WikiDer > Сублимационный сэндвич-метод

Sublimation sandwich method
Si является кремний, C есть углерод, SiC2 является дикарбид кремния, Si2C - это карбид дис кремния, Ar газообразный аргон

В сублимационный сэндвич-метод (также называемый сублимационный сэндвич-процесс и сублимационная сэндвич-техника) является своего рода физическое осаждение из паровой фазы используется для создания искусственных кристаллов. Карбид кремния является наиболее распространенным кристаллом, выращенным таким образом, хотя другие кристаллы также могут быть созданы с его помощью (особенно нитрид галлия).

В этом методе среда вокруг монокристалла или поликристаллической пластины заполнена паром, нагретым до температуры от 1600 ° C до 2100 ° C - изменения в этой среде могут повлиять на газовую фазу. стехиометрия. Расстояние от источника до кристалла поддерживается в пределах 0,02–0,03 мм (очень низкое). Параметры, которые могут повлиять на рост кристаллов, включают расстояние от источника до подложки, градиент температуры и наличие тантал для сбора лишнего углерод. Высокие скорости роста являются результатом малых расстояний от источника до семян в сочетании с большим тепловым потоком на небольшое количество исходного материала при не более чем умеренной разнице температур между подложкой и источником (0,5-10 ° C). Рост больших бульОднако использование этого метода остается довольно сложным, и он лучше подходит для создания эпитаксиальные пленки с униформой политип конструкции.[1] В конечном итоге с помощью этого метода можно изготавливать образцы толщиной до 500 мкм.[2]

Рекомендации

  1. ^ SiC материалы и устройства. Академический. 2 июля 1998 г. с. 56. ISBN 978-0-08-086450-1. Получено 12 июля 2013.
  2. ^ Сафа Касап; Питер Кэппер (1 января 2006 г.). Справочник Springer по электронным и фотонным материалам. Springer. п. 245. ISBN 978-0-387-29185-7. Получено 12 июля 2013.

Смотрите также

  • Lely метод
  • Процесс Чохральского
  • Мохов, Е. и др .: «Рост объемных кристаллов карбида кремния методом сублимационных сэндвичей», Elsevier Science S.A., 1997, стр. 317-323.