WikiDer > Оптически обнаруженный магнитный резонанс

В физике Оптически обнаруживаемый магнитный резонанс (ODMR) представляет собой метод двойного резонанса, с помощью которого электронное спиновое состояние кристаллического дефекта может быть оптически накачано для инициализации и считывания спина.^[1]

подобно электронный парамагнитный резонанс (EPR) ODMR использует Эффект Зеемана в неспаренных электронах. Отрицательно заряженный центр вакансий азота (NV⁻) был объектом значительного интереса с точки зрения проведения экспериментов с использованием ODMR.^[2]

ОДМР НВ⁻s в алмазе имеет применение в магнитометрия ^[3] и зондирование, биомедицинский визуализация квантовая информация и исследование фундаментальных физика.

NV ODMR

Вакансия азота дефект в алмаз состоит из одного замещающего азот атом (замена одного углерод атома) и соседний зазор или вакансию в решетке, где обычно находится атом углерода.

Азотный вакансионный центр в алмазе решетка, если смотреть по оси [100]. Атомы углерода (серый цвет) составляют объемный кристалл алмаза. Замещающий атом азота (синяя сфера) находится рядом с вакансией (заштрихованная область), образуя NV.

Вакансия азота находится в трех возможных зарядовых состояниях: положительном (NV⁺), нейтральный (NV⁰) и отрицательный (NV⁻).^[4] Как NV⁻ является единственным из этих зарядовых состояний, которое, как было показано, является активным ODMR, его часто называют просто NV.

В уровень энергии структура NV⁻ состоит из основного триплетного состояния, триплетного возбужденного состояния и двух синглетных состояний. При резонансном оптическом возбуждении NV может переходить из основного триплетного состояния в триплетное возбужденное состояние. Затем центр может вернуться в основное состояние двумя путями; излучением фотона 637 нм в линия нулевого фонона (ZPL) (или более длинная волна от боковой полосы фононов) или, альтернативно, через вышеупомянутые синглетные состояния через межсистемное пересечение и испускание фотона 1042 нм. Возврат в основное состояние по последнему маршруту предпочтительно приведет к ${ displaystyle m_ {s} = 0}$ штат.

Расслабление для ${ displaystyle m_ {s} = 0}$ состояние обязательно приводит к уменьшению видимой длины волны флуоресценция (поскольку излучаемый фотон находится в инфракрасный классифицировать). СВЧ накачка на резонансной частоте ${ displaystyle nu = 2,87 { text {}} ГГц}$ помещает центр в вырожденный ${ displaystyle m_ {s} = pm 1}$ штат. Применение магнитное поле поднимает это вырождение, вызывая зеемановское расщепление и уменьшение флуоресценции на двух резонансных частотах, определяемых формулой ${ displaystyle h nu = g_ {e} mu _ {B} B_ {0}}$, куда ${ displaystyle h}$ это Постоянная Планка, ${ displaystyle g_ {e}}$ электрон g-фактор и ${ displaystyle mu _ {B}}$ это Магнетон Бора. Перемещение микроволнового поля через эти частоты приводит к двум характерным провалам в наблюдаемой флуоресценции, разделение между которыми позволяет определить силу магнитного поля. ${ displaystyle B_ {0}}$.

Возбуждение зеленым светом переводит NV в триплетное возбужденное состояние. Затем релаксация испускает красный или (необнаруженный) инфракрасный фотон, помещая центр в ${ displaystyle m_ {s} = 0}$ штат. Микроволновая накачка поднимает центр до ${ displaystyle m_ {s} = pm 1}$, где может происходить зеемановское расщепление.

Сверхтонкое расщепление

Дальнейшее расщепление спектра флуоресценции может происходить из-за сверхтонкое взаимодействие что приводит к дополнительным условиям резонанса и соответствующим спектральным линиям. В NV ODMR эта подробная структура обычно происходит из азота и углерод-13 атомы рядом с дефектом. Эти атомы имеют небольшие магнитные поля, которые взаимодействуют со спектральными линиями от NV, вызывая дальнейшее расщепление.

Рекомендации