WikiDer > Радиационное упрочнение

Radiation hardening
Не путать с жесткое излучение.

Радиационное упрочнение это процесс создания электронные компоненты и цепи, устойчивые к повреждениям или сбоям, вызванным высоким уровнем ионизирующее излучение (излучение частиц и высокоэнергетический электромагнитное излучение),[1] особенно для сред в космическое пространство (особенно за пределами низкая околоземная орбита), около ядерные реакторы и ускорители частиц, или во время ядерные аварии или ядерная война.

Наиболее полупроводниковые электронные компоненты подвержены радиационному поражению, и радиационно стойкий компоненты основаны на их незакаленных эквивалентах, с некоторыми конструктивными и производственными изменениями, которые снижают восприимчивость к радиационным повреждениям. Из-за обширных разработок и испытаний, необходимых для создания радиационно-стойкой конструкции микроэлектроника чип, радиационно-стойкие стружки имеют тенденцию отставать от самых последних разработок.

Радиационно-стойкие продукты обычно испытываются на один или несколько тестов на результирующие эффекты, включая общую ионизирующую дозу (TID), эффекты повышенной мощности с низкой мощностью дозы (ELDRS), нейтронное и протонное смещение повреждений и эффекты одиночного события (SEEs).

Проблемы, вызванные радиацией

Смотрите также: Радиационный ущерб

Среда с высоким уровнем ионизирующего излучения создает особые проблемы при проектировании. Один заряженная частица может сбить тысячи электроны свободный, вызывающий электронный шум и всплески сигнала. На случай, если цифровые схемы, это может привести к неточным или непонятным результатам. Это особенно серьезная проблема при проектировании спутники, космический корабль, будущее квантовые компьютеры,[2][3][4] военный самолет, атомные электростанции, и ядерное оружие. Чтобы обеспечить правильную работу таких систем, производители интегральные схемы и датчики предназначен для военный или аэрокосмический на рынках используются различные методы радиационной защиты. Полученные системы называются rad (iation) -затвердевший, круто, или (в контексте) закаленный.

Основные источники радиационного поражения

Типичными источниками воздействия ионизирующего излучения на электронику являются: Радиационные пояса Ван Аллена для спутников, ядерных реакторов на электростанциях для датчиков и схем управления, ускорителей частиц для управляющей электроники, в частности детектор частиц устройства, остаточное излучение от изотопы в упаковочные материалы для чипов, космическое излучение для космических аппаратов и высотных самолетов, а также ядерные взрывы потенциально для всей военной и гражданской электроники.

  • Космические лучи приходят со всех сторон и составляют примерно 85% протоны, 14% альфа-частицы, и 1% тяжелые ионы, вместе с рентгеновским и гамма-излучением. Большинство эффектов вызывается частицами с энергией от 0,1 до 20 ГэВ. Атмосфера фильтрует большинство из них, поэтому они в первую очередь беспокоят космические корабли и высотные самолеты, но также могут влиять на обычные компьютеры на поверхности.[5]
  • События солнечных частиц приходят со стороны солнце и состоят из большого потока протонов высоких энергий (несколько ГэВ) и тяжелых ионов, опять же сопровождаемого рентгеновским излучением.
  • Радиационные пояса Ван Аллена содержат электроны (примерно до 10 МэВ) и протоны (до 100 МэВ), захваченные в геомагнитное поле. Поток частиц в регионах, далеких от Земли, может сильно варьироваться в зависимости от реальных условий на Солнце и магнитосфера. Из-за своего положения они вызывают беспокойство по поводу спутников.
  • Вторичные частицы возникают в результате взаимодействия других видов излучения со структурами вокруг электронных устройств.
  • Ядерные реакторы производят гамма-излучение и нейтронное излучение что может повлиять на цепи датчиков и управления в атомные электростанции.
  • Ускорители элементарных частиц производят протоны и электроны с высокой энергией, а вторичные частицы, образующиеся в результате их взаимодействия, вызывают значительные радиационные повреждения чувствительных элементов управления и детекторов частиц, порядка 10 Мрад [Si] / год для таких систем, как Большой адронный коллайдер.
  • Ядерные взрывы производят короткие и чрезвычайно интенсивные выбросы широкого спектра электромагнитного излучения, электромагнитный импульс (ЭМИ), нейтронное излучение и поток как первичных, так и вторичных заряженных частиц. В случае ядерной войны они представляют потенциальную опасность для всей гражданской и военной электроники.
  • Упаковочные материалы для стружки были коварным источником радиации, который, как было установлено, мягкие ошибки в новом DRAM фишки в 1970-х. Следы от радиоактивные элементы в упаковке чипов производились альфа-частицы, которые затем время от времени разряжали некоторые конденсаторы, используемые для хранения битов данных DRAM. Сегодня эти эффекты были уменьшены за счет использования более чистых упаковочных материалов и использования коды с исправлением ошибок для обнаружения и частого исправления ошибок DRAM.

Радиационное воздействие на электронику

Основные механизмы

Имеются два основных механизма повреждения:

Смещение решетки

Смещение решетки вызвано нейтроны, протоны, альфа-частицы, тяжелые ионы и очень высокие энергии гамма-фотоны. Они меняют расположение атомов в кристаллическая решетка, нанося длительный ущерб и увеличивая количество центры рекомбинации, истощая миноритарные перевозчики и ухудшение аналоговых свойств пораженного полупроводника перекрестки. Как ни странно, более высокие дозы за короткое время вызывают частичное отжиг («заживление») поврежденной решетки, что приводит к меньшей степени повреждения, чем при приеме тех же доз с низкой интенсивностью в течение длительного времени (LDR или низкая мощность дозы). Этот тип проблемы особенно важен в биполярные транзисторы, которые зависят от неосновных носителей в своих основных регионах; увеличенные убытки, вызванные рекомбинация вызвать потерю транзистора прирост (увидеть нейтронные эффекты). Компоненты, сертифицированные как не содержащие ELDRS (улучшенная чувствительность к низкой мощности дозы), не имеют повреждений при потоках ниже 0,01 рад (Si) / с = 36 рад (Si) / ч.

Эффекты ионизации

Эффекты ионизации вызываются заряженными частицами, в том числе теми, энергия которых слишком мала, чтобы вызывать эффекты решетки. Эффекты ионизации обычно кратковременны и создают глюки и программные ошибки, но могут привести к разрушению устройства, если они запускают другие механизмы повреждения (например, отстранение). Фототок вызванный ультрафиолетовый и Рентгеновский радиация также может принадлежать к этой категории. Постепенное накопление дыры в оксидном слое в МОП-транзистор транзисторы приводят к ухудшению их характеристик, вплоть до выхода устройства из строя при достаточно высокой дозе (см. эффекты общей ионизирующей дозы).

Эффекты могут сильно различаться в зависимости от всех параметров - типа излучения, общей дозы и потока излучения, комбинации типов излучения и даже типа нагрузки устройства (рабочая частота, рабочее напряжение, фактическое состояние транзистора в момент его работы). ударил частица), что затрудняет тщательное тестирование, отнимает много времени и требует большого количества тестовых образцов.

Результирующие эффекты

Эффекты "конечного пользователя" можно охарактеризовать в нескольких группах:

Нейтрон, взаимодействуя с решеткой полупроводника, вытесняет его атомы. Это приводит к увеличению количества центров рекомбинации и дефекты глубокого уровня, сокращая время жизни неосновных носителей, тем самым влияя на биполярные устройства больше, чем CMOS ед. Биполярные устройства на кремний имеют тенденцию показывать изменения электрических параметров на уровне 1010 до 1011 нейтронов / см², КМОП-устройства не изменяются до 1015 нейтронов / см². Чувствительность устройств может увеличиваться вместе с увеличением степени интеграции и уменьшением размеров отдельных структур. Также существует риск индуцированной радиоактивности, вызванной нейтронная активация, который является основным источником шума в астрофизика высоких энергий инструменты. Индуцированное излучение вместе с остаточным излучением от примесей в использованных материалах может вызвать всевозможные однократные проблемы в течение срока службы устройства. GaAs Светодиоды, распространены в оптопары, очень чувствительны к нейтронам. Повреждение решетки влияет на частоту кварцевые генераторы. Сюда же относятся эффекты кинетической энергии (а именно смещение решетки) заряженных частиц.

Эффекты общей ионизирующей дозы

Суммарное повреждение решетки полупроводника (смещение решетки повреждения), вызванные ионизирующим излучением за время экспозиции. Он измеряется в рад и вызывает медленное постепенное снижение производительности устройства. Общая доза более 5000 рад, доставленная на кремниевые устройства за секунды или минуты, вызовет долговременную деградацию. В устройствах CMOS излучение создает электронно-дырочные пары в изоляционных слоях затвора, которые вызывают фототоки во время их рекомбинации, а дырки, захваченные дефектами решетки в изоляторе, создают постоянный затвор смещение и влияют на транзисторы пороговое напряжение, что упрощает включение MOSFET-транзисторов N-типа и затрудняет включение P-типа. Накопленный заряд может быть достаточно высоким, чтобы транзисторы оставались постоянно открытыми (или закрытыми), что приводило к отказу устройства. Некоторое самовосстановление происходит со временем, но этот эффект не слишком значительный. Этот эффект такой же, как и деградация горячих носителей в высокоинтегрированной высокоскоростной электронике. Кристаллические генераторы несколько чувствительны к дозам излучения, которые изменяют их частоту. Чувствительность можно значительно снизить, если использовать стреловидный кварц. Естественный кварц кристаллы особенно чувствительны. Кривые радиационных характеристик для испытаний УИВ могут быть построены для всех процедур испытаний на результирующие эффекты. Эти кривые показывают тенденции производительности на протяжении всего процесса испытания TID и включены в отчет о радиационных испытаниях.

Эффекты кратковременной дозы

Кратковременный импульс излучения высокой интенсивности, обычно возникающий при ядерном взрыве. Высокий поток излучения создает фототоки во всем теле полупроводника, заставляя транзисторы случайным образом открываться, изменяя логические состояния шлепки и ячейки памяти. Необратимое повреждение может произойти, если длительность импульса слишком велика, или если импульс вызывает повреждение перехода или защелкивание. Заклинивание обычно вызывается рентгеновскими лучами и вспышкой гамма-излучения ядерного взрыва. Кварцевые генераторы могут перестать колебаться на время вспышки из-за быстрого фотопроводимость индуцированный в кварце.

Системные эффекты ЭМИ

SGEMP вызваны вспышкой излучения, проходящей через оборудование и вызывающей локальные ионизация и электрические токи в материале фишек, печатные платы, электрические кабели и футляры.

Цифровой ущерб: ПОСМОТРЕТЬ

Эффекты единичного события (SEE) широко изучаются с 1970-х годов.[6] Когда частица высокой энергии проходит через полупроводник, она оставляет ионизированный след позади. Эта ионизация может вызвать сильно локализованный эффект, подобный эффекту кратковременной дозы - доброкачественный сбой на выходе, менее благоприятное переключение битов в памяти или регистр или, особенно в мощные транзисторы, деструктивное схватывание и выгорание. Эффекты единичного события имеют большое значение для электроники в спутниках, самолетах и ​​других гражданских и военных аэрокосмических приложениях. Иногда в схемах, не связанных с защелками, полезно ввести RC постоянная времени схемы, которые замедляют время реакции схемы сверх продолжительности SEE.

Однократный переходный процесс

SET происходит, когда заряд, собранный в результате ионизации, разряжается в виде паразитного сигнала, проходящего по цепи. Это де-факто эффект электростатический разряд. Мягкая ошибка, обратимая.

Расстройство одиночного события

Одноразовые расстройства (SEU) или переходные радиационные эффекты в электронике представляют собой изменения состояния битов памяти или регистра, вызванные взаимодействием одного иона с микросхемой. Они не вызывают длительного повреждения устройства, но могут вызвать длительные проблемы в системе, которая не может восстановиться после такой ошибки. Мягкая ошибка, обратимая. В очень чувствительных устройствах один ион может вызвать многократное расстройство (MBU) в нескольких соседних ячейках памяти. SEU могут стать Функциональные прерывания по одному событию (SEFI) когда они нарушают цепи управления, такие как государственные машины, переводя устройство в неопределенное состояние, режим тестирования, или остановка, для чего потребуется сброс настроек или цикл питания восстановить.

Блокировка по одному событию

SEL может встречаться в любом чипе с паразитарный ПНПН структура. Тяжелый ион или протон с высокой энергией, проходя через один из двух переходов внутреннего транзистора, могут включить тиристор-подобная структура, которая затем остается »закороченный"(эффект, известный как фиксация) до тех пор, пока устройство не будет выключено и снова выключено. Поскольку эффект может возникать между источником питания и подложкой, может возникнуть разрушительно высокий ток, и деталь может выйти из строя. Серьезная ошибка, необратимая. Большинство устройств CMOS восприимчивый.

Snapback по одному событию

Однократный возврат аналогичен SEL, но не требует структуры PNPN, может быть индуцирован в N-канальных МОП-транзисторах, переключающих большие токи, когда ион попадает рядом с переходом стока и вызывает лавинное умножение из носители заряда. Затем транзистор открывается и остается открытым. Серьезная ошибка, необратимая.

Выгорание, вызванное единичным событием

SEB может возникать в силовых полевых МОП-транзисторах, когда подложка прямо под областью истока смещается в прямом направлении, а напряжение сток-исток выше, чем напряжение пробоя паразитных структур. Возникающий в результате высокий ток и локальный перегрев могут привести к выходу устройства из строя. Серьезная ошибка, необратимая.

Одноразовый разрыв ворот

SEGR наблюдался в силовых полевых МОП-транзисторах, когда тяжелый ион попадает в область затвора, когда на затвор подается высокое напряжение. Затем происходит локальный пробой изоляционного слоя диоксид кремния, вызывая локальный перегрев и разрушение (выглядит как микроскопический взрыв) области ворот. Это может произойти даже в EEPROM ячейки во время записи или стирания, когда ячейки подвергаются сравнительно высокому напряжению. Серьезная ошибка, необратимая.

SEE тестирование

В то время как протонные пучки широко используются для тестирования SEE из-за их доступности, при более низких энергиях облучение протонами часто может недооценивать восприимчивость SEE. Кроме того, пучки протонов подвергают устройства риску выхода из строя общей ионизирующей дозы (TID), что может омрачить результаты тестирования протонов или привести к преждевременному отказу устройства. Пучки белых нейтронов - якобы наиболее представительный метод испытаний ИРИ - обычно получают из источников на твердой мишени, что приводит к неравномерности потока и малым площадям пучка. Пучки белых нейтронов также имеют некоторую неопределенность в своем энергетическом спектре, часто с высоким содержанием тепловых нейтронов.

Недостатков как протонных, так и отщепляющих источников нейтронов можно избежать, используя моноэнергетические нейтроны с энергией 14 МэВ для испытаний SEE. Потенциальная проблема заключается в том, что индуцированные моноэнергетическими нейтронами эффекты единичного события не будут точно отражать реальные эффекты атмосферных нейтронов широкого спектра. Однако недавние исследования показали, что, наоборот, моноэнергетические нейтроны - особенно нейтроны с энергией 14 МэВ - могут быть использованы для довольно точного понимания сечений ИРИ в современной микроэлектронике.

Особый интерес представляет исследование, выполненное в 2010 году Нормандом и Домиником,[7] убедительно демонстрирует эффективность нейтронов с энергией 14 МэВ.

Методы радиационного упрочнения

Радиационная стойкость умереть 1886VE10 микроконтроллер до металлизация травление
Радиационная стойкость умереть 1886VE10 микроконтроллер после металлизация травление процесс был использован

Физический

Закаленная стружка часто производится на изоляционный субстраты вместо обычного полупроводник вафли. Кремний на изоляторе (ТАК ЧТО Я) и кремний на сапфир (SOS) широко используются. В то время как обычные промышленные чипы могут выдерживать от 50 до 100 серый (5 и 10 крад), чипы SOI и SOS космического уровня могут выдерживать дозы, на много порядков большие.[нужна цитата] В свое время многие 4000 серии Чипы были доступны в радиационно-стойких версиях (RadHard).[8] В то время как SOI исключает события с защелкиванием, повышение жесткости TID и SEE не гарантируется.[9]

Биполярные интегральные схемы обычно имеют более высокую радиационную стойкость, чем схемы КМОП. Маломощный Schottky (LS) 5400 серии выдерживает 1000 крад, и многие ECL устройства выдерживает 10 000 крад.[8]

Магниторезистивный баран, или же MRAM, считается вероятным кандидатом на создание защищенной от излучения, перезаписываемой, энергонезависимой памяти проводников. Физические принципы и первые тесты показывают, что MRAM не подвержен потере данных, вызванной ионизацией.[нужна цитата]

Экранирование пакет против радиоактивность, чтобы уменьшить воздействие на незащищенное устройство.[10]

Конденсатор-основан DRAM часто заменяется более прочным (но более крупным и дорогим) SRAM.

Выбор субстрата с широким запрещенная зона, что делает его более устойчивым к дефектам глубокого уровня; например Карбид кремния или нитрид галлия.

Защита самих чипов с помощью обедненный бор (состоящий только из изотопа бор-11) в борофосфосиликатное стекло слой пассивации защита стружки, так как бор-10, преобладающий в природе, легко захватывает нейтроны и проходит альфа-распад (увидеть мягкая ошибка).

Использование большего узел процесса чем обычно, чтобы обеспечить повышенную радиационную стойкость.[11]

Логический

Ошибка исправления памяти (Память ECC) использует дополнительные биты четности для проверки и возможного исправления поврежденных данных. Поскольку воздействие излучения повреждает содержимое памяти, даже когда система не обращается к ОЗУ, "скрубберСхема должна непрерывно проверять ОЗУ; считывать данные, проверять четность на наличие ошибок данных, а затем записывать любые исправления в ОЗУ.

Избыточный элементы могут использоваться на системном уровне. Три отдельных микропроцессор доски могут самостоятельно вычислить ответ на расчет и сравнить свои ответы. Любая система, которая дает меньший результат, будет пересчитана. Можно добавить такую ​​логику, что если в одной и той же системе происходят повторяющиеся ошибки, эта плата отключается.

На схемном уровне могут использоваться резервные элементы.[12] Один бит можно заменить тремя битами и разделить "логика голосования"для каждого бита, чтобы непрерывно определять его результат (тройное модульное резервирование). Это увеличивает площадь конструкции микросхемы в 5 раз, поэтому ее следует зарезервировать для небольших конструкций. Но у него есть вторичное преимущество - он также "отказоустойчив" в реальном времени. В случае отказа одного бита (который может быть не связан с излучением) логика голосования продолжит выдавать правильный результат, не прибегая к сторожевой таймер. Голосование на системном уровне между тремя отдельными процессорами обычно требует использования некоторой логики голосования на уровне схемы для проведения голосования между тремя процессорами.

Можно использовать закаленные защелки.[13]

Сторожевой таймер выполнит полный сброс системы, если не будет выполнена некоторая последовательность, которая обычно указывает на то, что система работает, например, операция записи от встроенного процессора. Во время нормальной работы программное обеспечение планирует запись в сторожевой таймер через равные промежутки времени, чтобы предотвратить истечение таймера. Если радиация приводит к неправильной работе процессора, маловероятно, что программное обеспечение будет работать достаточно правильно, чтобы сбросить сторожевой таймер. В конечном итоге сторожевой таймер завершает работу и выполняет полную перезагрузку системы. Это считается крайней мерой по сравнению с другими методами радиационной защиты.

Применение в военной и космической промышленности

Радиационно-стойкие и радиационно-стойкие компоненты часто используются в военных и аэрокосмических приложениях, включая приложения для точек нагрузки (POL), источники питания спутниковых систем, понижающие регуляторы переключения, микропроцессоры, ПЛИС,[14] FPGA источники питания и высокоэффективные низковольтные источники питания подсистем.

Однако не все компоненты военного назначения защищены от радиации. Например, в стандарте US MIL-STD-883 имеется множество тестов, связанных с излучением, но нет спецификации для частоты фиксации одного события. В Фобос-Грунт мог потерпеть неудачу из-за аналогичного предположения.[9]

Ядерная стойкость для телекоммуникаций

В телекоммуникации, период, термин ядерная стойкость имеет следующие значения: 1) выражение степени, в которой выполнение система, установка или устройство, как ожидается, будут ухудшаться в данной ядерной среде, 2) физические атрибуты системы или электронный компонент что позволит выжить в среде, включающей ядерное излучение и электромагнитные импульсы (ЭМИ).

Примечания

  1. Ядерная стойкость может быть выражена как восприимчивость или уязвимость.
  2. Степень ожидаемой производительности деградация (например., время простоя, данные потеряна и повреждение оборудования) должны быть определены или указаны. Окружающая среда (например., уровни излучения, избыточное давление, пиковые скорости, поглощенная энергия и электрическое напряжение) должны быть определены или указаны.
  3. Физические атрибуты системы или компонента, которые позволят определенную степень живучесть в данной среде, созданной ядерным оружием.
  4. Ядерная твердость определяется для указанных или реальных количественных условий окружающей среды и физических параметров, таких как пиковые уровни излучения, избыточное давление, скорости, поглощенная энергия и электрическое напряжение. Это достигается за счет проектные спецификации и это подтверждается методами испытаний и анализа.

Примеры рад-жестких компьютеров


Смотрите также: Сравнение встроенных компьютерных систем на борту марсоходов

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ Вестник Джорджа К. «Радиационное упрочнение». AccessScience. Дои:10.1036/1097-8542.566850.
  2. ^ «Квантовые компьютеры могут быть уничтожены частицами высоких энергий из космоса». Новый ученый. Получено 7 сентября 2020.
  3. ^ «Космические лучи могут скоро заблокировать квантовые вычисления». Phys.org. Получено 7 сентября 2020.
  4. ^ Vepsäläinen, Antti P .; Karamlou, Amir H ​​.; Оррелл, Джон Л .; Догра, Акшунна С .; Лоер, Бен; Васконселос, Франциска; Ким, Дэвид К .; Мелвилл, Александр Дж .; Niedzielski, Bethany M .; Йодер, Джонилин Л .; Густавссон, Саймон; Формаджо, Джозеф А .; VanDevender, Brent A .; Оливер, Уильям Д. (август 2020 г.). «Влияние ионизирующего излучения на когерентность сверхпроводящего кубита». Природа. 584 (7822): 551–556. arXiv:2001.09190. Дои:10.1038 / с41586-020-2619-8. ISSN 1476-4687. PMID 32848227. S2CID 210920566. Получено 7 сентября 2020.
  5. ^ «Космические частицы меняют выборы и заставляют самолеты падать в небо, - предупреждают ученые». Независимый. 2017-02-17. Получено 2019-08-04.
  6. ^ G.C. Посланник, Милтон Эш, Отдельные явления, Springer Science & Business Media, 2013 г., ISBN 1461560438, страницы xii-xiii
  7. ^ Норманд, Юджин; Доминик, Лаура (20–23 июля 2010 г.). Руководство по перекрестному сравнению результатов испытаний микроэлектроники с использованием нейтронной ИЭЭ, применимых к авионике. 2010 Семинар IEEE по радиационным эффектам. Дои:10.1109 / REDW.2010.5619496.
  8. ^ а б Леппала, Кари; Веркасало, Раймо (17–23 сентября 1989 г.). Защита компьютеров управления приборами от мягких и жестких ошибок и воздействия космических лучей. Международный семинар по космической научной инженерии. CiteSeerX 10.1.1.48.1291.
  9. ^ а б Шуньков,> В. «Распространенные заблуждения об интегральных схемах космического класса». habr.com.
  10. ^ https://www.m militaryaerospace.com/computers/article/16707204/the-evolving-world-of-radiationhardened-electronics
  11. ^ http://www.cpushack.com/2009/07/27/the-other-atmel-radiation-hardened-sparc-cpus/
  12. ^ Платтер, Дейл Г. (октябрь 1980 г.). Защита микропроцессоров LSI с помощью тройного модульного резервирования. Международный симпозиум IEEE по отказоустойчивым вычислениям.
  13. ^ Кришнамохан, Шриватсан; Махапатра, Нихар Р. (2005). Анализ и разработка защелок с защитой от мягких ошибок. Материалы 15-го симпозиума ACM Great Lakes по СБИС. Дои:10.1145/1057661.1057740.
  14. ^ Mil & Aero Staff (03.06.2016). «Устройства разработки FPGA для радиационно-стойких космических приложений, представленные Microsemi». Военная и аэрокосмическая электроника. Получено 2018-11-02.
  15. ^ «Семейство одноплатных компьютеров (SBC)». Cobham. В архиве из оригинала на 2019-04-08. Получено 2018-11-02.
  16. ^ "VA10820 - MCU ARM Cortex-M0 с радиационной стойкостью". Vorago Technologies. В архиве из оригинала на 2019-02-14. Получено 2018-11-02.
  17. ^ «Обзор проекта высокопроизводительных вычислений космических аппаратов (HPSC)» (PDF).
  18. ^ ESA DAHLIA
  19. ^ «Процессор НОЭЛ-В». Кобэм Гайслер. Получено 14 января 2020.

Книги и отчеты

  • Каллигаро, Кристиано; Гатти, Умберто (2018). Rad-hard Semiconductor Memories. Серия River Publishers в электронных материалах и устройствах. River Publishers. ISBN 978-8770220200.
  • Холмс-Зидле, Эндрю; Адамс, Лен (2002). Справочник по радиационным эффектам (Второе изд.). Издательство Оксфордского университета. ISBN 0-19-850733-X.
  • León-Florian, E .; Schönbacher, H .; Тавлет, М. (1993). Обобщение данных дозиметрических методов и источников излучения для испытаний материалов (Отчет). Комиссия технического надзора и безопасности ЦЕРН. ЦЕРН-ТИС-CFM-IR-93-03.
  • Ма, Цо-Пин; Дрессендорфер, Пол В. (1989). Эффекты ионизирующего излучения в МОП-устройствах и схемах. Нью-Йорк: Джон Вили и сыновья. ISBN 0-471-84893-X.
  • Посланник, Джордж К .; Эш, Милтон С. (1992). Воздействие излучения на электронные системы (Второе изд.). Нью-Йорк: Ван Ностранд Рейнхольд. ISBN 0-442-23952-1.
  • Олдхэм, Тимоти Р. (2000). Эффекты ионизирующего излучения в МОП оксидах. Международная серия по достижениям в твердотельной электронике и технологии. World Scientific. Дои:10.1142/3655. ISBN 978-981-02-3326-6.
  • Платтер, Дейл Г. (2006). Архив записных книжек краткого курса по радиационным эффектам (1980–2006 гг.). IEEE. ISBN 1-4244-0304-9.
  • Schrimpf, Ronald D .; Флитвуд, Дэниел М. (июль 2004 г.). Радиационные эффекты и мягкие ошибки в интегральных схемах и электронных устройствах. Избранные темы электроники и систем. 34. World Scientific. Дои:10.1142/5607. ISBN 978-981-238-940-4.
  • Шредер, Дитер К. (1990). Характеристики полупроводниковых материалов и устройств. Нью-Йорк: Джон Вили и сыновья. ISBN 0-471-51104-8.
  • Шульман, Джеймс Герберт; Комптон, Уолтер Дейл (1962). Цветовые центры в твердых телах. Международная серия монографий по физике твердого тела. 2. Pergamon Press.
  • Холмс-Зидле, Эндрю; ван Линт, Виктор А. Дж. (2000). «Радиационные эффекты в электронных материалах и устройствах». В Мейерс, Роберт А. (ред.). Энциклопедия физических наук и технологий. 13 (Третье изд.). Нью-Йорк: Academic Press. ISBN 0-12-227423-7.
  • ван Линт, Виктор А. Дж .; Фланаган, Терри М .; Лидон, Роланд Юджин; Набер, Джеймс Аллен; Роджерс, Верн С. (1980). Механизмы радиационного воздействия в электронных материалах. 1. Нью-Йорк: Джон Вили и сыновья. Bibcode:1980STIA ... 8113073V. ISBN 0-471-04106-8.
  • Уоткинс, Джордж Д. (1986). «Решетчатая вакансия в кремнии». В Pantelides, Sokrates T. (ред.). Глубокие центры в полупроводниках: современный подход (Второе изд.). Нью-Йорк: Гордон и Брич. ISBN 2-88124-109-3.
  • Уоттс, Стивен Дж. (1997). «Обзор радиационных повреждений в кремниевых детекторах - Модели и инженерия дефектов». Ядерные приборы и методы в физических исследованиях Секция А. 386 (1): 149–155. Дои:10.1016 / S0168-9002 (96) 01110-2.
  • Зиглер, Джеймс Ф .; Biersack, Jochen P .; Литтмарк, Уффе (1985). Остановка и пробег ионов в твердых телах.. 1. Нью-Йорк: Pergamon Press. ISBN 0-08-021603-X.

внешняя ссылка