WikiDer > Экстремальный ультрафиолет

Extreme ultraviolet
Составное изображение Солнца в крайнем ультрафиолетовом диапазоне (красный: 21,1 нм, зеленый: 19,3 нм, синий: 17,1 нм), полученное Обсерватория солнечной динамики 1 августа 2010 г. Солнечная вспышка и выброс корональной массы
Крайний ультрафиолетовый свет 13,5 нм используется в коммерческих целях для фотолитография как часть производство полупроводников процесс. На этом изображении показан ранний экспериментальный инструмент.

Экстремальный ультрафиолет радиация (EUV или же XUV) или высокий-энергия ультрафиолетовый радиация электромагнитное излучение в части электромагнитный спектр охватывающий длины волн от 124нм вплоть до 10 нм, а значит (на Уравнение Планка – Эйнштейна.) имея фотоны с энергиями от 10эВ до 124 эВ (соответствует 124–10 нм соответственно). EUV естественно генерируется солнечная корона и искусственно плазма и синхротронный свет источники. С UVC простирается до 100 нм, есть некоторые совпадения в терминах.

Основное применение крайнего ультрафиолетового излучения: фотоэлектронная спектроскопия, солнечная съемка, и литография. В воздуха, EUV - самый высокий поглощен компонент электромагнитного спектра, требующий высокий вакуум для передачи.

Поколение EUV

Нейтральные атомы или конденсированное вещество не может испускать EUV-излучение. Ионизация должен иметь место в первую очередь. EUV-свет может испускаться только электронами, которые связаны с многозарядными положительными ионами; например, чтобы удалить электрон из +3 заряженного иона углерода (три электрона уже удалены) требуется около 65 эВ.[1] Такие электроны связаны более тесно, чем обычно. валентные электроны. Существование многозарядных положительных ионов возможно только в горячем плотном плазма. В качестве альтернативы, свободные электроны и ионы могут генерироваться временно и мгновенно интенсивным электрическое поле из очень высокая гармоника лазерный луч. Электроны ускоряются по мере того, как они возвращаются к родительскому иону, высвобождая фотоны с более высокой энергией при меньшей интенсивности, которая может быть в диапазоне EUV. Если выпущенные фотоны составляют ионизирующего излучения, они также будут ионизировать атомы гармонический-генерирующая среда, истощающая источники генерации высших гармоник. Освобожденные электроны ускользают, поскольку электрическое поле EUV-света недостаточно интенсивно, чтобы заставить электроны переходить на более высокие гармоники, а родительские ионы уже не так легко ионизируются, как первоначально нейтральные атомы. Следовательно, процессы генерации EUV и поглощения (ионизации) сильно конкурируют друг с другом.

Однако в 2011 году Shambhu Ghimire et al. впервые наблюдалась генерация высоких гармоник в объемном кристалле ZnO. Интересно вложить в возможность и механизм ГВГ в твердом состоянии. EUV-излучение может испускаться в SiO2 или Сапфир.

Генерация EUV с прямой настройкой

EUV свет может также испускаться свободными электронами, вращающимися вокруг синхротрон.

Постоянно настраиваемый узкополосный EUV свет может быть генерируется четырехволновым смешением в газовых камерах криптон и водород до длин волн 110 нм.[2] В газовых камерах без окон фиксированное четырехволновое смешение наблюдается на глубине до 75 нм.

Поглощение EUV веществом

Когда фотон EUV поглощается, фотоэлектроны и вторичные электроны генерируются ионизация, очень похоже на то, что происходит, когда Рентгеновские лучи или электронные лучи поглощаются веществом.[3]

Реакцию вещества на EUV-излучение можно описать следующими уравнениями: Точка впитывания: Энергия фотона EUV = 92 эВ = энергия связи электрона + начальная кинетическая энергия фотоэлектрона; в пределах 3 длина свободного пробега фотоэлектрона (1–2 нм): уменьшение кинетической энергии фотоэлектронов = потенциал ионизации + кинетическая энергия вторичных электронов; в пределах 3 длин свободного пробега вторичного электрона (~ 30 нм): 1) уменьшение кинетической энергии вторичных электронов = потенциал ионизации + кинетическая энергия третичных электронов, 2) электрон mN-го поколения, помимо ионизации, замедляется нагреванием (фонон генерации), 3) кинетическая энергия электронов конечной генерации ~ 0 эВ => диссоциативное прилипание электронов + тепло, где потенциал ионизации обычно составляет 7–9 эВ для органических материалов и 4–5 эВ для металлов. Фотоэлектрон впоследствии вызывает эмиссию вторичных электронов в процессе ударная ионизация. Иногда Оже переход также возможно, что приводит к испусканию двух электронов с поглощением одного фотона.

Строго говоря, фотоэлектроны, оже-электроны и вторичные электроны сопровождаются положительно заряженными дырками (ионами, которые можно нейтрализовать, оттягивая электроны от соседних молекул), чтобы сохранить зарядовую нейтральность. Электронно-дырочную пару часто называют экситон. Для высокоэнергетических электронов расстояние между электронами и дырками может быть довольно большим, а энергия связи, соответственно, низкой, но при более низкой энергии электрон и дырка могут быть ближе друг к другу. Сам экситон диффундирует на довольно большое расстояние (> 10 нм).[4]Как следует из названия, экситон - это возбужденное состояние; только когда он исчезает, когда электрон и дырка рекомбинируют, могут образовываться стабильные продукты химической реакции.

Поскольку глубина поглощения фотонов превышает глубину выхода электронов, по мере замедления высвобождаемых электронов они в конечном итоге рассеивают свою энергию в виде тепла. EUV длины волн поглощаются намного сильнее, чем длинноволновые, поскольку соответствующие им энергии фотонов превышают запрещенные зоны всех материалов. Следовательно, их эффективность нагрева значительно выше и характеризуется более низкими порогами термической абляции в диэлектрических материалах.[5]

Солнечные минимумы / максимумы

Некоторые длины волн EUV различаются на 2 порядка.[6][неудачная проверка] между солнечные минимумы и максимумы, и поэтому может способствовать климатические изменения, особенно охлаждение атмосферы во время солнечный минимум.

EUV повреждение

Как и другие формы ионизирующего излучения, EUV и электроны, прямо или косвенно выделяемые EUV-излучением, являются вероятным источником повреждение устройства. Повреждение может возникнуть в результате десорбции оксида[7] или захваченный заряд после ионизации.[8] Повреждение может также произойти из-за неопределенного положительного заряда Солодовый эффект. Если свободные электроны не могут вернуться, чтобы нейтрализовать чистый положительный заряд, происходит десорбция положительных ионов.[9] это единственный способ восстановить нейтралитет. Тем не мение, десорбция по существу означает, что поверхность деградирует во время экспонирования, и, кроме того, десорбированные атомы загрязняют любую открытую оптику. Повреждение EUV уже было задокументировано при радиационном старении ПЗС телескопа с экстремальным ультрафиолетовым излучением (EIT).[10]

Радиационное повреждение - хорошо известная проблема, которая изучалась в процессе плазменной обработки повреждений. Недавнее исследование синхротрона Университета Висконсина показало, что длины волн ниже 200 нм способны измерять заряд поверхности.[11] EUV-излучение показало положительный заряд в сантиметрах за границами воздействия при ВУФ (Вакуумное ультрафиолетовое излучение) показало положительный заряд в пределах облучения.

Исследования с использованием фемтосекундных импульсов EUV на лазере на свободных электронах в Гамбурге (ВСПЫШКА) указывает на пороги повреждения, вызванного термическим плавлением, ниже 100 мДж / см2.[12]

Более раннее исследование[13] показали, что электроны, произведенные «мягким» ионизирующим излучением, все еще могут проникать на ~ 100 нм ниже поверхности, что приводит к нагреву.

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ «Периодическая таблица элементов от WebElements». www.webelements.com.
  2. ^ Штраус, CEM; Функ, диджей (1991). «Широко настраиваемая генерация ВУФ-излучения с использованием двухфотонных резонансов в H2 и Kr». Письма об оптике. 16 (15): 1192–4. Bibcode:1991OptL ... 16.1192S. Дои:10.1364 / ол.16.001192. PMID 19776917.
  3. ^ Henke, Burton L .; Smith, Jerel A .; Аттвуд, Дэвид Т. (1977). «Рентгеновское излучение твердых тел с энергией 0,1–10 кэВ - модели и измерения вторичных электронов». Журнал прикладной физики. Издательство AIP. 48 (5): 1852–1866. Bibcode:1977JAP .... 48.1852H. Дои:10.1063/1.323938. ISSN 0021-8979.
  4. ^ Bröms, Per; Йоханссон, Никлас; Gymer, Ричард В .; Грэм, Стивен С .; Друг, Ричард Х .; Саланек, Уильям Р. (1999). «Низкоэнергетическая электронная деградация поли (п-фениленвинилена)». Современные материалы. Вайли. 11 (10): 826–832. Дои:10.1002 / (sici) 1521-4095 (199907) 11:10 <826 :: aid-adma826> 3.0.co; 2-n. ISSN 0935-9648.
  5. ^ A. Ritucci et al., "Повреждение и абляция диэлектриков с большой запрещенной зоной, индуцированные лазерным лучом 46,9 нм", Отчет от 9 марта 2006 г. UCRL-JRNL-219656 В архиве 25 января 2017 г. Wayback Machine (Ливерморская национальная лаборатория Лоуренса).
  6. ^ Стон, Йохан; Юзениене, Аста (2010). «Солнечная радиация и здоровье человека». Журнал фотохимии и фотобиологии B: Биология. Elsevier BV. 101 (2): 109–110. Дои:10.1016 / j.jphotobiol.2010.08.004. ISSN 1011-1344.
  7. ^ Ercolani, D .; Лаццарино, М .; Мори, G .; Ressel, B .; Сорба, Л .; Локателли, А .; Cherifi, S .; Ballestrazzi, A .; Хойн, С. (2005). «Десорбция оксида GaAs в условиях экстремального ультрафиолетового потока фотонов». Современные функциональные материалы. Вайли. 15 (4): 587–592. Дои:10.1002 / adfm.200400033. ISSN 1616-301X.
  8. ^ DiMaria, D. J .; Cartier, E .; Арнольд Д. (1993). «Ударная ионизация, создание ловушек, деградация и разрушение пленок диоксида кремния на кремнии». Журнал прикладной физики. Издательство AIP. 73 (7): 3367–3384. Дои:10.1063/1.352936. ISSN 0021-8979.
  9. ^ Акадзава, Хауси (1998). «Мягкая рентгеновская стимуляция десорбции положительных ионов из аморфного SiO.2 поверхности ». Журнал вакуумной науки и технологий A: вакуум, поверхности и пленки. Американское вакуумное общество. 16 (6): 3455–3459. Дои:10.1116/1.581502. ISSN 0734-2101.
  10. ^ Defise, Жан-Марк; Клетт, Фредерик; Моисей, Дж. Дэниел; Хохедес, Жан-Франсуа Э. (1997-10-15). Орбитальная диагностика старения, индуцированного излучением, EIT EUV CCD (PDF). Оптика, техника и приборостроение. 3114. ШПИОН. С. 598–607. Дои:10.1117/12.278903.
  11. ^ Дж. Л. Шохет, http://pptl.engr.wisc.edu/Nuggets%20v9a.ppt В архиве 2006-08-29 на Wayback Machine
  12. ^ Р. Соберайски и другие., http://hasyweb.desy.de/science/annual_reports/2006_report/part1/contrib/40/17630.pdf
  13. ^ «ЛСЭ 2004 - ВУФ импульсные взаимодействия с твердыми телами» (PDF).

внешняя ссылка