WikiDer > Формирующие процессы при росте кристаллов

Shaping processes in crystal growth
Кристаллизация
Процесс-кристаллизации-200px.png
Основы
Кристалл · Кристальная структура · Зарождение
Концепции
Кристаллизация · Рост кристаллов
Перекристаллизация · Семенной кристалл
Протокристаллический · Монокристалл
Методы и технологии
Буль
Метод Бриджмена – Стокбаргера
Процесс хрустального стержня
Метод Чохральского
Эпитаксия · Метод флюса
Фракционная кристаллизация
Фракционное замораживание
Гидротермальный синтез
Киропулос метод
Рост пьедестала с лазерным нагревом
Микро-вытягивание вниз
Формирующие процессы при росте кристаллов
Тигель черепа
Метод Вернейля
Зона плавления

Формирующие процессы при росте кристаллов представляют собой набор методов для наращивания массы кристаллы определенной формы из расплава, обычно путем ограничения формы жидкости мениск с помощью механического формирователя. Кристаллы обычно выращивают в виде волокон, твердых цилиндров, полых цилиндров (или трубок) и листов (или пластин). Выпускались и более сложные формы, такие как трубы со сложным поперечным сечением и купола.[1] Используя процесс формования, можно получить почти чистая форма кристалл и снизить стоимость производства кристаллов, которые состоят из очень дорогих или труднообрабатываемых материалов.

Список процессов формирования

Рост по краю с подачей пленки

Рост по краю с подачей пленки или же EFG был разработан для сапфир рост в конце 1960-х Гарольдом Лабеллем и А. Млавски в Tyco Industries.[2]Формовщик (также называемый штампом), имеющий размеры, приблизительно равные выращиваемому кристаллу, располагается над поверхностью расплава, содержащегося в тигель. Капиллярное действие подает жидкий материал в щель в центре формирователя. Когда затравочный кристалл прикасается к пленке жидкости и поднимается вверх, монокристалл формы на интерфейс между твердым семенем и жидкой пленкой. Продолжая вытягивать затравку вверх, кристалл расширяется, поскольку между кристаллом и верхней поверхностью формирователя образуется жидкая пленка. Когда пленка достигает краев формирователя, окончательная форма кристаллов совпадает с формой формирователя.

Точные размеры кристалла будут отличаться от размеров формирователя, потому что каждый материал имеет характерные особенности. угол роста, угол, образованный на тройной границе раздела твердого кристалла, жидкой пленки и атмосферы.[3] Из-за угла роста изменение высоты мениска (т. Е. Толщины жидкой пленки) изменит размеры кристалла. На высоту мениска влияют скорость вытягивания и скорость кристаллизации. Скорость кристаллизации зависит от градиента температуры над формирователем, который определяется конфигурацией горячей зоны роста кристалла. печь, а мощность наносится на нагревательные элементы во время роста. Разница в тепловое расширение Коэффициенты между материалом формирователя и материалом кристалла также могут вызывать заметные различия в размерах между формирователем и кристаллом при комнатной температуре для кристаллов, выращенных при высоких температурах.

Формирующий материал не должен вступать в реакцию ни с расплавом, ни с ростовой атмосферой, и должен быть смачивать расплавлением.[4]

Можно вырастить несколько кристаллов из одного тигля с использованием техники EFG, например, путем выращивания множества параллельных листов.

Приложения

Сапфир: EFG используется для выращивания больших пластин сапфир, в первую очередь для использования в качестве надежных инфракрасный окна для защита и другие приложения. Выпускаются окна толщиной около 7 мм, шириной 300 мм и длиной 500 мм.[5] Формовщик обычно изготавливается из молибден.

Кремний: EFG использовался в 2000-х годах Schott Solar производить кремний листы для солнечная фотоэлектрическая панели, вытягивая тонкостенный (~ 250-300 мкм) восьмиугольник со стороной 12,5 см и диаметром около 38 см, длиной около 5-6 м.[6] Формовщик обычно изготавливается из графит.

Другие оксиды: Многие оксиды с высокой температурой плавления были выращены EFG, в том числе Ga2О3, LiNbO3, и Nd3+: (ЛуИксБ-г1-х)3Ga5О12 (Nd: LGGG).[7]Часто иридий формирователь.

Горизонтальный рост ленты

Горизонтальный рост ленты или же HRG это метод, разработанный для кремний при котором тонкий кристаллический лист вытягивается горизонтально из верхней части тигля. Уровень расплава необходимо постоянно пополнять, чтобы поверхность расплава оставалась на той же высоте, что и край тигля, из которого вытягивается лист. Путем продувки охлаждающего газа на поверхность растущего листа можно достичь очень высоких скоростей роста (> 400 мм / мин).[8] Метод основан на том, что твердый кристалл плавает на поверхности расплава, что работает, потому что твердый кремний менее плотен, чем жидкий кремний.

Микро-вытягивание вниз

Основная статья: Микро-вытягивание вниз

В микровытягивание вниз или же µ-PD В этой технике используется небольшое круглое отверстие в дне тигля для вытягивания кристаллического волокна вниз. С помощью этого метода были выращены сотни различных кристаллических материалов.

Вариант под названием кулон рост капли или же PDG использует прорезь в дне тигля для получения кристаллических листов аналогичным образом.[3]

Степановская техника

В Степановская техника был разработан А.В. Степанов в Советском Союзе после 1950 года.[1] Метод заключается в вытягивании кристалла вертикально через формирователь, расположенный на поверхности расплава. Формирователь не обязательно питается через капиллярный канал, как в EFG.[9] Формовочный материал может быть смоченный или не смачивается расплавом, в отличие от EFG, где формирующий материал смачивается.[4] Этот метод использовался для выращивания кристаллов металлов, полупроводников и оксидов.

Чохральский рост с использованием плавающего формирователя, известного как «коракул», был проведен для некоторых Полупроводники III-V до разработки современных систем контроля диаметра.[10]

Струнная лента

Основная статья: Струнная лента

В струнная лента метод, также известный как дендритная паутина или же тяга с опорой на края, был использован для выращивания полупроводниковых листов, в том числе антимонид индия, арсенид галлия, германий, и кремний.[11]Затравочный кристалл, ширина и толщина которого соответствуют выращиваемому листу, погружают в верхнюю поверхность расплава. Нити из подходящего материала прикрепляются к вертикальным краям семян и проходят через отверстия в дне тигля до катушки. Когда семя поднимается, струна непрерывно пропускается через расплав, и между семенами, струнами и расплавом образуется жидкая пленка. Пленка кристаллизуется до семян, образуя лист или ленту.

Рекомендации

  1. ^ а б Добровинская, Елена Р., Леонид А. Литвинов и Валериан Пищик. Сапфир: материал, изготовление, применение. Springer Science & Business Media, 2009. ISBN 0387856943
  2. ^ Робишо, Джозеф Л .; Харрис, Дэниел С .; Гудман, Уильям А. (2009). «Век роста сапфирового кристалла: истоки метода EFG». Технологии оптических материалов и конструкций IV. 7425. С. 74250 С. Дои:10.1117/12.824452. ISSN 0277-786X.
  3. ^ а б Даффар, Тьерри (2015). «Капиллярность и стабильность формы при росте кристаллов из расплава». У Рудольфа, Питера (ред.). Справочник по выращиванию кристаллов Vol. МИБ (2-е изд.). Elsevier B.V., с. 758–789. Дои:10.1016 / B978-0-444-63303-3.00019-5. ISBN 9780444633033.
  4. ^ а б Сурек, Т .; Coriell, S.R .; Чалмерс, Б. (1980). «Рост фигурных кристаллов из расплава». Журнал роста кристаллов. 50 (1): 21–32. Дои:10.1016/0022-0248(80)90227-4. ISSN 0022-0248.
  5. ^ «КЛАСС Сапфировые листы». Сен-Гобен. Получено 25 января 2018.
  6. ^ Макинтош, В; Зейдл, А; Уэллетт, М; Бати, Б; Йейтс, Д; Келейс, Дж (25 января 2006 г.). «Выращивание больших полых трубок из кристаллов кремния методом выращивания с подачей пленки по краям (EFG)». Журнал роста кристаллов. 287 (2): 428–432. Дои:10.1016 / j.jcrysgro.2005.11.058.
  7. ^ Му, Вэньсян; Цзя, Чжитай; Инь, Янру; Ху, Цянцян; Ли, Ян; Тао, Сюйтан (2017). «Рост однородных монокристаллических пластин Nd: LGGG с помощью метода роста с подачей пленки с заданной кромкой». Журнал роста кристаллов. 478: 17–21. Дои:10.1016 / j.jcrysgro.2017.08.007. ISSN 0022-0248.
  8. ^ Кудо, Б. (1980). «Улучшения в технологии горизонтального роста ленты для монокристаллического кремния». Журнал роста кристаллов. 50 (1): 247–259. Дои:10.1016/0022-0248(80)90248-1.
  9. ^ Татарченко, Виталий (2010). "Формованный рост кристаллов: Краткая история TPS". В Дханарадже, Говиндхане; и другие. (ред.). Справочник Springer по выращиванию кристаллов. Springer. С. 537–541.
  10. ^ Винклер, Ян; Нойберт, Майкл (2015). «Автоматизация выращивания кристаллов из расплава». У Рудольфа, Питера (ред.). Справочник по выращиванию кристаллов (2-е изд.). Elsevier B.V. p. 1153. Дои:10.1016 / B978-0-444-63303-3.00028-6. ISBN 9780444633033.
  11. ^ Seidensticker, R.G .; Хопкинс, Р.Х. (1980). «Рост кремниевой ленты за счет процесса дендритной сети». Журнал роста кристаллов. 50 (1): 221–235. Дои:10.1016/0022-0248(80)90246-8. ISSN 0022-0248.