WikiDer > Ричард М. Осгуд мл.

Richard M. Osgood Jr.

Ричард Маги Осгуд младший (родился 28 декабря 1943 года в Канзас-Сити).[1] американский физик-прикладник (конденсированное вещество и химическая физика поверхностей, лазер технологии, нанооптика). В настоящее время он является профессором Хиггинса электротехники.[2] и прикладная физика[3] в Колумбийский университет.

Жизнь

Осгуд начал свою научную карьеру в 1966 году после окончания Военная академия США со степенью бакалавра в 1965 г. Он получил степень магистра в 1968 г. Государственный университет Огайо. В 1973 году окончил Массачусетский Институт Технологий Кандидат наук. по физике. С 1973 по 1981 год работал в научном коллективе Лаборатория Линкольна Массачусетского технологического института. В 1981 году он был назначен на факультет Колумбийского университета, а в 1988 году стал «профессором Хиггинса».[2] в Колумбийском университете. С 1984 по 1990 год он работал содиректором Колумбийской радиационной лаборатории.[4][5] и в 1986 году был основателем и до 1990 года директором Лаборатории микроэлектроники (MSL) в Колумбийском университете.[6]

В 1980 году он работал в «Специальной группе». Министерство энергетики США Комитет по лазерному разделению изотопов. С 1984 по 2001 год он был советником лазерного и лазерного и химического отделений Лос-Аламосская научная лаборатория.[7] В 1985-2002 гг. Входил в консультативный совет Агентства перспективных оборонных исследовательских проектов (г.DARPA Совет по исследованиям оборонных наук). С 2000 по 2002 год он занимал должность заместителя директора Брукхейвенская национальная лаборатория (Управление фундаментальных энергетических наук)[8] а в 2002 г. исполнял обязанности директора Нанонаучного центра. В течение этого периода Министерство энергетики согласилось построить Центр функциональных наноматериалов в Брукхейвене и был инициирован факультет материаловедения. В середине 80-х он был членом Консультативного совета по фундаментальным энергетическим наукам Министерства энергетики (DOE).

Он женат на Алисе (Дайсон) Осгуд и имеет троих детей: Ричарда М. III, физика, Натаниэля Д., ученого-информатика, и Дженнифер Сместад, поверенного. У него шестеро внуков.

Работа

Его исследования делятся на две большие области: 1. Конденсированное вещество и химическая физика исследования поверхностей; 2. Оптическая физика и устройства. Таким образом, его исследования включают обширные исследования в области фундаментальных исследований в области физики и химии поверхности с оптическим возбуждением и зондированием, разработки новых инфракрасных и УФ-лазеров, оптической физики, применения лазеров для обработки материалов.

Его основные исследования заключаются в следующем.

Он вместе с Уильямом Эпперсом разработал первый CO-лазер высокой мощности.[9][10] (а квантовый каскад газовый лазер), а также другие инфракрасные лазеры, включая первый мощный лазер 16 мкм для разделение изотопов. В 1979 году вместе с Дэниелом Эрлихом и Питером Моултоном он разработал УФ твердотельный лазер, затем твердотельный лазер с оптической накачкой и самой короткой длиной волны.[11]

Он, вместе с Али Джаваном, сделал первое прямое наблюдение колебательно-колебательной передачи энергии и обмена в галогениды водорода.[12][13][14] Позже он сделал первое прямое наблюдение (со Стивеном Брюком) колебательного потока энергии в молекулах в криогенных жидкостях в ходе исследований.[15][16] Заметным результатом этой работы стало наблюдение чрезвычайно большого (60 с) времени жизни N2[17] в криогенном состоянии.

В конце 1970-х он вместе с Томасом Ф. Дойчем и Дэниелом Дж. Эрлихом,[18][19][20][21] продемонстрирована химическая обработка поверхностей электронных материалов в субмикронном масштабе.[22] Эти эксперименты продемонстрировали осаждение металлов, травление полупроводников и легирование полупроводников. Один из этих методов - лазерное травление Si.[23] с микрометрическим разрешением с аргоно-ионный лазер, который нагревает поверхность и вызывает химические реакции в атмосфере газообразного хлора или хлористого водорода,[18] позже был коммерциализирован Revise, американской компанией по производству полупроводникового оборудования, основанной Дэниелом Эрлихом и Кеннетом Ниллом. Он и его сотрудники также разработали методы производства пространственно определенных тонких металлических пленок с помощью лазерного излучения. фотодиссоциация.[19][20][21]

Его работа по использованию лазерной микро- (и в тех же случаях нано-) химии для обработки электронных материалов привела к его исследованиям, посвященным фундаментальной физике и химии лазерной микрохимии, включая природу фотодиссоциации в адсорбированных пленках.[24][25] роль поверхностные плазмоны на поверхности фотохимия,[26][27] и роль электронно-дырочной парной химии и поверхности[24][28] взаимодействия в ориентировании поверхностных видов.

В 1998-2014 гг. Он и Мигель Леви разработали ионные методы «взрыва» для монокристаллических тонких пленок, например, ионную имплантацию He для создания (нарезка кристаллов ионами) нарезки пленок оксидов металлов (гранатов).[25][29] и сегнетоэлектрики). Было показано, что эти тонкие пленки граната полезны для оптические изоляторы.

В 2001 году он вместе с Майком Стилом разработал новые фотонно-кристаллические волокна (фотонно-кристаллические волокна, PCF) с эллиптической формой резонатора трубок.[30][31] и такие функции, как высокий двулучепреломление со стабильной одномодовой работой (нулевой ход).

В 2002 году он был пионером в разработке кремниевых фотонных проводов на кремнии на изоляторе для нового компактного пассивного, активного и нового оптического линейного устройства.[32] В этой ссылке описывается его работа в области нелинейной Si-фотоники с его учениками, Джерри Дадапом и Николаем Паною. Его группа провела начальные исследования линейной и нелинейной Si-нанопроволоки-фотоники, в том числе в 2001 г. Рамановское усиление (оптический усилитель) в технологии SOI (кремний на изоляторе, то есть кремниевые провода на изолирующей подложке с размерами в субмикронном диапазоне)[33] Кроме того, он разработал быстродействующий кремниевый термооптический переключатель и продемонстрировал четырехволновое смешение в волноводах с диодной накачкой.[34] В более поздних работах он вместе со студентами и коллегами из IBM Watson Lab продемонстрировал первый оптический параметрический генератор с высоким коэффициентом усиления, использующий волновод из кремниевой проволоки с оптической накачкой.[35] Это устройство работало выше порога двухфотонного поглощения и, таким образом, не пострадало от этого механизма нелинейных потерь.

Его исследования Si Wire волноводы, а также его более ранние работы над волноводными устройствами III-V, привели к серьезным усилиям по разработке более эффективного инструмента проектирования интегрированной оптики, который был широко доступен в то время.[36][37] Работа по компьютерному оптическому моделированию привела к основанию Робертом Скармоццино RSoft, крупной компании по интегрированному оптическому моделированию.

В 2005 году он вместе со Стивом Брюком, Николаем Паною, С. Чжаном и У. Фаном продемонстрировал первое наблюдение в ближнем инфракрасном диапазоне.[38][39] метаматериалы с отрицательным показателем преломления.

Его исследования световых взаимодействий с поверхностями и этими кристаллическими слоями привели к серии важных экспериментов, показывающих роль поверхностных диполей в ориентации молекул для анизотропной фото- и электронной фрагментации, а также важность покрытия в управлении механизмом фрагментации поверхностно связанных молекул в наличие УФ-излучения и, наконец (как упоминалось ранее), роль поверхностных плазмонов в усилении и локализации поверхностных фотореакций. Кроме того, его исследования с использованием двухфотонной фотоэмиссии с импульсными УФ-лазерами сыграли важную роль в ранних исследованиях состояний изображения на вицинальных монокристаллических металлических поверхностях.[40][41][42]Совсем недавно в сотрудничестве с Кевином Ноксом, Венканом Джином, По-чун Йе, Надером Заки и Джерри Дадапом он использовал жестко сфокусированную УФ-фотоэмиссию на основе системы SPE-LEEM для проведения первых фотоэмиссионных исследований расслоенных графен и отдельные образцы дихалогидов переходных металлов и влияние гофрирования поверхности и количества слоев на электронную структуру образца.[43][44][45][46]

По состоянию на 11 ноября 2015 г. публикации Осгуда цитировались 13 696 раз, и он имеет индекс Хирша из 65.[47]

Награды

Находясь в Массачусетском технологическом институте, он был удостоен докторской стипендии Фонда Герца.[48] В 1989 году он был удостоен стипендии Джона Саймона Гуггенхайма.[49] для исследований в области взаимодействия света с поверхностью.

В 1969 году он получил премию Самуэля Бурка.[50] Лаборатории авионики США[51] и приз RW Wood 1991 года.[52] Он член Оптическое общество,[53] в IEEE[54] и Американское физическое общество (APS).[55]

С 1991 по 1993 год он был Заслуженным передвижным лектором APS, с 1986 по 1987 год - в IEEE CLEO, а также был пленарным спикером в OITDA (Японская ассоциация развития оптоэлектронной промышленности и технологий).

С 1981 по 1988 год он был младшим редактором журнала IEEE Journal of Quantum Electronics и в настоящее время входит в состав редакционного совета Springer Series in Materials Science.

Рекомендации

  1. ^ данные о людях американских ученых-мужчин и женщин, Томсон Гейл, 2004 г.
  2. ^ а б Ричард М. Осгуд мл. на ee.columbia.edu
  3. ^ Ричард М. Осгуд младший на apam.columbia.edu
  4. ^ https://www.bnl.gov/bnlweb/pubaf/pr/2000/bnlpr071200.html
  5. ^ http://apam.columbia.edu/osgood-appasted-radiation-lab-co-director
  6. ^ http://apam.columbia.edu/osgood-group-hot-bed-research
  7. ^ Как избежать сюрпризов в эпоху глобального технологического прогресса. Июль 2005 г. ISBN 9780309096058.
  8. ^ Ричард Осгуд-младший назначен главой Brookhaven Lab1s Basic Energy Sciences на bnl.gov, 12 июля 2000 г.
  9. ^ Osgood, R.M .; Эпперс, У. К. (1968-12-15). "High Power CO – N2–He Laser ». Письма по прикладной физике. Издательство AIP. 13 (12): 409–411. Дои:10.1063/1.1652494. ISSN 0003-6951.
  10. ^ Osgood, R .; Eppers, W .; Николс, Э. (1970). «Исследование мощного СО-лазера». Журнал IEEE по квантовой электронике. Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике (IEEE). 6 (3): 145–154. Дои:10.1109 / jqe.1970.1076425. ISSN 0018-9197.
  11. ^ Эрлих, Д. Дж .; Moulton, P.F .; Осгуд, Р. М. (1979-06-01). «Ультрафиолетовый твердотельный Ce: YLF-лазер на 325 нм». Письма об оптике. Оптическое общество. 4 (6): 184–6. Дои:10.1364 / ol.4.000184. ISSN 0146-9592. PMID 19687843.
  12. ^ Osgood, R.M .; Javan, A .; Сакетт, П. Б. (1972-06-15). «Измерение времени передачи энергии вибрации-вибрации в HF-газе». Письма по прикладной физике. Издательство AIP. 20 (12): 469–472. Дои:10.1063/1.1654020. ISSN 0003-6951.
  13. ^ Эрнст, К .; Osgood, R.M .; Javan, A .; Сакетт, П. (1973). «Измерение времени колебательно-вирбрационного обмена (v = 2) для газа DF». Письма по химической физике. Elsevier BV. 23 (4): 553–556. Дои:10.1016 / 0009-2614 (73) 89027-х. ISSN 0009-2614.
  14. ^ Osgood, R.M .; Sackett, P. B .; Джаван, А. (1974-02-15). «Измерение скоростей колебательно-колебательного обмена для возбужденных колебательных уровней (2≤v≤4) в газообразном фтористом водороде». Журнал химической физики. Издательство AIP. 60 (4): 1464–1480. Дои:10.1063/1.1681220. ISSN 0021-9606.
  15. ^ Brueck, S.R.J .; Deutsch, T.F .; Осгуд, Р. (1977). «Энергетическая релаксация колебаний СН3F растворяется в жидком O2 и Ар ». Письма по химической физике. Elsevier BV. 51 (2): 339–343. Дои:10.1016/0009-2614(77)80416-8. ISSN 0009-2614.
  16. ^ Brueck, S.R.J .; Осгуд, Р. М. (1978). «Релаксация и обмен колебательной энергии в жидкости N2–CO – OCS смеси ». Журнал химической физики. Издательство AIP. 68 (11): 4941–4949. Дои:10.1063/1.435652. ISSN 0021-9606.
  17. ^ Brueck, S.R.J .; Осгуд, Р. (1976). «Релаксация энергии колебаний в жидкости N2-CO смеси ». Письма по химической физике. Elsevier BV. 39 (3): 568–572. Дои:10.1016/0009-2614(76)80331-4. ISSN 0009-2614.
  18. ^ а б Эрлих, Д. Дж .; Osgood, R.M .; Дойч, Т. Ф. (1981-06-15). «Лазерно-химический метод быстрой прямой записи рельефа поверхности кремния». Письма по прикладной физике. Издательство AIP. 38 (12): 1018–1020. Дои:10.1063/1.92228. ISSN 0003-6951.
  19. ^ а б Эрлих, Д .; Osgood, R .; Дойч, Т. (1980). «Лазерная микрофотохимия для использования в твердотельной электронике». Журнал IEEE по квантовой электронике. Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике (IEEE). 16 (11): 1233–1243. Дои:10.1109 / jqe.1980.1070386. ISSN 0018-9197.
  20. ^ а б Deutsch, T. F .; Эрлих, Д. Дж .; Осгуд, Р. М. (1979-07-15). «Лазерное фотоосаждение металлических пленок с микроскопическими особенностями». Письма по прикладной физике. Издательство AIP. 35 (2): 175–177. Дои:10.1063/1.91026. ISSN 0003-6951.
  21. ^ а б Эрлих, Д. Дж .; Osgood, R.M .; Дойч, Т. Ф. (1982). «Фотоосаждение металлических пленок ультрафиолетовым лазерным излучением». Журнал вакуумной науки и техники. Американское вакуумное общество. 21 (1): 23–32. Дои:10.1116/1.571724. ISSN 0022-5355.
  22. ^ К. Иббс, Р. М. Осгуд-младший, ред., Лазерная химическая обработка в микроэлектронике (Кембридж, 1988)
  23. ^ Эрлих, Д. Дж .; Osgood, R.M .; Дойч, Т. Ф. (1981-06-15). «Лазерно-химический метод быстрой прямой записи рельефа поверхности кремния». Письма по прикладной физике. Издательство AIP. 38 (12): 1018–1020. Дои:10.1063/1.92228. ISSN 0003-6951.
  24. ^ а б Камиллон, Николай; Хан, Халид А .; Ярмофф, Джори А .; Осгуд, Ричард М. (2001-07-11). "Динамика фотофрагментации адсорбата с переключением поверхности". Письма с физическими проверками. Американское физическое общество (APS). 87 (5): 056101. Дои:10.1103 / Physrevlett.87.056101. ISSN 0031-9007. PMID 11497789.
  25. ^ а б Леви, М .; Osgood, R.M .; Кумар, А .; Бахру, Х. (1997-11-03). «Эпитаксиальный отрыв тонких оксидных слоев: железо-иттриевые гранаты на GaAs». Письма по прикладной физике. Издательство AIP. 71 (18): 2617–2619. Дои:10.1063/1.120192. ISSN 0003-6951.
  26. ^ Osgood, R.M .; Эрлих, Д. Дж. (1 августа 1982 г.). «Оптически индуцированные микроструктуры в лазерно-фотоосажденных металлических пленках». Письма об оптике. Оптическое общество. 7 (8): 385–7. Дои:10.1364 / ol.7.000385. ISSN 0146-9592. PMID 19714030.
  27. ^ Chen, C.J .; Осгуд, Р. М. (1983-05-23). «Прямое наблюдение поверхностных фотохимических реакций, усиленных локальным полем». Письма с физическими проверками. Американское физическое общество (APS). 50 (21): 1705–1708. Дои:10.1103 / Physrevlett.50.1705. ISSN 0031-9007.
  28. ^ Yang, Q. Y .; Schwarz, W. N .; Ласки, П. Дж .; Hood, S.C .; Loo, N. L .; Осгуд, Р. М. (1994-05-09). «Сильно анизотропная угловая зависимость CH3 фрагментация от реакций переноса электрона на CH3Br / GaAs (110) ". Письма с физическими проверками. Американское физическое общество (APS). 72 (19): 3068–3071. Дои:10.1103 / Physrevlett.72.3068. ISSN 0031-9007. PMID 10056059.
  29. ^ Леви, М .; Osgood, R.M .; Liu, R .; Cross, L.E .; Cargill, G.S .; Кумар, А .; Бахру, Х. (1998-10-19). «Изготовление монокристаллических пленок ниобата лития методом кристалло-ионной резки». Письма по прикладной физике. Издательство AIP. 73 (16): 2293–2295. Дои:10.1063/1.121801. ISSN 0003-6951.
  30. ^ Steel, M. J .; Осгуд, Р. М. (15 февраля 2001 г.). «Фотонно-кристаллические световоды с эллиптическими отверстиями». Письма об оптике. Оптическое общество. 26 (4): 229–31. Дои:10.1364 / ol.26.000229. ISSN 0146-9592. PMID 18033556.
  31. ^ Steel, M.J .; Осгуд, Р. (2001). «Поляризационные и дисперсионные свойства фотонно-кристаллических световодов с эллиптическими отверстиями». Журнал технологии световых волн. Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике (IEEE). 19 (4): 495–503. Дои:10.1109/50.920847. ISSN 0733-8724.
  32. ^ Osgood, Jr., R.M .; Panoiu, N.C .; Dadap, J. I .; Лю, Сяопин; Чен, Сяоган; Се, Ай-Вэй; Dulkeith, E .; Green, W. M .; Власов Ю.А. (01.01.2009). «Инженерные нелинейности в наноразмерных оптических системах: физика и приложения в кремниевых нанофотонных проволоках с дисперсионной инженерией». Достижения в оптике и фотонике. Оптическое общество. 1 (1): 162–235. Дои:10.1364 / aop.1.000162. ISSN 1943-8206.
  33. ^ Эспинола, Ричард Л .; Дадап, Джерри I .; Осгуд, младший, Ричард М .; Макнаб, Шари Дж .; Власов, Юрий А. (2004). "Рамановское усиление в сверхмалых волноводах на основе кремний-на-изоляторе". Оптика Экспресс. Оптическое общество. 12 (16): 3713–8. Дои:10.1364 / opex.12.003713. ISSN 1094-4087. PMID 19483903.
  34. ^ Espinola, R.L .; Tsai, M.C .; Yardley, J.T .; Осгуд, Р. (2003). «Быстрый и маломощный термооптический выключатель на тонком кремнии на изоляторе». Письма IEEE Photonics Technology. Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике (IEEE). 15 (10): 1366–1368. Дои:10.1109 / lpt.2003.818246. ISSN 1041-1135. S2CID 43914613.
  35. ^ Лю, Сяопин; Осгуд, Ричард М .; Власов, Юрий А .; Грин, Уильям М. Дж. (23 мая 2010 г.). «Оптический параметрический усилитель среднего инфракрасного диапазона с использованием кремниевых нанофотонных волноводов». Природа Фотоника. ООО "Спрингер Сайенс энд Бизнес Медиа". 4 (8): 557–560. arXiv:1001.1533. Дои:10.1038 / nphoton.2010.119. ISSN 1749-4885. S2CID 119267295.
  36. ^ Scarmozzino, R .; Осгуд, Р. М. (1991-05-01). «Сравнение конечно-разностных решений и решений преобразования Фурье параболического волнового уравнения с акцентом на приложениях интегральной оптики». Журнал Оптического общества Америки A. Оптическое общество. 8 (5): 724. Дои:10.1364 / josaa.8.000724. ISSN 1084-7529.
  37. ^ Ilic, I .; Scarmozzino, R .; Осгуд, Р. (1996). «Исследование метода широкоугольного распространения луча на основе аппроксиманта Паде для точного моделирования волноводных цепей». Журнал технологии световых волн. Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике (IEEE). 14 (12): 2813–2822. Дои:10.1109/50.545802. ISSN 0733-8724.
  38. ^ Чжан, Шуанг; Фан, Вэньцзюнь; Panoiu, N.C .; Malloy, K.J .; Osgood, R.M .; Брюк, С. Р. Дж. (23 сентября 2005 г.). "Экспериментальная демонстрация метаматериалов ближнего инфракрасного диапазона с отрицательным индексом" (PDF). Письма с физическими проверками. Американское физическое общество (APS). 95 (13): 137404. Дои:10.1103 / Physrevlett.95.137404. ISSN 0031-9007. PMID 16197179. S2CID 15246675.
  39. ^ Чжан, Шуанг; Фан, Вэньцзюнь; Malloy, K.J .; Брюк, С. J .; Panoiu, N.C .; Осгуд, Р. М. (2005). «Двойные отрицательные метаматериалы ближнего инфракрасного диапазона». Оптика Экспресс. Оптическое общество. 13 (13): 4922–30. Дои:10.1364 / opex.13.004922. ISSN 1094-4087. PMID 19498480.
  40. ^ Смадичи, Сербан; Мокута, Дэн; Осгуд, Ричард М. (29 января 2004 г.). «Боковое движение электронов состояния изображения для областей адсорбата металла на ступенчатых металлических подложках». Физический обзор B. Американское физическое общество (APS). 69 (3): 035415. Дои:10.1103 / Physrevb.69.035415. ISSN 1098-0121.
  41. ^ Смадичи, Сербан; Осгуд, Ричард М. (19 апреля 2005 г.). «Рассеяние электронов в состоянии изображения на плоских металлических поверхностях Ag ∕ Pt (111) и ступенчатых Ag ∕ Pt (997)». Физический обзор B. Американское физическое общество (APS). 71 (16): 165424. Дои:10.1103 / Physrevb.71.165424. ISSN 1098-0121.
  42. ^ Р. М. Осгуд-младший и X. Ван, «Состояния изображения на монокристаллических металлических поверхностях». Глава по физике твердого тела, Х. Эренрайх и Ф. Спепен, ред. (Academic Press, 1998)
  43. ^ Джин, Венкан; Ага, По-Чун; Заки, Надер; Чжан, Датун; Садовский, Ежи Т .; Аль-Махбуб, Абдулла; van der Zande, Arend M .; Chenet, Daniel A .; Дадап, Джерри I .; Herman, Irving P .; Саттер, Питер; Хон, Джеймс; Осгуд, Ричард М. (2013-09-03). «Прямое измерение электронной зонной структуры MoS, зависящей от толщины.2 Использование фотоэмиссионной спектроскопии с угловым разрешением ». Письма с физическими проверками. Американское физическое общество (APS). 111 (10): 106801. Дои:10.1103 / Physrevlett.111.106801. ISSN 0031-9007. PMID 25166690.
  44. ^ Нокс, Кевин Р .; Локателли, Андреа; Yilmaz, Mehmet B .; Цветко, декан; Ментеш, Тевфик Онур; Ниньо, Мигель Анхель; Ким, Филипп; Морганте, Альберто; Осгуд, Ричард М. (01.09.2011). «Проведение фотоэмиссионных измерений с угловым разрешением на гофрированных монослойных кристаллах: подвешенный расслоенный монокристаллический графен». Физический обзор B. Американское физическое общество (APS). 84 (11): 115401. arXiv:1104.2551. Дои:10.1103 / Physrevb.84.115401. ISSN 1098-0121. S2CID 18423887.
  45. ^ Нокс, Кевин Р .; Ван, Шанцай; Морганте, Альберто; Цветко, декан; Локателли, Андреа; Ментес, Тевфик Онур; Ниньо, Мигель Анхель; Ким, Филипп; Осгуд, Р. М. (25 ноября 2008 г.). «Спектромикроскопия однослойного и многослойного графена на слабовзаимодействующей подложке». Физический обзор B. Американское физическое общество (APS). 78 (20): 201408 (R). arXiv:0806.0355. Дои:10.1103 / Physrevb.78.201408. ISSN 1098-0121. S2CID 18295814.
  46. ^ Ага, По-Чун; Джин, Венкан; Заки, Надер; Чжан, Датун; Садовский, Ежи Т .; Аль-Махбуб, Абдулла; van der Zande, Arend M .; Chenet, Daniel A .; Дадап, Джерри I .; Herman, Irving P .; Саттер, Питер; Хон, Джеймс; Осгуд, Ричард М. (4 апреля 2014 г.). «Зондирование структуры поверхности однослойного и многослойного MoS, зависящей от подложки.2 методами низкоэнергетической электронной микроскопии и микрозондовой дифракции ». Физический обзор B. Американское физическое общество (APS). 89 (15): 155408. Дои:10.1103 / Physrevb.89.155408. ISSN 1098-0121.
  47. ^ "Ричард Осгуд-младший - цитирование ученых Google". scholar.google.com. Получено 2015-11-12.
  48. ^ http://hertzfoundation.org/dx/fellows/fellows.aspx
  49. ^ http://www.gf.org/fellows/all-fellows/richard-m-osgood-jr/
  50. ^ Даути, Роберт А. (18 декабря 2014 г.). Сила и драйв: класс в Вест-Пойнте 1965 года. ISBN 9781496957313.
  51. ^ Роберт А. Даути: сила и драйв. Класс Вест-Пойнт 1965 года. 2014 г., ISBN 978-1-4969-5732-0, п. 260
  52. ^ Премия Р. В. Вуда на osa.org
  53. ^ Стипендиаты профессионального общества на ll.mit.edu
  54. ^ Справочник участников IEEE. 1995, п. 262
  55. ^ Стипендия APS на aps.org

внешняя ссылка