых структур и кооперативная сборка квантовая точка массивы на основе Si Молекулярно-лучевая эпитаксия, квантовые структуры и устройства; Наноэпитаксия гетероструктур; Спинтроника материалы и приспособления; Электронный спин и когерентные свойства квантовых структур SiGe и InAs для реализации спиновой квантовой информации; микроволновая печь устройств. Он был изобретателем полевого МОП-транзистора с напряженным слоем, квантовой ячейки SRAM и сверхрешетки. Он держит 45 патенты опубликовал более 700 статей. Он увлеченный преподаватель и обучал сотни студентов, в том числе кандидатов на степень магистра и доктора наук.[3] Многие из выпускников сделали отличную карьеру в области инженерии и науки.[4]

Он лидер в Нанотехнологии. Он является профессором кафедры физических наук Raytheon с 2006 года. Он является членом редакционной коллегии Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology TM (издательство American Scientific). В настоящее время он также является директором Marco Focus Center по Функциональная инженерная наноархитектоника (FENA), междисциплинарный исследовательский центр, финансируемый Ассоциация полупроводниковой промышленности и Министерство обороны для удовлетворения потребностей в технологиях обработки информации, выходящих за рамки масштабируемой CMOS. В Центре участвуют 12 университетов по всей стране, в которых участвуют 35 преподавателей. Он также является директором Западный институт наноэлектроники (ПОБЕДИТЬ) - координированный многопроектный НИИ. WIN финансируется NRI, Intel и Штат Калифорния. Текущие текущие проекты нацелены на спинтронику для приложений с низким энергопотреблением. В настоящее время он является главным редактором журнала IEEE Transactions on Nanotechnology (TNANO).^[2] Он также был директором-основателем Исследовательского центра наноэлектроники в Калифорнийском университете в Лос-Анджелесе (основанного в 1989 г.) с инфраструктурой для дальнейших исследований в области нанотехнологий. В дополнение к этому вкладу в техническое руководство, он обеспечил академическое лидерство в инженерное образование. Он также был деканом инженерного факультета с 2000 по 2002 гг. Гонконгский университет науки и технологий.^[3]

Интересы исследования

• Наноэлектроника и Наноархитектуры
• Спинтроника и Наномагнетизм
• Наномасштаб Наука
• Приборы и квантовые системы
• Энергонезависимая электроника и устройства с малым тепловыделением
• Молекулярно-лучевая эпитаксия
• Оптоэлектроника и солнечные батареи

Назначения

2006 - Настоящее время

Кафедра Raytheon, профессор физической электроники

2006 - Настоящее время

Директор, Западный институт наноэлектроники (WIN)

2011 – 2014

Главный редактор, IEEE Transactions on Nanotechnology (TNANO)

2007 – 2013

Помощник директора, Калифорнийский институт наносистем (CNSI)

2003 – 2013

Директор, Марко Фокус Центр функциональной инженерии наноархитектоники (FENA)

2000–2002

Декан инженерной школы Гонконгского университета науки и технологий

1993–1996

Заведующий кафедрой электротехники Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе

1979 - Настоящее время

Профессор Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе

1972–1979

Физик / инженер, Центр корпоративных исследований и разработок General Electric

1970–1972

Доцент Массачусетского технологического института

Награды и признание

2018: Премия за магнетизм и медаль Нееля, Международный союз чистой и прикладной физики [5]

2018: Академик Academia Sinica, Тайвань [6]

2018: Лауреат научно-исследовательского института промышленных технологий, Тайвань [7]

2018: награда доктора Дэна С. Луи за прижизненные достижения [8]

2017: J.J. Премия Эберса от Международного общества электронных устройств IEEE [9]

2017: научный сотрудник APS (Американское физическое общество)^[4]

2015: Премия Пань Вэнь Юаня за выдающиеся исследования, Синьчжу, Тайвань

2012: Премия выдающимся выпускникам Национального университета Ченг Кунг, Тайвань

2009: Премия за исследования в области полупроводниковой промышленности

2007: Премия факультета IBM

1996: Премия за техническое превосходство корпорации Semiconductor Research Corporation

1992: научный сотрудник IEEE (Институт электротехники и электроники).

1987-88: Премия стипендиата Гуггенхайма, Институт Макса Планка, Германия

Книги

Ван, К. и Овчинников, И., «Наноэлектроника и наноспинтроника: основы и перспективы материалов», В: «Достижения в электронных материалах», Каспер, Э., Муссиг, Х.-Дж. и Гриммейсс, Х. (ред.), Trans Tech Publications, Швейцария , Vol. 608, стр. 133–158 (2009).

Ван, К., Галацис, К., Остроумов, Р., Озкан, М., Лихарев, К. и Ботрос, Ю., "Глава 10: Наноархитектоника: достижения в области наноэлектроники", В: Справочник по нанонауке, технике и технологиям, второе издание , Годдард, В., Бреннер, Д.В., Лышевски, С.Е. и Iafrate, G.J. (Ред.), CRC Press, стр. 10.1-10.24 (2007)

Эшагян-Вилнер, М. М., Флад, А. Х., Хитун, А., Стоддарт, Дж. Ф., Ван, К., "Глава 14. Молекулярные и наноразмерные вычисления и технологии", В: Справочник по естественным и инновационным вычислениям: интеграция классических моделей с новыми технологиями, Zomaya, A.Y. (Ред.), США: Springer-Verlag, 477-510 (2006).

Ван, К. и Баландин, А.А., редакторы, Справочник по полупроводниковым наноструктурам и наноустройствам, America Scientific Publishers, 2005 г.

Смотрите также

• Эвелин Ван, Дочь Вана, профессора машиностроения в Массачусетский Институт Технологий

Рекомендации

внешняя ссылка

• Лаборатория исследования устройств UCLA
• UCLA Электротехника
• Марко Фокус Центр функциональной инженерии наноархитектоники
• Вестернский институт наноэлектроники
• IEEE Transactions по нанотехнологиям