WikiDer > Осаждение атомного слоя

Atomic layer deposition

Схематическое изображение одного реакционного цикла процесса ALD с использованием процесса триметилалюминий (ТМА)-вода для изготовления тонких пленок оксида алюминия в качестве (упрощенного) примера. Там исходная поверхность содержит гидроксилы (группы ОН) в качестве реактивных центров; Шаг 1 - реакция ТМА; Этап 2 - это этап продувки или вакуумирования, этап 3 - реакция воды, а этап 4 - этап продувки или вакуумирования. Изображение в Wikimedia Commons (лицензия CC BY 4.0), впервые опубликовано в https://doi.org/10.1063/1.5060967 (Авторские права авторов, лицензия CC BY 4.0).

Осаждение атомного слоя (ALD) это осаждение тонких пленок техника, основанная на последовательном использовании газовой фазы химический процесс; это подкласс химическое осаждение из паровой фазы. В большинстве реакций ALD используются два химических вещества, называемые предшественники (также называемые «реагенты»). Эти предшественники реагируют с поверхностью материала по одному за раз в последовательной, самоограничивающейся манере. При многократном воздействии на отдельные прекурсоры медленно осаждается тонкая пленка. ALD - ключевой процесс в изготовление полупроводниковых приборов, и часть набора инструментов, доступных для синтеза наноматериалы.

Вступление

Во время осаждения атомного слоя пленка выращивается на подложке, подвергая ее поверхность воздействию альтернативных газообразных веществ (обычно называемых предшественники). В отличие от химического осаждения из паровой фазы, прекурсоры никогда не присутствуют в реакторе одновременно, а вводятся в виде серии последовательных, неперекрывающихся импульсов. В каждом из этих импульсов молекулы-предшественники реагируют с поверхностью самоограничивающимся образом, так что реакция прекращается, когда все реактивные центры на поверхности израсходованы. Следовательно, максимальное количество материала, осажденного на поверхности после однократного воздействия на все прекурсоры (так называемый цикл ALD), определяется природой взаимодействия прекурсора с поверхностью.[1][2] Изменяя количество циклов, можно выращивать материалы равномерно и с высокой точностью на сколь угодно сложных и больших подложках.

Обзор материалов, синтезированных ALD, с 1 или более публикациями, описывающими процесс, актуальные данные можно получить онлайн. [3] под Лицензия Creative Commons для общего пользования.

ALD считается одним из методов осаждения с большим потенциалом для получения очень тонких конформных пленок с возможностью контроля толщины и состава пленок на атомном уровне. Основной движущей силой недавнего интереса является перспектива использования ALD в уменьшении масштабов использования микроэлектронных устройств в соответствии с Закон Мура. ALD - это активная область исследований, сотни различных процессов опубликованы в научной литературе,[1][2][4] хотя некоторые из них демонстрируют поведение, отличное от идеального процесса ALD.[4] В настоящее время существует несколько всеобъемлющих обзорных статей, в которых дается резюме опубликованных процессов ALD, включая работу Пуурунена,[5] Мииккулайнен и другие.,[4] Knoops и другие.,[6] и Mackus & Schneider и другие..[7] Интерактивная база данных процессов ALD, управляемая сообществом, также доступна в Интернете.[3] который генерирует актуальный обзор в виде аннотированной таблицы Менделеева.

Родственная техника нанесения атомного слоя, осаждение молекулярного слоя (MLD) используется, когда желательно использовать органические прекурсоры. Комбинируя методы ALD / MLD, можно создавать высококонформные и чистые гибридные пленки для многих приложений.

История

ALD был разработан в двух независимые открытия под именами атомно-слойная эпитаксия (ALE, Финляндия) и молекулярное расслоение (ML, Советский Союз).[8] Чтобы прояснить раннюю историю, летом 2013 года был создан Виртуальный проект по истории ALD (VPHA).[9] в результате появилось несколько публикаций, рассматривающих историческое развитие ALD под названиями ALE и ML.[8][10][11][12]

В 1960-е годы Станислав Кольцов вместе с Валентин Алесковский и его коллеги экспериментально разработали принципы ALD на Ленинградский технологический институт (LTI) в Советский союз.[11] Цель состояла в том, чтобы экспериментально опереться на теоретические рассуждения «рамочной гипотезы», выдвинутой Алесковским в его 1952 г. абилитация Тезис.[11] Эксперименты начались с реакций хлорида металла и воды с пористым кремнеземом, вскоре распространились на другие материалы подложки и плоские тонкие пленки.[11] Алесковский и Кольцов вместе предложили название «Молекулярное наслоение» для новой техники в 1965 году.[11] Принципы молекулярного наслоения были обобщены в докторской диссертации («профессорская диссертация») Кольцова в 1971 году.[11] Исследовательская деятельность в области молекулярных слоев охватывала широкий спектр: от фундаментальных исследований химии до прикладных исследований с пористыми катализаторами, сорбентами и наполнителями до микроэлектроники и не только.[11][13]

В 1974 г., когда началась разработка тонкопленочной электролюминесцентные дисплеи (TFEL) в Instrumentarium Oy в Финляндия, Туомо Сунтола разработал ALD как передовую тонкопленочную технологию.[10][14] Сунтола назвал это атомно-слойная эпитаксия (ALE) основано на значении «эпитаксия» на греческом языке, «расположение на».[10][14] Первые эксперименты были проведены с элементарными Zn и S для выращивания ZnS.[10][14] ALE как средство для выращивания тонких пленок было запатентовано более чем в 20 странах мира.[10] Прорыв произошел, когда Сунтола и его сотрудники перешли с реакторов высокого вакуума на реакторы с инертным газом, которые позволили использовать сложные реагенты, такие как хлориды металлов, сероводород и водяной пар, для выполнения процесса ALE.[10][15] Технология была впервые раскрыта на конференции SID 1980 года.[10] Представленный прототип дисплея TFEL состоял из слоя ZnS между двумя диэлектрическими слоями оксида алюминия, изготовленных в процессе ALE с использованием ZnCl.2 + H2S и AlCl3 + H2O в качестве реагентов. Первой крупномасштабной проверкой концепции дисплеев ALE-EL были табло полетной информации, установленные в Хельсинки-Вантаа: аэропорт в 1983 г.[10] Производство плоских дисплеев TFEL началось в середине 1980-х годов компанией Lohja Oy на заводе Olarinluoma.[10] Академические исследования ООВ начались в Технологический университет Тампере (где Сунтола читал лекции по электронной физике) в 1970-х, а в 1980-х в Хельсинкский технологический университет.[10] Производство дисплеев из TFEL оставалось до 1990-х годов единственным промышленным применением ALE. В 1987 году Suntola начала разработку технологии ALE для новых приложений, таких как фотоэлектрические устройства и гетерогенные катализаторы в Microchemistry Ltd., созданном для этой цели национальной нефтяной компанией Финляндии. Neste Ой. В 1990-х годах развитие ALE в микрохимии было направлено на полупроводниковые приложения и реакторы ALE, пригодные для обработки кремниевых пластин. В 1999 г. компания Microchemistry Ltd. и технология ALD были проданы голландской ASM International, крупный поставщик оборудования для производства полупроводников и Microchemistry Ltd., стала ASM Microchemistry Oy в качестве финской дочерней компании ASM. Microchemistry Ltd / ASM Microchemistry Ltd была единственным производителем коммерческих реакторов ALD в 1990-х годах. В начале 2000-х годов опыт работы с реакторами ALD в Финляндии дал толчок двум новым производителям, Beneq Oy и Picosun Oy, последний был основан Свеном Линдфорсом, близким соратником Suntola с 1975 года. Количество производителей реакторов быстро росло, и применение полупроводников стало промышленным прорывом. технологии ALD, поскольку ALD стала технологией, позволяющей продолжить Закон Мура.[10] В 2004 г. Туомо Сунтола получил европейский ПОЛУ награда за разработку технологии ALD для полупроводниковых приложений[10] а в 2018 году Премия тысячелетия в области технологий.[16]

Разработчики ML и ALE встретились на 1-й международной конференции по эпитаксии атомных слоев «ALE-1» в Эспоо, Финляндия, 1990 г.[10][11] По какой-то причине знания о молекулярных слоях в растущем англоязычном сообществе ALD оставались незначительными. Попытка раскрыть масштабы работ по созданию молекулярных слоев была сделана в научной обзорной статье по ALD в 2005 году.[2] а затем в публикациях, связанных с VPHA.[8][11][12]

Название «осаждение атомного слоя», по-видимому, впервые было предложено письменно как альтернатива ALE по аналогии с ССЗ Маркку Лескеля (профессор Университет Хельсинки) на конференции ALE-1, Эспоо, Финляндия. Прошло около десяти лет, прежде чем это имя получило всеобщее признание с началом серии международных конференций по ALD. Американское вакуумное общество.[17]

В 2000 г. Гуртей Сингх Сандху и Трунг Т. Доан из Микронная технология инициировал развитие атомно-слоистого осаждения высокий-к фильмы для DRAM запоминающие устройства. Это помогло стимулировать рентабельное внедрение полупроводниковая память, начиная с 90-нм узел DRAM.[18][19] Корпорация Intel сообщила об использовании ALD для нанесения диэлектрика затвора с высоким κ для его 45 нм CMOS технология.[20]

Механизмы поверхностной реакции

В прототипном процессе ALD субстрат подвергается воздействию двух реагентов A и B последовательным, неперекрывающимся образом. В отличие от других техник, таких как химическое осаждение из паровой фазы (CVD), где рост тонкой пленки происходит в стационарном режиме, в ALD каждый реагент реагирует с поверхностью самоограниченным образом: молекулы реагента могут реагировать только с конечным числом реактивных центров на поверхности. Когда все эти участки в реакторе израсходованы, рост прекращается. Оставшиеся молекулы реагента смываются, и только после этого реагент B вводится в реактор. Путем чередования экспозиций A и B осаждается тонкая пленка. Этот процесс показан на рисунке сбоку. Следовательно, при описании процесса ALD имеется в виду как время дозирования (время, в течение которого поверхность подвергается воздействию прекурсора), так и время продувки (время, оставшееся между дозами прекурсора для вакуумирования камеры) для каждого прекурсора. Последовательность доза-продувка-доза-продувка бинарного процесса ALD составляет цикл ALD. Кроме того, вместо использования концепции скорости роста, процессы ALD описываются с точки зрения их роста за цикл.[21]

В ALD на каждой стадии реакции должно быть достаточно времени, чтобы можно было достичь полной адсорбционной плотности. Когда это происходит, процесс достигает насыщения. На этот раз будет зависеть два ключевых фактора: давление прекурсора и вероятность прилипания.[22] Следовательно, скорость адсорбции на единицу площади поверхности может быть выражена как:

Где R - скорость адсорбции, S - вероятность прилипания, а F - падающий молярный поток.[23] Однако ключевой характеристикой ALD является то, что S будет меняться со временем, поскольку больше молекул прореагировало с поверхностью, эта вероятность прилипания будет уменьшаться до тех пор, пока не будет достигнуто значение нуля после достижения насыщения.

Конкретные подробности о механизмы реакции сильно зависят от конкретного процесса ALD. Благодаря сотням способов нанесения оксидов, металлов, нитридов, сульфидов, халькогенидов и фторидных материалов,[4] Раскрытие механистических аспектов процессов ALD является активной областью исследований.[24] Некоторые типичные примеры показаны ниже.

Термический ALD

Предлагаемый механизм для Al2О3 ALD во время а) реакции ТМА б) H2O реакция

Термический ALD требует относительно высоких температур (обычно 150–350 ° C). Это происходит за счет поверхностных реакций, что позволяет точно контролировать толщину независимо от геометрии подложки и конструкции реактора.[1]

Синтез Al2О3 из триметилалюминий (TMA) и вода - один из самых известных примеров термического ALD. Во время воздействия ТМА ТМА диссоциативно хемосорбируется на поверхности подложки, и любой оставшийся ТМА откачивается из камеры. Диссоциативная хемосорбция ТМА оставляет поверхность, покрытую AlCH3Затем поверхность подвергается воздействию H2Пары O, реагирующие с поверхностью –CH3 формирование CH4 как побочный продукт реакции и в результате получается гидроксилированный Al2О3 поверхность.[1]

Плазменный ALD

В плазменном ALD (PA-ALD) высокая реакционная способность плазменных частиц позволяет снизить температуру осаждения без ущерба для качества пленки; кроме того, можно использовать более широкий диапазон прекурсоров и, таким образом, можно наносить более широкий диапазон материалов по сравнению с термическим ALD.[1]

Фото-помощь ALD

В этой разновидности ALD УФ-свет используется для ускорения поверхностных реакций на подложке. Следовательно, температура реакции может быть снижена, как в плазменной ALD. По сравнению с плазменной ALD активация слабее, но ее часто легче контролировать, регулируя длину волны, интенсивность и время освещения.[1]

Металл ALD

Металлическая медь ALD привлекла большое внимание из-за спроса на медь в качестве соединять материал[нужна цитата] и относительная легкость термического осаждения меди.[25] Медь имеет положительный стандартный электрохимический потенциал[26] и является наиболее легко восстанавливаемым металлом из переходных металлов первого ряда. Таким образом, было разработано множество процессов ALD, в том числе несколько с использованием газообразного водорода в качестве сореагента.[25][27] В идеале ALD с металлической медью следует проводить при температуре ≤100 ° C для получения непрерывных пленок с низкой шероховатостью поверхности.[28] поскольку более высокие температуры могут привести к агломерации осажденной меди.[29]

Некоторые металлы можно выращивать методом ALD через фторсилан. реакции элиминации используя галогенид металла и предшественник кремния (например, SiH4, Si2ЧАС6) в качестве реагентов. Эти реакции очень экзотермичны из-за образования стабильных связей Si – F.[24] Металлы, осаждаемые при удалении фторсилана, включают вольфрам.[30] и молибден.[31] Например, поверхностные реакции для ALD металлического вольфрама с использованием WF6 и Si2ЧАС6 как реагенты могут быть выражены как[30][32]

WSiF2H * + WF6 → WWF5* + SiF3ЧАС
WF5* + Si2ЧАС6 → WSiF2H * + SiF3H + 2 H2

Общая реакция ALD[24]

WF6 + Si2ЧАС6 → W + SiF3H + 2 H2, ∆H = –181 ккал

Скорость роста может варьироваться от 4 до 7 Å ​​/ цикл в зависимости от температуры осаждения (от 177 до 325 ° C) и Si2ЧАС6 воздействие реагентов (∼104 до 106 L), факторы, которые могут влиять на Si2ЧАС6 вставка в связи Si – H[33][34] и приводят к вкладу кремния CVD в рост ALD вольфрама.[24]

Термическая ALD многих других металлов является сложной задачей (или в настоящее время невозможной) из-за их очень отрицательных электрохимических потенциалов. В последнее время приложение романа сильное восстановители привело к появлению первых сообщений о низкотемпературных процессах термического ALD для нескольких электроположительных металлов. Металлический хром наносился с помощью хромовой алкоксид предшественник и ЧД3(NHMe2).[35] Металлы титана и олова были выращены из соответствующих хлоридов металлов (MCl4, M = Ti, Sn) и бис (триметилсилил) шестичленное кольцевое соединение.[36][37] Металлический алюминий напыляли с помощью алюминиевого дигидрид предшественник и AlCl3.[38]

Каталитический SiO2 ALD

Использование катализаторов имеет первостепенное значение для обеспечения надежных методов получения SiO.2 ALD. Без катализаторы, поверхностные реакции, приводящие к образованию SiO2 обычно очень медленные и возникают только при исключительно высоких температурах. Типичные катализаторы для SiO2 ALD включает основания Льюиса, такие как NH3 или пиридин и SiO2; ALD также может быть инициирован, когда эти Базы Льюиса связаны с другими предшественниками кремния, такими как тетраэтоксисилан (TEOS).[24] Водородная связь считается, что происходит между основанием Льюиса и поверхностными частицами SiOH * или между H2Реагент на основе O и основание Льюиса. Кислород становится сильнее нуклеофил когда водород основания Льюиса связывается с поверхностными частицами SiOH *, потому что связь SiO-H эффективно ослабляется. Таким образом, электроположительный атом Si в SiCl4 реагент более подвержен нуклеофильной атаке. Точно так же водородная связь между основанием Льюиса и H2Реагент O превращает электроотрицательный O в H2O сильный нуклеофил, который способен атаковать Si в существующей поверхностной части SiCl *.[39] Использование основного катализатора Льюиса более или менее необходимо для SiO.2 ALD, как и без основного катализатора Льюиса, температура реакции должна превышать 325 ° C, а давление должно превышать 103 торр. Как правило, наиболее подходящая температура для выполнения SiO2 Температура ALD составляет 32 ° C, а обычная скорость осаждения составляет 1,35 ангстрем на последовательность бинарных реакций. Две поверхностные реакции для SiO2 ALD, общая реакция и схема, иллюстрирующая катализ основанием Льюиса в SiO2 ALD представлены ниже.

Первичные реакции на поверхности:
SiOH * + SiCl4 → SiOSiCl3* + HCl
SiCl * + H2О → SiOH * + HCl
Общая реакция на ALD:
SiCl4 + 2H2O → SiO2 + 4 HCl
Предлагаемый механизм катализа SiO2 основанием Льюиса2 ALD во время а) SiCl4 реакции и б) H2O реакция
Механизмы реакции ALD
Тип ALDДиапазон температурЖизнеспособные предшественникиРеагентыПриложения
Каталитический ALD> 32 ° C с катализатором на основе Льюиса[24]Оксиды металлов (например, TiO2, ZrO2, SnO22)[24](Металл) Cl4, H2О[24]Высокие k-диэлектрические слои, защитные слои, антибликовые слои и т. Д.[24]
Al2О3 ALD30–300 ° СAl2О3, оксиды металлов[40](Металл) Cl4, H2О, Ti (OiPr)4, (Металл) (Et)2[24]Диэлектрические слои, изолирующие слои и т. Д., Пассивация поверхности солнечных элементов[40]
Металлическая ALD с использованием термической химии175–400 ° С[41]Фториды металлов, металлоорганические соединения, каталитические металлы[41]M (C5ЧАС5)2, (CH3C5ЧАС4) M (CH3)3 , Cu (тыс.2, Pd (hfac)2, Ni (acac)2, H2[41]Проводящие пути, каталитические поверхности, устройства MOS[41]
ALD на полимерах25–100 ° С[24]Обычные полимеры (полиэтилен, ПММА, ПП, ПС, ПВХ, ПВА и др.)[24]Al (CH3)3, H2О, М (CH3)3[24]Функционализация поверхности полимера, создание композитов, диффузионных барьеров и т. Д.[24]
ALD на частицах25–100 ° C для полимерных частиц, 100–400 ° C для частиц металла / сплава[24]BN, ZrO2, УНТ, полимерные частицыРазличные газы: Реакторы с псевдоожиженным слоем используются для нанесения покрытия на отдельные частицы[24]Нанесение защитных и изоляционных покрытий, модификация оптических и механических свойств, формирование композитных структур, токопроводящих сред.
ALD с плазменным или радикальным усилением для одноэлементных материалов ALD20–800 ° С[42][24]Чистые металлы (например, Ta, Ti, Si, Ge, Ru, Pt), нитриды металлов (например, TiN, TaN и т. Д.)[24]Металлоорганические соединения, MH2Cl2, третбутилимидотрис (диэтиламидо) тантал (TBTDET), бис (этилциклопентадиенил) рутений), NH3[24]Структуры DRAM, МОП-транзистор и полупроводниковые приборы, конденсаторы[43]
Технология ALD с плазменным усилением оксидов и нитридов металлов20–300 ° СAl2О3, SiO2, ZnOИкс, Я неИкс, HfO2, SiNИкс, TaNИкс[44][45][46]Подобно термическому ALD

Приложения

Приложения для микроэлектроники

ALD - полезный процесс для изготовления микроэлектроники из-за его способности производить точную толщину и однородные поверхности в дополнение к производству высококачественной пленки с использованием различных материалов. В микроэлектронике ALD изучается как потенциальный метод нанесения высокий-κ (высоко диэлектрическая проницаемость) оксиды затвора, диэлектрики конденсаторов памяти с высоким κ, сегнетоэлектрики, а также металлы и нитриды для электродов и соединяет. В оксидах с затвором с высоким κ, где контроль ультратонких пленок имеет важное значение, ALD, вероятно, получит более широкое применение только при технологии 45 нм. При металлизации требуются конформные пленки; в настоящее время ожидается, что ALD будет использоваться в массовом производстве на узле 65 нм. В динамическая память с произвольным доступом (DRAM) требования к конформности еще выше, и ALD - единственный метод, который можно использовать, когда размеры элементов становятся меньше 100 нм. Несколько продуктов, в которых используется ALD, включают: головки магнитной записи, МОП-транзистор стеки ворот, DRAM конденсаторы, энергонезависимые сегнетоэлектрические запоминающие устройства и многое другое.

Оксиды ворот

Осаждение высокий-κ оксиды Al2О3, ZrO2, и HfO2 была одной из наиболее широко исследуемых областей ALD. Мотивация для оксидов с высоким κ исходит из проблемы высокого туннельного тока через обычно используемые SiO2 диэлектрик затвора в полевых МОП-транзисторах при его уменьшении до толщины 1,0 нм и ниже. С помощью оксида с высоким κ можно сделать более толстый диэлектрик затвора для требуемой плотности емкости, таким образом, можно уменьшить туннельный ток через структуру.

Нитриды переходных металлов

Переходный металл нитриды, Такие как Банка и TaN, найти потенциальное использование как металлические барьеры и, как ворота металлические. Металлические барьеры используются для ограждения медные межсоединения используются в современных интегральных схемах, чтобы избежать диффузии Cu в окружающие материалы, такие как изоляторы и кремниевую подложку, а также для предотвращения загрязнения Cu элементами, диффундирующими из изоляторов, окружая каждое межсоединение Cu слоем металлических барьеров. К металлическим ограждениям предъявляются строгие требования: они должны быть чистыми; плотный; проводящий; конформный; тонкий; имеют хорошую адгезию к металлам и изоляторам. ALD может выполнить требования, касающиеся технологии процесса. Наиболее изученным нитридом ALD является TiN, который осаждается из TiCl.4 и NH3.[47]

Металлические пленки

Интерес к металлической ALD мотивирован:

  1. Межкомпонентные соединения Cu и W пробки, или, по крайней мере, слои семян Cu[48] для электроосаждения Cu и затравки W для CVD W,
  2. нитриды переходных металлов (например, TiN, TaN, WN) для межсоединительных барьеров из меди
  3. благородные металлы для сегнетоэлектрическая оперативная память (FRAM) и электроды конденсатора DRAM
  4. высокий и низкий-рабочая функция металлы для двойные ворота МОП-транзисторы.

Магнитные записывающие головки

Магнитные записывающие головки используют электрические поля для поляризации частиц и оставляют намагниченный узор на жестком диске.[49] Al2О3 ALD используется для создания однородных тонких слоев изоляции.[50] Используя ALD, можно контролировать толщину изоляции с высокой точностью. Это позволяет получать более точные модели намагниченных частиц и, следовательно, более качественные записи.

Конденсаторы DRAM

Конденсаторы DRAM - еще одно применение ALD. Отдельная ячейка DRAM может хранить один бит данных и состоит из одного МОП-транзистор и конденсатор. Основные усилия прилагаются к уменьшению размера конденсатора, что позволит повысить плотность памяти. Чтобы изменить размер конденсатора, не влияя на емкость, используются разные ориентации ячеек. Некоторые из них включают многослойные или траншейные конденсаторы.[51] С появлением траншейных конденсаторов возникла проблема изготовления этих конденсаторов, особенно из-за их размера. полупроводники уменьшается. ALD позволяет масштабировать элементы траншеи до значений, превышающих 100 нм. Возможность нанесения отдельных слоев материала позволяет в значительной степени контролировать материал. За исключением некоторых проблем, связанных с неполным ростом пленки (в основном из-за недостаточного количества или низкотемпературных подложек), ALD предоставляет эффективные средства для нанесения тонких пленок, таких как диэлектрики или барьеры.[52]

Биомедицинские приложения

Понимание и умение определять свойства поверхности на биомедицинский устройства имеют решающее значение в биомедицинской промышленности, особенно в отношении устройств, которые имплантируются в тело. Материал взаимодействует с окружающей средой на своей поверхности, поэтому свойства поверхности в значительной степени определяют взаимодействие материала с окружающей средой. Химия поверхности и топография поверхности влияют адсорбция белка, клеточные взаимодействия и иммунная реакция.[53]

Некоторые текущие применения в биомедицинских приложениях включают создание гибких сенсоров, модификацию нанопористых мембран, полимерную ALD и создание тонких биосовместимый покрытия. ALD использовался для нанесения TiO2 пленки для создания оптических волноводных датчиков в качестве диагностических инструментов.[54] Кроме того, ALD полезен при создании гибких сенсорных устройств, которые можно использовать, например, в одежде спортсменов для определения движения или частоты сердечных сокращений. ALD - это один из возможных способов производства гибких органических полевых транзисторов (OFET), поскольку это метод низкотемпературного осаждения.[55]

Нанопористый материалы появляются повсюду в биомедицинской промышленности в области доставки лекарств, имплантатов и тканевой инженерии. Преимущество использования ALD для модификации поверхностей нанопористых материалов заключается в том, что, в отличие от многих других методов, насыщение и самоограничивающийся характер реакций означает, что даже глубоко внедренные поверхности и границы раздела покрываются однородной пленкой.[1] Размер пор на нанопористых поверхностях может быть уменьшен еще больше в процессе ALD, поскольку конформное покрытие полностью покрывает внутреннюю часть пор. Это уменьшение размера пор может быть выгодным в определенных применениях.[56]

В качестве барьера проникновения пластмасс

ALD можно использовать как проникновение барьер для пластмасс.[57] Например, он хорошо зарекомендовал себя как метод инкапсуляции Светодиоды на пластике.[58][59] ALD также можно использовать для инокуляции 3-D печать пластиковые детали для использования в вакуум окружающей среде за счет уменьшения выделения газа, что позволяет создавать специальные недорогие инструменты как для обработки полупроводников, так и для космических приложений.[60] ALD может использоваться для создания барьера на пластике в процессах с рулонами.[61]

Качество и его контроль

Качество процесса ALD можно контролировать с помощью нескольких различных методов визуализации, чтобы убедиться, что процесс ALD протекает плавно и создает конформный слой на поверхности. Одним из вариантов является использование сканирующей электронной микроскопии поперечного сечения (SEM) или просвечивающей электронной микроскопии (TEM). Большое увеличение изображений уместно для оценки качества слоя ALD. Рентгеновская отражательная способность (XRR) - это метод измерения свойств тонких пленок, включая толщину, плотность и шероховатость поверхности.[62] Еще один инструмент оценки оптического качества - спектроскопический. эллипсометрия. Его нанесение между нанесением каждого слоя методом ALD позволяет получить информацию о скорости роста и характеристиках материала пленки.[63]

Применение этого инструмента анализа в процессе ALD, иногда называемого на месте спектроскопический эллипсометрия, позволяет лучше контролировать скорость роста пленок во время процесса ALD. Этот тип контроля качества происходит во время процесса ALD, а не после оценки пленок, как при визуализации ПЭМ или XRR. Кроме того, Спектроскопия резерфордовского обратного рассеяния (RBS), Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS), Оже-электронная спектроскопия (AES) и четырехконтактное зондирование может использоваться для предоставления информации о контроле качества тонких пленок, нанесенных методом ALD.[63]

Преимущества и ограничения

Преимущества

ALD обеспечивает контролируемый метод получения пленки заданной атомарной толщины. Кроме того, рост различных многослойных структур не вызывает затруднений. Из-за чувствительности и точности оборудования оно очень полезно для специалистов в области микроэлектроники и нанотехнологий при производстве небольших, но эффективных полупроводников. ALD обычно включает использование относительно низких температур и катализатора, который является термохимически предпочтительным. Более низкая температура полезна при работе с мягкими субстратами, такими как органические и биологические образцы. Некоторые предшественники, которые являются термически нестабильными, все же могут использоваться, если скорость их разложения относительно низкая.[1][24]

Недостатки

Высокая чистота субстратов очень важна, и как таковые повлекут за собой высокие затраты.Хотя эта стоимость может не сильно отличаться от стоимости необходимого оборудования, может потребоваться провести несколько испытаний, прежде чем найти условия, благоприятствующие желаемому продукту. После того, как слой нанесен и процесс завершен, может возникнуть потребность в удалении избыточных предшественников из конечного продукта. В некоторых конечных продуктах присутствует менее 1% примесей.[64]

Экономическая жизнеспособность

Стоимость инструментов для осаждения атомных слоев может варьироваться от 200 000 до 800 000 долларов в зависимости от качества и эффективности инструмента. Нет установленной стоимости для запуска цикла этих инструментов; стоимость варьируется в зависимости от качества и чистоты используемых подложек, а также температуры и времени работы машины. Некоторые субстраты менее доступны, чем другие, и требуют особых условий, так как некоторые из них очень чувствительны к кислороду и могут увеличивать скорость разложения. Многокомпонентные оксиды и некоторые металлы, традиционно необходимые в промышленности микроэлектроники, как правило, неэффективны с точки зрения затрат.[65]

Время реакции

Процесс ALD очень медленный, и это, как известно, является его основным ограничением. Например, Al2О3 наносится со скоростью 0,11 нм за цикл,[2] что может соответствовать средней скорости осаждения 100–300 нм в час, в зависимости от продолжительности цикла и скорости откачки. ALD обычно используется для производства подложек для микроэлектроники и нанотехнологий, поэтому толстые атомные слои не нужны. Многие подложки нельзя использовать из-за их хрупкости или загрязнения. Примеси обычно присутствуют в концентрации 0,1–1 ат.%, Поскольку известно, что некоторые из газов-носителей оставляют остатки и также чувствительны к кислороду.[64]

Химические ограничения

Прекурсоры должны быть летучими, но не подверженными разложению, так как большинство прекурсоров очень чувствительны к кислороду / воздуху, что ограничивает возможности использования субстратов. Некоторые биологические субстраты очень чувствительны к нагреванию и могут иметь высокие скорости разложения, которые не приветствуются, и дают более высокие уровни примесей. Доступно множество материалов для тонкопленочных подложек, но важные подложки, необходимые для использования в микроэлектронике, могут быть труднодоступными и могут быть очень дорогими.[64]

Рекомендации

  1. ^ а б c d е ж грамм час Овиро, Петр Озавеши; Акбарзаде, Рохсаре; Пан, Дунцин; Coetzee, Rigardt Alfred Maarten; Джен, Тянь-Чиен (2019). «Новые разработки в области осаждения атомных слоев: процессы, методы и приложения». Наука и технология перспективных материалов. 20 (ja): 465–496. Дои:10.1080/14686996.2019.1599694. ЧВК 6534251. PMID 31164953.открытый доступ
  2. ^ а б c d Пуурунен, Риикка Л. (15 июня 2005 г.). «Химия поверхности осаждения атомного слоя: пример процесса триметилалюминий / вода». Журнал прикладной физики. 97 (12): 121301–121301–52. Bibcode:2005JAP .... 97l1301P. Дои:10.1063/1.1940727.
  3. ^ а б Кессельс, W.M.M. (2019). «База данных ALD». Эйндховенский технологический университет. Дои:10.6100 / alddatabase. Цитировать журнал требует | журнал = (помощь)
  4. ^ а б c d Мииккулайнен, Вилле; Лескеля, Маркку; Ритала, Микко; Пуурунен, Риикка Л. (14 января 2013 г.). «Кристалличность неорганических пленок, выращенных осаждением атомных слоев: обзор и общие тенденции». Журнал прикладной физики. 113 (2): 021301–021301–101. Bibcode:2013JAP ... 113b1301M. Дои:10.1063/1.4757907.
  5. ^ Пуурунен, Риикка Л. (15 июня 2005 г.). «Химия поверхности осаждения атомного слоя: пример процесса триметилалюминий / вода». Журнал прикладной физики. 97 (12): 121301–121301–52. Bibcode:2005JAP .... 97l1301P. Дои:10.1063/1.1940727.
  6. ^ Knoops, Harm C.M .; Фараз, Тахсин; Искусство, Карстен; Кессельс, Вильгельм М. М. (Эрвин) (май 2019 г.). «Состояние и перспективы плазменного осаждения атомных слоев». Журнал вакуумной науки и технологий A. 37 (3): 030902. Bibcode:2019JVSTA..37c0902K. Дои:10.1116/1.5088582.
  7. ^ Mackus, Adriaan J.M .; Schneider, Joel R .; МакИсаак, Каллисто; Бейкер, Джон Дж .; Бент, Стейси Ф. (10 декабря 2018 г.). «Синтез легированных, тройных и четвертичных материалов путем осаждения атомных слоев: обзор». Химия материалов. 31 (4): 1142–1183. Дои:10.1021 / acs.chemmater.8b02878.
  8. ^ а б c Ахвенниеми, Эско; Акбашев Андрей Р .; Али, Сайма; Бечеланы, Михаэль; Бердова Мария; Бояджиев, Стефан; Кэмерон, Дэвид Ч .; Чен, Ронг; Чубаров, Михаил (2016). Обзорная статья: Рекомендуемый список для чтения ранних публикаций по осаждению атомных слоев - Итоги виртуального проекта по истории ALD"". Журнал вакуумной науки и технологий A: вакуум, поверхности и пленки. 35 (1): 010801. Bibcode:2017JVSTA..35a0801A. Дои:10.1116/1.4971389.
  9. ^ Виртуальный проект по истории ALD. vph-ald.com
  10. ^ а б c d е ж грамм час я j k л м Пуурунен, Риикка Л. (2014). "Краткая история осаждения атомного слоя: эпитаксия атомного слоя Туомо Сунтола". Химическое осаждение из паровой фазы. 20 (10–11–12): 332–344. Дои:10.1002 / cvde.201402012.
  11. ^ а б c d е ж грамм час я Малыгин, Анатолий А .; Дрозд, Виктор Е .; Малков, Анатолий А .; Смирнов, Владимир М. (2015). "От" рамочной "гипотезы В. Б. Алесковского к методу молекулярного расслоения / осаждения атомных слоев". Химическое осаждение из паровой фазы. 21 (10–11–12): 216–240. Дои:10.1002 / cvde.201502013.
  12. ^ а б Пуурунен, Рийкка. «Уроки открытой науки: виртуальный проект по истории ALD». ecsarxiv.org. Дои:10.1149 / osf.io / exyv3. Получено 26 декабря 2018.
  13. ^ Алесковский, В.Б. Прикл. Хим. 47, 2145 (1974); [Дж. Appl. Chem. СССР. 47, 2207, (1974)].
  14. ^ а б c Сунтола, Т. и Антсон, Дж. (1977) Патент США 4058430 «Способ получения сложных тонких пленок»
  15. ^ Suntola, T .; Паккала А. и Линдфорс С. (1983) Патент США 4389973 «Аппарат для выращивания сложных тонких пленок»
  16. ^ «Премия тысячелетия в области технологий 2018 для Туомо Сунтола - инновации финского физика позволяют производить и разрабатывать продукты в области информационных технологий» (Пресс-релиз). Технологическая академия Финляндии. 22 мая 2018. Получено 22 мая 2018.
  17. ^ Парсонс, Грегори Н .; Элам, Джеффри В .; Джордж, Стивен М .; Хаукка, Суви; Чон, Хёнтаг; Кессельс, В. М. М. (Эрвин); Лескеля, Маркку; Пудт, Пол; Ритала, Микко (2013). «История осаждения атомного слоя и его связь с Американским вакуумным обществом». Журнал вакуумной науки и технологий A. 31 (5): 050818. Bibcode:2013JVSTA..31e0818P. Дои:10.1116/1.4816548.
  18. ^ «Получатели премии IEEE Andrew S. Grove Award». Премия IEEE Эндрю С. Гроув. Институт инженеров по электротехнике и электронике. Получено 4 июля 2019.
  19. ^ Сандху, Гуртей; Доан, Чунг Т. (22 августа 2001 г.). «Аппарат и метод легирования атомного слоя». Патенты Google. Получено 5 июля 2019.
  20. ^ Mistry, K .; Allen, C .; Auth, C .; Битти, Б .; Bergstrom, D .; Bost, M .; Brazier, M .; Buehler, M .; Cappellani, A .; Chau, R .; Choi, C.-H .; Ding, G .; Фишер, К .; Ghani, T .; Grover, R .; Han, W .; Hanken, D .; Hattendorf, M .; He, J .; Hicks, J .; Huessner, R .; Ингерли, Д .; Jain, P .; James, R .; Jong, L .; Joshi, S .; Kenyon, C .; Kuhn, K .; Лук-порей.; и другие. (2007). «45-нанометровая логическая технология с транзисторами с металлическим затвором High-k +, напряженным кремнием, 9 слоями медных межсоединений, 193-нанометровым сухим рисунком и 100% бессвинцовой упаковкой» (PDF). 2007 Международная конференция по электронным устройствам IEEE. С. 247–250. Дои:10.1109 / IEDM.2007.4418914. ISBN 978-1-4244-1507-6. S2CID 12392861. Архивировано из оригинал (PDF) 18 февраля 2008 г.
  21. ^ «Как работает осаждение атомного слоя». Youtube (2011).
  22. ^ Батт, Ханс-Юрген; Граф, Карлхайнц; Каппл, Майкл (2013). Физика и химия интерфейсов (Третье, исправленное изд.). ISBN 978-3-527-41216-7.
  23. ^ «2.3 Кинетика адсорбции - скорость адсорбции». www.chem.qmul.ac.uk.
  24. ^ а б c d е ж грамм час я j k л м п о п q р s т Джордж, С. (2010). «Осаждение атомного слоя: обзор». Chem. Rev. 110 (1): 111–131. Дои:10.1021 / cr900056b. PMID 19947596.
  25. ^ а б Knisley, Thomas J .; Kalutarage, Lakmal C .; Уинтер, Чарльз Х. (декабрь 2013 г.). «Прекурсоры и химия для осаждения атомных слоев металлических пленок переходных металлов первого ряда». Обзоры координационной химии. 257 (23–24): 3222–3231. Дои:10.1016 / j.ccr.2013.03.019.
  26. ^ Хейнс, Уильям М., изд. (2011). Справочник по химии и физике CRC: готовый справочник химических и физических данных (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. ISBN 9781439855119. OCLC 730008390.
  27. ^ Гордон, Питер Дж .; Курек, Агнешка; Барри, Шон Т. (2015). «Тенденции в разработке прекурсоров меди для CVD и ALD приложений». Журнал ECS по науке и технологиям твердого тела. 4 (1): N3188 – N3197. Дои:10.1149 / 2.0261501jss. ISSN 2162-8769.
  28. ^ Knisley, Thomas J .; Ariyasena, Thiloka C .; Саджаваара, Тимо; Сали, Марк Дж .; Уинтер, Чарльз Х. (25 октября 2011 г.). «Низкотемпературное выращивание высокочистых медных пленок с низким удельным сопротивлением путем осаждения атомных слоев». Химия материалов. 23 (20): 4417–4419. Дои:10,1021 / см202475e. ISSN 0897-4756.
  29. ^ Го, Чжэн; Ли, Хао; Чен, Цян; Пел, Лицзюнь; Ян, Личжэнь; Лю, Чжунвэй; Ван, Синьвэй (8 сентября 2015 г.). "Низкотемпературное атомное послойное осаждение высокочистых, гладких медных пленок с низким удельным сопротивлением с использованием предшественника амидината и водородной плазмы". Химия материалов. 27 (17): 5988–5996. Дои:10.1021 / acs.chemmater.5b02137. ISSN 0897-4756.
  30. ^ а б Klaus, J.W; Ферро, С.Дж.; Джордж С.М. (февраль 2000 г.). «Осаждение атомного слоя вольфрама с использованием последовательной химии поверхности с жертвенной реакцией отрыва». Тонкие твердые пленки. 360 (1–2): 145–153. Bibcode:2000TSF ... 360..145K. Дои:10.1016 / S0040-6090 (99) 01076-7.
  31. ^ Seghete, D .; Rayner, G.B .; Cavanagh, A.S .; Андерсон, В.Р .; Джордж, С. (12 апреля 2011 г.). «Осаждение атомного слоя молибдена с использованием MoF 6 и Si 2 H 6 в качестве реагентов». Химия материалов. 23 (7): 1668–1678. Дои:10,1021 / см 101673u. ISSN 0897-4756.
  32. ^ Grubbs, R.K .; Steinmetz, N.J .; Джордж, С. М. (2004). «Продукты газофазной реакции при осаждении атомного слоя вольфрама с использованием WF [sub 6] и Si [sub 2] H [sub 6]». Журнал Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 22 (4): 1811. Bibcode:2004JVSTB..22.1811G. Дои:10.1116/1.1767105.
  33. ^ Fabreguette, F.H .; Sechrist, Z.A .; Elam, J.W .; Джордж, С. (Сентябрь 2005 г.). «Исследование микровесов кристаллов кварца для осаждения атомного слоя вольфрама с использованием WF6 и Si2H6». Тонкие твердые пленки. 488 (1–2): 103–110. Bibcode:2005TSF ... 488..103F. Дои:10.1016 / j.tsf.2005.04.114.
  34. ^ Elam, J.W; Nelson, C.E; Граббс, Р.К .; Джордж С.М. (май 2001 г.). «Кинетика поверхностных реакций WF6 и Si2H6 при осаждении атомного слоя вольфрама». Наука о поверхности. 479 (1–3): 121–135. Bibcode:2001СурСк.479..121Е. Дои:10.1016 / S0039-6028 (01) 00969-4.
  35. ^ Kalutarage, Lakmal C .; Мартин, Филип Д .; Хег, Мэри Джейн; Уинтер, Чарльз Х. (28 августа 2013 г.). «Летучие и термически стабильные комплексы металлов со средним и поздним переходным периодом, содержащие α-иминоалкоксидные лиганды, новый сильно восстанавливающий кореагент и термическое атомное послойное осаждение металлических пленок Ni, Co, Fe и Cr». Журнал Американского химического общества. 135 (34): 12588–12591. Дои:10.1021 / ja407014w. ISSN 0002-7863. PMID 23947400.
  36. ^ Клеско, Джозеф П .; Дрозд, Кристофер М .; Уинтер, Чарльз Х. (28 июля 2015 г.). «Термическое атомно-слоистое осаждение титановых пленок с использованием тетрахлорида титана и 2-метил-1,4-бис (триметилсилил) -2,5-циклогексадиена или 1,4-бис (триметилсилил) -1,4-дигидропиразина». Химия материалов. 27 (14): 4918–4921. Дои:10.1021 / acs.chemmater.5b01707. ISSN 0897-4756.
  37. ^ Стивенс, Эрик С .; Mousa, Moataz Bellah M .; Парсонс, Грегори Н. (ноябрь 2018 г.). «Термическое атомное осаждение слоя металлического Sn с использованием SnCl 4 и парофазного силилдигидропиразинового восстановителя». Журнал вакуумной науки и технологий A. 36 (6): 06A106. Bibcode:2018JVSTA..36fA106S. Дои:10.1116/1.5055212. ISSN 0734-2101.
  38. ^ Блейкни, Кайл Дж .; Уинтер, Чарльз Х. (27 марта 2018 г.). «Атомно-слоистое осаждение алюминиевых металлических пленок с использованием термостойкого восстановителя на основе гидрида алюминия». Химия материалов. 30 (6): 1844–1848. Дои:10.1021 / acs.chemmater.8b00445. ISSN 0897-4756.
  39. ^ Brown, S .; Howe, J.Y .; Ma, Z .; Et (2008). «Модификация поверхности Au / TiO2 Катализаторы SiO2 с помощью осаждения атомных слоев ". Журнал физической химии C. 112 (25): 9448–9457. Дои:10.1021 / jp801484h.
  40. ^ а б Вернер, Флориан; Стальс, Уолтер; Горцен, Роджер; Вейт, Борис; Брендель, Рольф; Шмидт, янв (2011). «Высокоскоростное атомно-слоистое осаждение Al2О3 для пассивации поверхности кремниевых солнечных элементов ». Энергетические процедуры. 8: 1301–306. Дои:10.1016 / j.egypro.2011.06.140.
  41. ^ а б c d Ким, Х. (2003). "Осаждение атомных слоев тонких пленок металлов и нитридов: текущие исследовательские усилия и приложения для обработки полупроводниковых устройств". Журнал вакуумной науки и техники. 21 (6): 2231. Bibcode:2003JVSTB..21.2231K. Дои:10.1116/1.1622676.
  42. ^ Mackus, Adriaan J.M .; Гарсия-Алонсо, Диана; Knoops, Harm C.M .; Bol, Ageeth A .; Кессельс, Вильгельм М. М. (2013). «Атомно-слоистое осаждение платины при комнатной температуре». Химия материалов. 25 (9): 1769–1774. Дои:10,1021 / см 400274n.
  43. ^ Грир, Фрэнк; Fraser, D .; Коберн, Дж. и Грейвс, Дэвид Б. (2002) «Фундаментальные исследования с использованием вакуумного пучка для химического осаждения из паровой фазы с радикальным атомным слоем (REAL-CVD) TiN». NCCAVS.
  44. ^ Potts, S.E .; Кессельс, W.M.M. (Декабрь 2013). «Осаждение атомных слоев с повышенным энергопотреблением для большей универсальности процессов и прекурсоров». Обзоры координационной химии. 257 (23–24): 3254–3270. Дои:10.1016 / j.ccr.2013.06.015.
  45. ^ Knoops, Harm C.M .; Braeken, Eline M. J .; де Пойтер, Коэн; Potts, Стивен Э .; Хаукка, Суви; Поре, Вильями; Кессельс, Вильгельм М. М. (9 сентября 2015 г.). «Атомно-слоистое осаждение нитрида кремния из бис (терт-бутиламино) силан и N2 Плазма ». Прикладные материалы и интерфейсы ACS. 7 (35): 19857–19862. Дои:10.1021 / acsami.5b06833. PMID 26305370.
  46. ^ Langereis, E .; Knoops, H.C.M .; Mackus, A. J. M .; Roozeboom, F .; van de Sanden, M.C.M .; Кессельс, В. М. М. (15 октября 2007 г.). «Синтез и определение характеристик низкоомного TaN на месте.Икс пленки методом дистанционного плазменного осаждения атомных слоев ». Журнал прикладной физики. 102 (8): 083517–083517–11. Bibcode:2007JAP ... 102х3517Л. Дои:10.1063/1.2798598.
  47. ^ Elers, K.-E .; Saanila, V .; Soininen, P.J .; Li, W.-M .; Kostamo, J.T .; Haukka, S .; Juhanoja, J .; Беслинг, W.F.A. (2002). «Нанесение диффузионного барьера на поверхность меди путем осаждения атомного слоя». Химическое осаждение из паровой фазы. 8 (4): 149. Дои:10.1002 / 1521-3862 (20020704) 8: 4 <149 :: AID-CVDE149> 3.0.CO; 2-F.
  48. ^ Waechtler, T .; и другие. (2011). «Затравочные слои, выращенные методом ALD, для электрохимического осаждения меди, интегрированные с различными системами диффузионного барьера» (PDF). Микроэлектрон. Англ.. 88 (5): 684–689. Дои:10.1016 / j.mee.2010.07.004.
  49. ^ Теория магнитной записи. stanford.edu
  50. ^ Лескеля, Маркку (2010). «Промышленное применение атомно-слоистого осаждения (ALD)». 10-я конференция ММИИКС. Архивировано из оригинал 30 мая 2012 г.
  51. ^ Мэйтас, Брайан; де Субербазо, Кристиан (1997). «Глава 7. Технология DRAM» (PDF). Память, 1997: полное покрытие микросхем DRAM, Sram, EPROM и флэш-памяти. Скоттсдейл, Аризона, США: Integrated Circuit Engineering Corp. ISBN 978-1877750595.
  52. ^ Гуче М. (2003). «Нанесение атомарного слоя для расширенных приложений DRAM». Future Fab Intl. 14. Архивировано из оригинал 8 сентября 2005 г.
  53. ^ Чен, Хонг; Юань, Линь; Песня, Вэй; Ву, Шонгкуй; Ли, Дэн (2008). «Биосовместимые полимерные материалы: роль взаимодействия белков с поверхностью». Прогресс в науке о полимерах. 33 (11): 1059–1087. Дои:10.1016 / j.progpolymsci.2008.07.006.
  54. ^ Purniawan, A .; French, P.J .; Pandraud, G .; Сарро, П. (2010). «TiO2 Нанослой ALD как непрозрачный волновод для биомедицинских сенсоров ». Разработка процедур. 5: 1131–1135. Дои:10.1016 / j.proeng.2010.09.310.
  55. ^ Пан, Чанхён; Ли, Чансок; Сух, Кап-Янг (2013). «Последние достижения в области гибких датчиков для носимых и имплантируемых устройств». Журнал прикладной науки о полимерах. 130 (3): 1429–1441. Дои:10.1002 / app.39461.
  56. ^ Адига, Шашишекар П .; Curtiss, Larry A .; Элам, Джеффри В .; Пеллин, Майкл Дж .; Ши, Чун-Че; Ши, Чун-Мин; Линь, Шинг-Джонг; Су, Йеа-Ян; Gittard, Shaun D .; Чжан, Цзюньпин; Нараян, Роджер Дж. (2008). «Нанопористые материалы для биомедицинских устройств». Биологическое материаловедение. 60 (3): 26–32. Bibcode:2008JOM .... 60c..26A. Дои:10.1007 / s11837-008-0028-9. S2CID 135635044.
  57. ^ Лей Венвен; Ли Синцунь; Чен Цян; Ван Чжэндуо (февраль 2012 г.). "Плазменная технология ALD барьерного слоя Al2O3 на пластике". Наука и технологии плазмы. 14 (2): 129. Bibcode:2012PlST ... 14..129L. Дои:10.1088/1009-0630/14/2/09. ISSN 1009-0630.
  58. ^ Пак, Санг-Хи Ко; О, Джиён; Хван, Чи-Сун; Ян, Ён Сок; Ли, Чон-Ик; Чу, Хе Ён (январь 2004 г.). «Ультратонкая пленка OLED на пластиковой подложке». Журнал информационного дисплея. 5 (3): 30–34. Дои:10.1080/15980316.2004.9651953. ISSN 1598-0316. S2CID 135967211.
  59. ^ Пак, Санг-Хи Ко; О, Джиён; Хван, Чи-Сун; Ли, Чон Ик; Ян, Ён Сок; Чу, Хе Ён; Канг, Кван-Ён (14 октября 2005 г.). «Инкапсуляция ультратонкой пленки OLED на пластиковой подложке». Журнал ETRI. 27 (5): 545–550. Дои:10.4218 / etrij.05.0905.0006. ISSN 1225-6463.
  60. ^ Heikkinen, Ismo T.S .; Марин, Джованни; Бихари, Нупур; Экструм, Крейг; Мэйвилл, Пирс Дж .; Фэй, Юйхуань; Ху, Юнь Ханг; Карппинен, Маарит; Савин, Хеле; Пирс, Джошуа М. (март 2020 г.). «Осажденный атомный слой оксида алюминия снижает газовыделение из компонентов с трехмерной печатью на основе изготовления сплавленных нитей». Технология поверхностей и покрытий. 386: 125459. Дои:10.1016 / j.surfcoat.2020.125459.
  61. ^ Хирвикорпи, Терхи; Лайне, Ристо; Вяха-Нисси, Мика; Килпи, Вяйнё; Сало, Эркки; Ли, Вэй-Минь; Линдфорс, Свен; Вартиайнен, Яри; Кентта, Эйя; Никкола, Юха; Харлин, Али (январь 2014 г.). «Барьерные свойства пластиковых пленок, покрытых слоем Al2O3 методом покатного атомного осаждения». Тонкие твердые пленки. 550: 164–169. Bibcode:2014TSF ... 550..164H. Дои:10.1016 / j.tsf.2013.10.148.
  62. ^ Ясака, Михо (2010). «Рентгеновские тонкопленочные методы измерения» (PDF). Журнал Ригаку. 26 (2): 1–9.
  63. ^ а б Langereis, E .; Heil, S B S .; Knoops, H C M .; Keuning, W .; Ван Де Санден, М. С. М .; Кессельс, В. М. М. (2009). «Спектроскопическая эллипсометрия in situ как универсальный инструмент для изучения осаждения атомных слоев». Журнал физики D: Прикладная физика. 42 (7): 1–19. Дои:10.1088/0022-3727/42/7/073001.
  64. ^ а б c Leskelä, M .; Ритала, М. (2003). «Химия осаждения атомных слоев: последние разработки и будущие задачи» (PDF). Angewandte Chemie. 42 (45): 5548–54. Дои:10.1002 / anie.200301652. PMID 14639717. Архивировано из оригинал (PDF) 14 июля 2014 г.
  65. ^ «Молекулярно-лучевая эпитаксия и системы осаждения атомных слоев». SVT Associates.

внешняя ссылка