WikiDer > Замена аппарата с помощью лазера

Laser-assisted device alteration

Замена аппарата с помощью лазера (LADA) это лазер-основан временной анализ техника, используемая в анализ отказов полупроводниковых приборов. Лазер используется для временного изменения рабочих характеристик транзисторов устройства.[1]

Теория Операции

Техника LADA нацелена на переменную мощность непрерывная волна (CW) лазер у конкретных транзисторов устройства. Лазер обычно является коротковолновым, порядка 1064 нм. Это позволяет лазеру генерировать фотоносители в кремнии, не вызывая локального нагрева устройства. Техника LADA несколько похожа по исполнению на метод Soft Defect Localization (SDL), за исключением того, что SDL использует более длинноволновый лазер (1340 нм), чтобы вызвать локальный нагрев, а не генерировать фотоносители. Оба метода требуют, чтобы устройство сканировалось лазером, когда тестер активно стимулирует его.

Тестируемое устройство электрически возбуждается, и его выходной сигнал контролируется. Этот прием применяется к тыльной стороне полупроводник устройство, тем самым обеспечивая прямой доступ лазера к активному устройству распространение регионы. Воздействие лазера на активную область транзистора заключается в создании локализованного фототок. Этот фототок является временным эффектом и возникает только в то время, когда лазер стимулирует целевую область. Создание этого фототока изменяет транзистор рабочие параметры, которые могут наблюдаться по изменению функции устройства. Эффект от этого изменения параметров может заключаться в ускорении или замедлении работы устройства. Это делает LADA подходящим методом для определения критических путей синхронизации в полупроводниковой цепи.[2]

Лазер по-разному влияет на NMOS и PMOS транзисторы. В случае NMOS транзистор включится. Однако для PMOS эффект заключается в понижении порогового напряжения транзистора. Влияние на транзистор PMOS становится пропорционально более сильным по мере увеличения мощности лазера. Эффект заключается в увеличении или уменьшении скорости тестируемого устройства.

Настройка для анализа LADA включает подключение устройства к тестовой стимуляции. Параметры испытания для рабочего напряжения и скорости устройства затем регулируются, чтобы перевести устройство в состояние, граничащее с переходом прошел-не прошел или не прошел-прошел. Полезно использовать тестер Сюжет шму выбрать подходящие условия эксплуатации. Эффект сканирования лазером чувствительных областей заключается в переводе устройства из состояния в состояние отказа или из состояния отказа в состояние прохождения.

Приложения

LADA полезна для подтверждения или опровержения существующей теории причины сбоя. Его можно использовать для подтверждения подозреваемого утечка транзистора или шум автобуса. Он также нашел широкое применение при локализации технологических дефектов, поскольку эффект LADA легко модулирует характеристики транзистора по тому же пути, что и технологический дефект.

LADA использовалась для анализа отказов в логика домино, состояние элементов в памяти и утечке.

Рекомендации

  1. ^ Роулетт, Дж; Эйлс, Т. (2003), "Критический временной анализ микропроцессоров с использованием изменения устройства с помощью лазера ближнего ИК-диапазона (LADA)", Труды Международной тестовой конференции 2003 г., Вашингтон, округ Колумбия: Международная тестовая конференция: 264–73, ISBN 0-7803-8106-8.
  2. ^ Kong, C.H; Кастро, Э. П. (2006 г.), «Применение LADA для проверки содержимого и диагностических инструментов после кремниевых испытаний», Материалы 32-го Международного симпозиума по испытаниям и анализу отказов, Парк материалов, Огайо: ASM International: 431–7, ISBN 0-87170-844-2.