WikiDer > Модуль памяти
В вычисление, а модуль памяти или же БАРАН (оперативная память) палка это печатная плата на котором объем памяти интегральные схемы установлены.[1] Модули памяти позволяют легко устанавливать и заменять электронные системы, особенно компьютеры, такие как персональные компьютеры, рабочие станции, и серверы. Первые модули памяти были проприетарными проектами, специфичными для модели компьютера от конкретного производителя. Позже модули памяти были стандартизированы такими организациями, как JEDEC и может использоваться в любой системе, предназначенной для их использования.
Типы модулей памяти включают:
- Модуль памяти TransFlash
- SIMM, одинарный встроенный модуль памяти
- DIMM, двухрядный модуль памяти
Отличительные характеристики модулей памяти компьютера включают напряжение, емкость, скорость (т. Е. битрейт), и фактор формыПо экономическим причинам большая (основная) память в персональных компьютерах, рабочих станциях и не портативных игровых консолях (таких как PlayStation и Xbox) обычно состоит из динамической RAM (DRAM). Другие части компьютера, например кэш-память обычно используют статическая RAM (SRAM). Небольшие объемы SRAM иногда используются в одном пакете с DRAM.[2] Однако, поскольку SRAM имеет высокую мощность утечки и низкую плотность, штампованный DRAM недавно использовался для проектирования кэшей процессоров размером в несколько мегабайт.[3]
Физически большая часть DRAM в упаковке из черной эпоксидной смолы.
Общие форматы DRAM
.jpg)
Динамическая память с произвольным доступом производится как интегральные схемы (ИС) связанный и установлен в пластиковый корпус с металлическими контактами для подключения к сигналам управления и шинам. На ранних этапах использования отдельные микросхемы DRAM обычно устанавливались либо непосредственно в материнская плата или на ЭТО карты расширения; позже они были собраны в многокристальные сменные модули (DIMM, SIMM и т. д.). Вот некоторые стандартные типы модулей:
- Чип DRAM (интегральная схема или ИС)
- Модули DRAM (памяти)
- Пакет с одинарным расположением выводов (SIPP)
- Одиночный встроенный модуль памяти (SIMM)
- Двухрядный модуль памяти (DIMM)
- Встроенный модуль памяти Rambus (RIMM), технически DIMM но называются RIMM из-за их проприетарного слота.
- Малый контур DIMM (SO-DIMM), которые примерно вдвое меньше обычных модулей DIMM, в основном используются в ноутбуках, небольших ПК (например, Mini-ITX материнские платы), обновляемые офисные принтеры и сетевое оборудование, такое как маршрутизаторы.
- Малый контур RIMM (SO-RIMM). Меньшая версия RIMM, используемая в ноутбуках. Технически SO-DIMM, но называется SO-RIMM из-за их проприетарного слота.
- Модули ОЗУ в стеке и без него
- Составные модули ОЗУ содержат две или более микросхемы ОЗУ, установленных друг на друга. Это позволяет изготавливать большие модули с использованием более дешевых пластин низкой плотности. Сложенные друг с другом чип-модули потребляют больше энергии и, как правило, нагреваются сильнее, чем модули без стека. Составные модули могут быть упакованы с использованием более старых TSOP или новее BGA стиль микросхем IC. Кремниевая матрица связана со старыми проводное соединение или новее TSV.
- Существует несколько предлагаемых подходов к стековой RAM с TSV и гораздо более широкими интерфейсами, включая Wide I / O, Wide I / O 2, Гибридный куб памяти и Память с высокой пропускной способностью.
Общие модули DRAM
Общие пакеты DRAM, как показано справа, сверху вниз (последние три типа отсутствуют на групповом изображении, а последний тип доступен на отдельном изображении):
- DIP 16-контактный (микросхема DRAM, обычно предварительнорежим быстрой страницы DRAM (FPRAM))
- SIPP 30-контактный (обычно FPRAM)
- SIMM 30-контактный (обычно FPRAM)
- SIMM 72-контактный (часто расширенные данные из DRAM (EDO DRAM), но FPRAM не редкость)
- DIMM 168-контактный (большинство SDRAM но некоторые были расширенные данные из DRAM (EDO DRAM))
- DIMM 184-контактный (DDR SDRAM)
- RIMM 184-контактный (RDRAM)
- DIMM 240-контактный (DDR2 SDRAM и DDR3 SDRAM)
- DIMM 288-контактный (DDR4 SDRAM)
Общие модули SO-DIMM DRAM:
- 72-контактный (32-разрядный)
- 144-контактный (64-разрядный) используется для SO-DIMM SDRAM
- 200-контактный (72-битный) используется для SO-DIMM DDR SDRAM и SO-DIMM DDR2 SDRAM
- 204-контактный (64-разрядный) используется для SO-DIMM DDR3 SDRAM
- 260-контактный используется для SO-DIMM DDR4 SDRAM
Размер памяти модуля DRAM
Точное количество байтов в модуле DRAM всегда представляет собой целую степень двойки.
A '512МБ'(как отмечено на модуле) SDRAM DIMM, на самом деле содержит 512МиБ (мебибайты)[4][5] (512 × 220 байты = 29 × 220 байта = 229 байтов = 536 870 912 байт точно), и может состоять из 8 или 9 чипов SDRAM: каждый чип содержит ровно 512Мибит (мебибит) хранилища, и каждый вносит 8 бит в 64- или 72-битную ширину DIMM.
Для сравнения, модуль SDRAM объемом 2 ГБ содержит 2ГиБ[4][5] (2 × 230 байты = 231 байтов = 2147483648 байтов памяти). Этот модуль обычно имеет 8 микросхем SDRAM по 256 МБ каждая.
Рекомендации
- ^ Брюс Джейкоб, Спенсер В. Нг, Дэвид Т. Ван (2008). Системы памяти: кэш, DRAM, диск. Издательство Морган Кауфманн. С. 417–418.
- ^ «3D-RAM и Cache DRAM от Mitsubishi включают высокопроизводительную встроенную кэш-память SRAM». Деловой провод. 21 июля 1998 г. Архивировано с оригинал 24 декабря 2008 г.
- ^ С. Миттал и др. "Обзор методов архитектуры кэшей DRAM", IEEE TPDS, 2015 г.
- ^ а б Префиксы IEC
- ^ а б двоичные префиксы