WikiDer > Баллистическая проводимость в однослойных углеродных нанотрубках - Википедия

Ballistic conduction in single-walled carbon nanotubes - Wikipedia

Одностенные углеродные нанотрубки имеют способность проводить электричество. Эта проводимость может быть баллистический, диффузный, или на основе рассеяния. При баллистической природе проводимость можно рассматривать так, как будто электроны не испытывают рассеяния.

Квантование проводимости и формула Ландауэра

Рисунок 1: а) Энергетический контур электронной зонной структуры в УНТ; б) линейная зависимость энергии электронов от волнового вектора в УНТ; в) Дисперсионное соотношение вблизи энергии Ферми для полупроводниковой УНТ; г) Дисперсионное соотношение вблизи энергии Ферми для металлической УНТ

Проводимость в одностенных углеродные нанотрубки квантуются из-за их одномерности, а количество разрешенных электронных состояний ограничено по сравнению с объемным графитом. Следовательно, нанотрубки ведут себя как квантовые провода и носители заряда передаются по дискретным каналам проводимости. Этот механизм проводимости может быть либо баллистическим, либо диффузионным по природе, либо основанным на туннелировании. При баллистическом проведении электроны проходят через канал нанотрубок, не испытывая рассеяние из-за примесей, локальных дефектов или колебаний решетки. В результате электроны не сталкиваются с сопротивлением, и диссипация энергии в канале проводимости не происходит. Чтобы оценить ток в канале углеродных нанотрубок, можно применить формулу Ландауэра, которая рассматривает одномерный канал, соединенный с двумя контактами - исток и сток.

В предположении отсутствия рассеяния и идеальных (прозрачных) контактов проводимость одномерной системы определяется выражением G = G₀NT, где T - вероятность того, что электрон будет передан по каналу, N - количество каналов, доступных для транспортировки, а G₀ это квант проводимости 2e²/ ч = (12,9 кОм)⁻¹. Идеальные контакты с отражением R = 0 и отсутствие обратного рассеяния вдоль канала приводят к вероятности передачи T = 1, а проводимость системы становится G = (2e²/ h) N. Таким образом, каждый канал дает 2G₀ к общей проводимости.^[1]Для металлических кресло нанотрубки, есть две поддиапазоны, которые пересекают Уровень Ферми, а для полупроводниковых нанотрубок - зоны, не пересекающие уровень Ферми. Таким образом, имеется два проводящих канала, и каждая полоса вмещает два электрона с противоположным спином. Таким образом, значение проводимости G = 2G.₀ = (6,45 кОм)⁻¹.^[2]

В неидеальной системе T в формуле Ландауэра заменяется суммой вероятностей передачи для каждого канала проводимости. Когда значение проводимости для приведенного выше примера приближается к идеальному значению 2G₀, проводимость по каналу называется баллистической. Это происходит, когда длина рассеяния в нанотрубке намного больше, чем расстояние между контактами. Если углеродная нанотрубка является баллистическим проводником, но контакты непрозрачны, вероятность передачи T уменьшается за счет обратного рассеяния в контактах. Если контакты идеальные, пониженная T обусловлена только обратным рассеянием вдоль нанотрубки. Если сопротивление, измеренное на контактах, велико, можно сделать вывод о наличии Кулоновская блокада и Жидкость Латтинжера поведение при разных температурах. Низкое контактное сопротивление является предпосылкой для исследования явлений проводимости в УНТ в режиме высокого пропускания.

Квантовая интерференция

Когда размер устройства CNT масштабируется с длиной электронной когерентности, важным в режиме баллистической проводимости в CNT становится интерференционная картина, возникающая при измерении дифференциальной проводимости. ${ displaystyle dI / dV}$ как функция напряжения затвора.^[3] Такая картина обусловлена квантовой интерференцией многократно отраженных электронов в канале УНТ. Фактически это соответствует резонатору Фабри-Перо, где нанотрубка действует как когерентный волновод, а резонансная полость формируется между двумя поверхностями раздела УНТ-электрод. Фазовый когерентный перенос, интерференция электронов и локализованные состояния наблюдались в виде флуктуаций проводимости как функции энергии Ферми.

Фазово-когерентные электроны вызывают наблюдаемый интерференционный эффект при низких температурах. Тогда когерентность соответствует уменьшению числа заполнения фононных мод и уменьшению скорости неупругого рассеяния. Соответственно, повышенная проводимость сообщается при низких температурах.

Баллистическая проводимость в полевых транзисторах с УНТ

Полевые транзисторы из УНТ демонстрируют четыре режима переноса заряда:

омический контакт баллистический
омический контакт диффузионный
Барьер Шоттки баллистический
Барьер Шоттки диффузный

Омические контакты не требует рассеяния, поскольку носители заряда транспортируются по каналу, т.е. длина УНТ должна быть намного меньше длины длина свободного пробега (L << l_м). Обратное справедливо для диффузионного транспорта: в полупроводниковых УНТ при комнатной температуре и низких энергиях длина свободного пробега определяется рассеянием электронов на акустических фононах, что приводит к l_м ≈ 0,5 мкм. Чтобы удовлетворить условиям баллистического транспорта, нужно позаботиться о длине канала и свойствах контактов, при этом геометрия устройства может быть любой. легированный CNT FET с верхним затвором.

Баллистический транспорт в полевом транзисторе из УНТ происходит, когда длина проводящего канала намного меньше длины свободного пробега носителя заряда l_м.

Баллистическая проводимость в полевых транзисторах с омическим контактом

Омические, то есть прозрачные контакты, являются наиболее подходящими для оптимизированного протекания тока в полевом транзисторе. Чтобы получить вольт-амперные характеристики (ВА) полевого транзистора с УНТ, можно начать с постулата Планка, который связывает энергию i-го указать его частоту:
${ displaystyle E_ {i} = h nu _ {i} = { frac {h} {2e}} { frac {2e} {T_ {i}}} = { frac {h} {2e}} I_ {i}}$

В этом случае полный ток для системы с множеством состояний представляет собой сумму энергии каждого состояния, умноженную на функцию вероятности заполнения, в данном случае Статистика Ферми – Дирака:

${ displaystyle I_ {i} = { frac {2e} {h}} sum _ {i} E_ {i} { frac {1} {1 + e ^ { frac {E-E_ {f}} {k_ {B} T}}}}}$

Для системы с плотными состояниями дискретную сумму можно аппроксимировать интегралом:

${ displaystyle I_ {i} = { frac {2e} {h}} int { frac {1} {1 + e ^ { frac {E-E_ {f}} {k_ {B} T}} }} dE}$

В полевых транзисторах из углеродных нанотрубок носители заряда перемещаются либо влево (отрицательная скорость), либо вправо (положительная скорость), и результирующий чистый ток называется током стока. Потенциал истока управляет движущимися вправо, а потенциал стока - левыми движущимися носителями, и если потенциал истока установлен на ноль, энергия Ферми на стоке впоследствии уменьшается, давая положительное напряжение стока. Полный ток стока вычисляется как сумма всех участвующих поддиапазонов в полупроводниковой УНТ, но с учетом низких напряжений, используемых в наноразмерной электронике, более высокие поддиапазоны можно эффективно игнорировать, а ток стока определяется только вкладом первого поддиапазона:

${ displaystyle I_ {d} = I_ {0} left { ln left [1 + e ^ {2e phi _ {s} - { frac {E_ {g}} {2kT}}} right ] - ln left [1 + e ^ {2e phi _ {s} -2eV_ {d} - { frac {E_ {g}} {2kT}}} right] right }}$ куда ${ displaystyle I_ {0} = { frac {4e} {h}} kT = { frac {kT} {eR_ {0}}}}$
и ${ displaystyle R_ {0}}$ квантовое сопротивление.

Выражение для ${ displaystyle I_ {d}}$ дает зависимость баллистического тока от напряжения в полевом транзисторе из УНТ с идеальными контактами.

Баллистическая проводимость с рассеянием оптических фононов

В идеале баллистический транспорт в полевых транзисторах из УНТ не требует рассеяния от оптические или акустические фононыОднако аналитическая модель дает лишь частичное согласие с экспериментальными данными. Таким образом, необходимо рассмотреть механизм, который улучшил бы согласование и перекалибровал определение баллистической проводимости в УНТ. Частично баллистический перенос моделируется с учетом рассеяния оптических фононов. К рассеянию электронов на оптических фононах в каналах углеродных нанотрубок предъявляются два требования:

Длина пути в канале проводимости между истоком и стоком должна быть больше, чем длина свободного пробега оптических фононов.
Энергия электронов должна быть больше критической энергии излучения оптических фононов.

Барьер Шоттки Баллистическая проводимость

Рисунок 2: Пример зонной структуры баллистического полевого транзистора из углеродных нанотрубок. а) Чистый ток через канал - это разница между электронами, туннелирующими из источника, и дырками, туннелирующими из стока; б) Включенное состояние: ток создается электронами источника; c) ВЫКЛЮЧЕНО: ток утечки в отверстиях, вызванный дренажными отверстиями.

Полевые транзисторы из УНТ с контактами Шоттки изготовить легче, чем с омическими контактами. В этих транзисторах напряжение на затворе регулирует толщину барьера, а напряжение стока может снизить высоту барьера на электроде стока. Здесь также следует учитывать квантовое туннелирование электронов через барьер. Чтобы понять зарядовую проводимость в полевых транзисторах из УНТ с барьером Шоттки, нам необходимо изучить зонные схемы при различных условиях смещения. ^[4](Рис 2):

чистый ток является результатом туннелирования электронов из источника и туннелирования дырок из стока
Включенное состояние: туннелирование электронов из источника
ВЫКЛ: туннелирование отверстий от слива

Таким образом, УНТ-полевой транзистор с барьером Шоттки фактически является амбиполярным транзистором, поскольку току включенных электронов противостоит ток выключенного отверстия, который протекает со значениями, меньшими критического значения напряжения затвора.

Из ленточных диаграмм можно вывести ${ displaystyle I_ {d} -V_ {g}}$ характеристики полевых транзисторов из УНТ Шоттки. Начиная с выключенного состояния, возникает дырочный ток, который постепенно уменьшается по мере увеличения напряжения затвора, пока ему не будет противодействовать с равной силой ток электронов, исходящий от источника. Выше критического напряжения на затворе во включенном состоянии электронный ток преобладает и достигает максимума при ${ displaystyle V_ {g} = V_ {d}}$ и ${ displaystyle I-V}$ кривая будет иметь примерно V-образную форму.

Navigation