WikiDer > Двухфотонный фотоэлектрический эффект

Двухфотонный фотоэлектрический эффект (Эффект TPP) - метод сбора энергии, основанный на двухфотонное поглощение (TPA). Эффект TPP можно рассматривать как нелинейный эквивалент традиционного фотоэлектрический эффект с высокой оптической интенсивностью. Этот эффект возникает, когда два фотона поглощаются одновременно, что приводит к электронно-дырочная пара.

Фон

TPA обычно на несколько порядков слабее линейного поглощения при низкой интенсивности света. Он отличается от линейного поглощения тем, что скорость оптического перехода из-за TPA зависит от квадрата интенсивности света, таким образом, это нелинейно-оптический процесс и может преобладать над линейным поглощением при высоких интенсивностях. Следовательно, рассеяние мощности от TPA и возникающее в результате рассеяние свободных носителей являются вредными проблемами в полупроводник устройства, которые работают на основе нелинейно-оптических взаимодействий, таких как Керр и Раман эффекты при работе с высокой интенсивностью. Влияние ТЭС исследуется как возможное решение этого двойного кризиса энергоэффективности.

Хотя некоторые улучшения и теоретические исследования в этой области были сделаны в прошлом, конкретное применение эффекта было впервые численно и экспериментально проанализировано авторами Бахрам Джалали и коллегами в 2006 г. Кремний.^[1]

Физика

Устройства воздействия TPP основаны на волноводы с боковым p – n переход диоды, в которых мощность накачки нелинейно теряется из-за TPA и поглощения свободных носителей (FCA) в направлении z, перпендикулярном поперечному сечению перехода x-y.

Сопряженная оптическая интенсивность определяется следующим уравнением:

${ displaystyle { frac {dI_ {p} (z)} {dz}} = underbrace {- ( alpha + alpha _ {FCA}) I_ {p} (z)} _ { text {Линейное поглощение }} - underbrace { beta I_ {p} ^ {2} (z)} _ { text {TPA}}}$

(1)

куда:

α - коэффициент линейного поглощения;

β коэффициент TPA;

и α_FCA называется коэффициентом FCA, который определяется выражением Сорефа.

Скорость фотогенерации носителя определяется:

${ displaystyle G = { frac {dN} {dt}} = - { frac {dI_ {TPA}} {dz}} cdot { frac {1} {2E_ {p}}} = { frac { beta I_ {p} ^ {2}} {2E_ {p}}}}$

куда E_п - энергия фотона и множитель ${ displaystyle { tfrac {1} {2}}}$ Это связано с тем, что в процессе участвуют два фотона.

Фототок на единицу длины: ${ textstyle I_ {G} = q cdot A_ {eff} cdot G}$, куда ${ textstyle A_ {eff}}$- эффективная площадь волновода и q - заряд электрона. Для волновода длиной L, у нас есть

$${ displaystyle I_ {G} = { frac { beta qA_ {eff}} {2E_ {p}}} int _ {0} ^ {L} I_ {p} ^ {2} (z) dz}$$

Мы определяем ${ textstyle I_ {p0}}$ как интенсивность связанной накачки при ${ displaystyle z = 0}$. Таким образом, получаем следующее выражение:

$${ displaystyle I_ {G} = { frac { beta qA_ {eff} I_ {p0} ^ {2}} {2E_ {p}}} int _ {0} ^ {L} { frac {I_ { p} ^ {2} (z)} {I_ {p0} ^ {2}}} dz}$$

(2)

${ Displaystyle L_ {NL} = int _ {0} ^ {L} { frac {I_ {p} ^ {2} (z)} {I_ {p0} ^ {2}}} dz}$

Это последнее выражение называется эффективной длиной, которая является нелинейным эквивалентом длины взаимодействия, определенной в оптические волокна. Вклад в инжекция носителей и рекомбинация к общему току также необходимо учитывать, чтобы полный ток фотодиода выражался как:^[2]

${ displaystyle I_ {T} = I_ {G} + I_ {D} + I_ {R}}$

(3)

В Уравнение шокли дает ВАХ идеализированного диода:^[3]

${ displaystyle I_ {D} = I_ {s} (e ^ { frac {qV_ {s}} {k_ {B} T}} - 1)}$

(4)

Значение ${ displaystyle I_ {s}}$ называется током насыщения обратного смещения и определяется как:^[3]

${ displaystyle I_ {s} = qhL cdot ({ frac {D_ {n} n_ {p0}} {L_ {n}}}} + { frac {D_ {p} p_ {n0}} {L_ {p }}})}$

куда час и L определены на рис. 1, а остальные параметры имеют обычное значение, определенное в справочнике Зе. Физика полупроводниковых приборов.^[3]

Уравнение Шокли справедливо, поскольку фотогенерация в областях, легированных N и P, в p − n-диоде незначительна. Это контрастирует с традиционной теорией солнечных элементов, в которой фотогенерация преимущественно происходит в областях, легированных N и P.^[4] как показано на рис.2.

Из-за ПИН-код (Рисунок 2) мы должны принять во внимание рекомбинационный ток, который мы аппроксимируем как Рекомбинация Шокли – Рида – Холла. предоставлено:

${ displaystyle I_ {R} = { frac {qh (W + 2d) LN_ {eff}} { tau _ {n} + tau _ {p}}}}$

(5)

куда ${ displaystyle W + 2d}$ определено на рисунке 1, ${ displaystyle N_ {eff}}$ - эффективная плотность носителей вдоль ${ displaystyle { hat {z}}}$ и ${ Displaystyle тау _ {п}}$ и ${ displaystyle tau _ {p}}$ - времена жизни объемной рекомбинации электронов и дырок соответственно.

В схеме рассеяние мощности относится к скорости потери энергии из-за резистивных элементов и традиционно определяется следующим образом:

${ Displaystyle P = -I_ {G} cdot V_ {m}}$

(6)

Теперь мы определяем эффективность сбора, то есть количество носителей / фотонов, потребляемых TPA:^[4]

${ displaystyle eta _ {c} = { frac {I_ {T}} {2I_ {G}}}}$

(7)

Это подходит для таких устройств, как усилители и преобразователи длины волны, где сбор энергии является полезным побочным продуктом, но не основной функцией самого устройства. Если эффект TPP предназначен для использования в фотоэлектрических элементах, то энергоэффективность ${ displaystyle eta _ {p}}$ следует считать.

Во-первых, внешняя квантовая эффективность определяется выражением ${ displaystyle eta _ {ext} = eta _ {соединение} cdot eta _ {q}}$, куда ${ displaystyle n_ {соединение}}$ относится к эффективности ввода света в волновод и

${ displaystyle eta _ {q} = { frac {E_ {p} I_ {T}} {qI_ {p0} A_ {eff}}}}$

что может быть приблизительно равно:

${ displaystyle eta _ {q} (V_ {m}) приблизительно { frac { beta L_ {NL} I_ {p0}} {2}}}$

Наконец, энергоэффективность определяется по формуле:

${ displaystyle eta _ {p} = eta _ {ext} cdot { frac {qV} {E_ {p}}} приблизительно { frac { eta _ {соединение} q beta} {2E_ { p}}} V_ {m} L_ {NL} I_ {p0}}$

(8)

Промежуточная полоса

Общепринятый солнечные батареи полагаются на однофотонные переходы между валентностью (VB) и зона проводимости (CB) полупроводник. Использование промежуточного состояния в запрещенная зона был впервые описан Луке и Марти в 1997 году.^[5] Они показали, что с добавлением промежуточного уровня к ленточная диаграмма солнечного элемента, теоретический предел эффективности может быть улучшен до значения, намного превышающего предел Шокли-Кайссера.^[6] модель. Это улучшение возможно за счет захвата фотонов подзонной зоны. Наличие промежуточной полосы позволяет поглощать такие фотоны, приводя к генерации электронно-дырочных пар, добавляя к парам, создаваемым прямыми оптическими переходами. При двух независимых электронных возбуждениях фотоны поглощаются переходами из валентной (VB) в промежуточную зону (IB) и из промежуточной (IB) в зону проводимости (VB). Для достижения оптимальных результатов любые устройства и процессы считаются идеальными, поскольку связанные с ними условия включают бесконечное количество мобильность оператора, полное поглощение желаемых фотонов, частичное заполнение IB для передачи и приема электронов и отсутствие возможности отвода тока из IB. В рамках этого расчета предельная эффективность солнечного элемента промежуточной зоны (IBSC) составляет 63,1%.

Наличие промежуточной полосы может быть результатом использования нескольких методов, но в первую очередь из-за введения примесей в кристаллическую структуру. Известно, что множественные редкоземельные элементы таким образом создают необходимые состояния между зонами в полупроводниковом материале. Увеличение концентрации таких примесей приводит к возможности формирования промежуточной полосы, как это продемонстрировано в сплавах GaAs. Интересной альтернативой является использование квантовая точка технологии. Солнечный элемент может быть спроектирован таким образом, чтобы включать в себя область структуры квантовых точек, которая вызывает желаемое ограниченное состояние. В 2001 году Марти и др. предложили реальный метод выполнения условия полузаполненной полосы.^[7] До сих пор ведутся активные исследования того, какие материалы демонстрируют такие желаемые характеристики, а также синтез таких материалов.

Эффективность основных принципов работы устройства IBSC была впервые доказана при создании фототока Марти и др. в 2006 году.^[8]

Материалы

Полупроводниковые материалы настолько актуальны из-за того, что их проводящие свойства можно изменить полезными способами путем введения примесей («легирования») в кристаллическую структуру. Там, где в одном кристалле существуют две разные легированные области, создается полупроводниковый переход. Разработка этих переходов лежит в основе диодов, транзисторов и всей современной электроники. Примеры полупроводников - кремний, германий, арсенид галлия. После кремния арсенид галлия является вторым по распространенности полупроводником.^[3]

Кремний (Si)

Кремниевая фотоника широко изучается со времен пионерских работ Сорефа и Петерманна в конце 1980-х - начале 1990-х годов.^[9] из-за желания создавать недорогие фотонные устройства, используя преимущества мощной инфраструктуры производства кремния. Кремний вафли имеют самую низкую стоимость (на единицу площади) и самое высокое качество кристаллов среди всех полупроводниковых материалов.

Однако аргументы в пользу кремниевой фотоники еще сильнее. Кремний обладает отличными свойствами материала, которые важны для фотонных устройств:^[2]

• высокая теплопроводность (в ~ 10 раз выше, чем у GaAs),
• высокий порог оптического повреждения (∼10 раз выше, чем у GaAs),
• высокие оптические нелинейности третьего порядка

Последний пункт действительно важен для исследования эффекта TPP. Высокий контраст показателей между кремнием (n = 3,45) и SiO2 (n = 1,45) позволяет масштабировать фотонные устройства до уровня сотен нанометров. Такие поперечные и вертикальные размеры необходимы для полной совместимости с обработкой IC. Кроме того, высокая оптическая интенсивность, обусловленная большим контрастом показателя преломления (между Si и SiO2), позволяет наблюдать нелинейные оптические взаимодействия, такие как эффекты Рамана и Керра, в устройствах масштаба кристалла.^[2]

По этим причинам кремний обычно используется в качестве материала для обычного фотоэлектрического эффекта. Благодаря пределу Шокли – Кейсера^[6] известно, что максимальная эффективность солнечного преобразования фотоэлектрического элемента с одним p-n переходом составляет около 33,7% для ширины запрещенной зоны 1,34 эВ. Однако кремний имеет ширину запрещенной зоны 1,1 эВ, что соответствует эффективности 32%.

Однако для эффекта TPP результаты эффективности сбора, определенные в (7), показаны на рис. 4 как функция напряжения при различной интенсивности накачки.^[1]

На рис. 4 показано хорошее согласие экспериментальных, аналитических и смоделированных моделей. Можно выполнить интерполяцию данных, чтобы показать эффективность сбора около 43% для ${ textstyle V rightarrow 0}$ в насосах low high, что действительно приближается к теоретическому пределу, установленному в 50%. Однако это не совсем то же самое при высокой интенсивности накачки. Этот предел эффективности сбора приводит к относительно низкой собственной эффективности около 5,5%.

Любые мыслимые средства, которые улучшают бета, могут повысить энергоэффективность настоящего подхода, а FCA ниже на более коротких длинах волн, увеличивая ${ displaystyle L_ {NL}}$. Комбинирование этих двух эффектов может привести к более высокому пределу прогнозируемого эффекта TPP.

Арсенид галлия (GaAs)

Арсенид галлия (GaAs) является важным полупроводниковым материалом для дорогостоящих высокоэффективных солнечных элементов и используется для монокристаллических тонкопленочных солнечных элементов, а также для многопереходных солнечных элементов.

Каждые два фотона, потерянные для TPA, генерируют одну электронно-дырочную пару в полупроводниковом материале, и эти фотогенерированные носители доступны для фотоэлектрического преобразования в электрическую энергию, как показано на рисунке 5, для двух конкретных длин волн (${ displaystyle lambda = 976 нм, 1550 нм}$).

TPA экспериментально наблюдалась в арсениде галлия (GaAs), и его коэффициент β, рассчитанный в GaAs при 1,3 мкм, составляет 42,5 см / ГВт (намного выше, чем у кремния: 3,3 см / ГВт). Более того, при длине волны связи 1,55 мкм β составляет около 15 см / ГВт в GaAs по сравнению с 0,7 см / ГВт в кремнии. Таким образом, ожидается, что эффект TPP будет сильнее в GaAs.^[10]

Чтобы получить экспериментальные данные для сравнения с теоретическим анализом, на рисунке 6 показано, как TPP может быть реализован в одномодовом волноводе GaAs / AlGaAs с использованием p-i-n переходной диод.

В этом режиме учитывается рекомбинация Шокли – Рида – Холла, l предполагая, что уровень энергии ловушки расположен в середине запрещенной зоны. Время жизни объемной рекомбинации электронов и дырок, ${ Displaystyle тау _ {п}}$ и ${ displaystyle tau _ {p}}$в объемном GaAs порядка 10-8 с, что примерно на 2 порядка меньше, чем в объемном кремнии. Поверхностная рекомбинация снижает энергетическую эффективность эффекта TPP, поскольку электроны и дырки рекомбинируют, прежде чем они собираются на контактах.

Эффект TPP более эффективен на 976 нм из-за большего β. Для устройства длиной 5 см и мощностью 150 мВт теоретически прогнозируется КПД до 8%, что выше, чем достижимый в кремнии.^[10]

Возможные приложения

Потенциальным применением двухфотонного фотоэлектрического эффекта является удаленная подача энергии к физическим датчикам, установленным в критических средах, где электрические искры опасны и необходимо избегать использования медных кабелей.

Рекомендации