WikiDer > Гуртей Сандху - Википедия

Эта статья нужны дополнительные цитаты для проверка. Пожалуйста помоги улучшить эту статью к добавление цитат в надежные источники. Материал, не полученный от источника, может быть оспорен и удален. Найдите источники: "Гуртей Сандху" – Новости · газеты · книги · ученый · JSTOR (Май 2014 г.) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения)

Гуртей Сингх Сандху, также известный как Гуртей Сандху, изобретатель в области тонкая пленка процессы и материалы, СБИС и изготовление полупроводниковых приборов. Он признан седьмым в списке самых плодовитый изобретатель по количеству патентов США на полезные модели. Гуртей имеет 1340 патентов на полезные модели в США по состоянию на 5 февраля 2019 г.^{[Обновить]}.^[1] Он был старшим научным сотрудником и директором по развитию передовых технологий в Микронная технология,^[2] прежде чем стать старшим научным сотрудником и вице-президентом Micron Technology.^[3]

Публикация Киплингер сообщает: «Сандху разработал метод покрытия микрочипов титаном, не подвергая металл воздействию кислорода, который мог бы разрушить чипы. Сначала он не думал, что его идея имеет большое значение, но теперь большинство производителей микросхем памяти используют этот процесс. " В публикации также говорится, что Гуртей получил степень инженера-электрика в Индийский технологический институт - Дели в Индии и докторскую степень по физике в Университет Северной Каролины в Чапел-Хилл.^[4]

В Институт инженеров по электротехнике и электронике (IEEE) присудил Sandhu награду 2018 Премия IEEE Эндрю С. Гроув за выдающийся вклад в твердотельные устройства и технологии. Они сказали, что его «новаторские достижения в области создания узоров и интеграции материалов позволили продолжить Закон Мура для агрессивного масштабирования микросхемы памяти неотъемлемая часть продуктов бытовой электроники, таких как сотовые телефоны, цифровые фотоаппараты и твердотельные накопители для личного и облачный сервер компьютеров ». IEEE утверждает:« Сандху инициировал разработку осаждение атомного слоя высокий-к фильмы за DRAM устройств и помогли добиться экономичного внедрения, начиная с 90-нм узел DRAM. Экстремальное масштабирование устройства стало возможным благодаря его удвоение шага процесс, который привел к первому 3X-нм NAND flash объем памяти. Метод Сандху для конструирования конденсаторов с прямой стенкой большой площади позволил сформировать двусторонние конденсаторы, которые расширили масштабирование важных однотранзисторных и одинарных конденсаторов (1T1C) технологии устройства. Его процесс для ССЗ Ti /Банка все еще используется для изготовления микросхем DRAM и NAND ».^[3]

Рекомендации