WikiDer > GlobalFoundries

GlobalFoundries
GlobalFoundries Inc.
Частный
ПромышленностьПолупроводник Литейный завод
Основан2 марта 2009 г.; 11 лет назад (2009-03-02)
Штаб-квартираСанта-Клара, Калифорния, НАС.
Ключевые люди
Томас Колфилд (генеральный директор)[1]
Сянь-Цзин Ло (технология директор)[2]
ТоварыКремниевые пластины
Доход5,5 миллиардов долларов США (2016)[3]
Количество работников
16,000[4]
РодительATIC
Интернет сайтglobalfoundries.com

GlobalFoundries (также известный как GF) - американец полупроводник Литейный завод со штаб-квартирой в Санта-Клара, Калифорния, Соединенные Штаты.[5] GlobalFoundries была создана в результате продажи производственного подразделения Продвинутые Микроустройства (AMD). В Эмират Абу-Даби является владельцем компании через ее дочернюю компанию Инвестиционная компания передовых технологий (ATIC).

Фирма производит интегральные схемы в больших объемах в основном для полупроводниковых компаний, таких как AMD, Broadcom, Qualcomm, и STMicroelectronics. Имеет пять 200 мм вафля производственные предприятия в Сингапур, по одному заводу 300 мм в Германии и Сингапуре и три завода в США: один завод 200 мм в Вермонт (где это крупнейший частный работодатель) и два завода 300 мм в Нью-Йорк.[6]

GlobalFoundries планирует стать публичной компанией в 2022 году.[7]

Обзор

7 октября 2008 г. AMD объявил о планах поехать басни и выделить свой бизнес по производству полупроводников в новую компанию, временно названную The Foundry Company. Мубадала объявили о своей дочерней компании Инвестиционная компания передовых технологий (ATIC) согласились заплатить 700 миллионов долларов, чтобы увеличить свою долю в бизнесе AMD по производству полупроводников до 55,6% (рост с 8,1%). Mubadala инвестирует 314 миллионов долларов в 58 миллионов новых акций, увеличив свою долю в AMD до 19,3%. $ 1,2 млрд долга драмов будут переведены в The Foundry Company.[8] 8 декабря 2008 г. были объявлены поправки. AMD будет принадлежать примерно 34,2%, а ATIC - примерно 65,8% в The Foundry Company.[9]

4 марта 2009 г. было официально объявлено о создании GlobalFoundries.[10] 7 сентября 2009 г. ATIC объявил, что приобретет Сертифицированный полупроводник за 2,5 млрд сингапурских долларов (1,8 млрд долларов США) и интегрировать Chartered Semiconductor в GlobalFoundries.[11] 13 января 2010 г. GlobalFoundries объявила о завершении интеграции Сертифицированный полупроводник.[12]

4 марта 2012 года AMD объявила о продаже последних 14% акций компании, что завершило многолетний план AMD по продаже своего производственного подразделения.[13]

20 октября 2014 года IBM объявила о продаже своего бизнеса в области микроэлектроники GlobalFoundries.[14]

По состоянию на 2015 год фирма владела десятью производственными предприятиями. Fab 1 находится в Дрезден, Германия. Фабрики со 2 по 7 находятся в Сингапуре. Фабрики с 8 по 10 находятся на северо-востоке США. Эти сайты поддерживаются глобальной сетью исследований и разработок, разработки и поддержки клиентов в Сингапуре, Китае, Тайване, Японии, Индии, США, Германии и Великобритании.[15] В феврале 2017 года компания анонсировала новый 300 Fab [Fab 11] в Китае для растущего рынка полупроводников в Китае.[16]

В 2016 году GlobalFoundries лицензировала 14 нм 14LPP FinFET процесс от Samsung Electronics. В 2018 году GlobalFoundries разработала 12 нм Узел 12LP на основе Samsung 14 нм 14LPP процесс.[2]

27 августа 2018 года GlobalFoundries объявила об отмене процесса 7LP из-за изменения стратегии, направленной на то, чтобы сосредоточиться на специализированных процессах, а не на передовой производительности.[17]

29 января 2019 г. AMD объявила об изменении соглашения о поставках пластин с GlobalFoundries. AMD теперь имеет полную гибкость при покупке пластин на любом литейном производстве с длиной волны 7 нм и выше. AMD и GlobalFoundries согласовали обязательства и установили цены на 12 нм на период с 2019 по 2021 годы.[18]

20 мая 2019 г. Марвелл объявила, что приобретет Avera Semi у GlobalFoundries за 650 миллионов долларов и, возможно, еще 90 миллионов долларов. Avera Semi была подразделением ASIC Solutions GlobalFoundries, которое было частью IBMбизнес по производству полупроводников.[19] 1 февраля 2019 года GlobalFoundries объявила о продаже своего Fab 3E в Тампинсе, Сингапур, за 236 миллионов долларов Vanguard International Semiconductor (VIS) как часть их плана по выходу МЭМС до 31 декабря 2019 г.[20] 22 апреля 2019 года GlobalFoundries объявила о продаже своего Fab 10 в Ист-Фишкилл, штат Нью-Йорк, за 430 миллионов долларов США. ON Semiconductor. GlobalFoundries получила 100 миллионов долларов и получит 330 миллионов долларов в конце 2022 года, когда ON Semiconductor получит полный операционный контроль. 300-миллиметровый fab способен работать с длиной волны от 65 до 40 нм и был частью IBM.[21] 15 августа 2019 г. GlobalFoundries объявила о заключении многолетнего соглашения о поставках с Фотошаблоны Toppan. Соглашение включало приобретение компанией Toppan завода по производству фотошаблонов в Берлингтоне GlobalFoundries.[22]

В феврале 2020 года GlobalFoundries объявила, что ее встроенная магниторезистивная энергонезависимая память (eMRAM) запущена в производство, которая является первой в отрасли готовой к производству eMRAM.[23]

GlobalFoundries против TSMC и др.

26 августа 2019 г. GlobalFoundries подала нарушение патента иски против TSMC и некоторые клиенты TSMC[24] в США и Германии. GlobalFoundries утверждает, что узлы TSMC 7 нм, 10 нм, 12 нм, 16 нм и 28 нм нарушают 16 их патентов. Иски были поданы в Комиссия по международной торговле США, то Федеральные окружные суды США в районах Делавэр, то Западный округ Техаса, то Областные суды из Дюссельдорф, и Мангейм в Германии.[25] GlobalFoundries назвала 20 обвиняемых: яблоко, Broadcom, MediaTek, Nvidia, Qualcomm, Xilinx, Ариста, ASUS, СИНИЙ, Cisco, Google, Hisense, Lenovo, Motorola, TCL, OnePlus, Avnet / EBV, Digi-Key и Mouser.[26] 27 августа TSMC объявили, что рассматривают поданные жалобы, но уверены, что обвинения безосновательны и будут энергично защищать свою запатентованную технологию.[27]

1 октября 2019 г. TSMC подан нарушение патента судебные процессы против GlobalFoundries в США, Германии и Сингапуре. TSMC утверждает, что узлы GlobalFoundries 12, 14, 22, 28 и 40 нм нарушают 25 их патентов.[28]

29 октября 2019 г. TSMC и GlobalFoundries объявили о разрешении спора. Компании договорились о новом жизнь патентов перекрестная лицензия за все существующие патенты на полупроводники, а также за новые патенты, которые компании должны подать в ближайшие десять лет.[29][30][31][32][33]

Список генеральных директоров GlobalFoundries

Первоначальный генеральный директор: Дуг Гроуз (до июля 2011 г.)[34]Последующий: Аджит Маноча (до января 2014 г.) [35]Последующий: Санджай Джа (до мая 2018 г.) [36]После: Том Колфилд (нынешний генеральный директор)[37]

Производственные мощности

ИмяВафляМесто расположения
Fab 1300 ммДрезден, Германия51 ° 07′30 ″ с.ш. 13 ° 42′58 ″ в.д. / 51,125 ° с. Ш. 13,716 ° в. / 51.125; 13.716 (GlobalFoundries Fab 1, Дрезден)
Fab 2200 ммWoodlands, Сингапур1 ° 26′10 ″ с.ш. 103 ° 45′58 ″ в.д. / 1,436 ° с.ш.103,766 ° в. / 1.436; 103.766 (GlobalFoundries Fabs в Вудлендсе, Сингапур)
Fab 3/5200 ммWoodlands, Сингапур1 ° 26′10 ″ с.ш. 103 ° 45′58 ″ в.д. / 1,436 ° с.ш.103,766 ° в. / 1.436; 103.766 (GlobalFoundries Fabs в Вудлендсе, Сингапур)
Fab 3E200 ммТампины, Сингапур (продано ВИС)1 ° 22′16 ″ с.ш. 103 ° 55′44 ″ в.д. / 1,371 ° с.ш.103,929 ° в. / 1.371; 103.929 (GlobalFoundries Fabs, Тампинс, Сингапур)
Fab 6200 ммWoodlands, Сингапур (преобразован в 300 мм и объединен в Fab 7)1 ° 26′10 ″ с.ш. 103 ° 45′58 ″ в.д. / 1,436 ° с.ш.103,766 ° в. / 1.436; 103.766 (GlobalFoundries Fabs в Вудлендсе, Сингапур)
Fab 7300 ммWoodlands, Сингапур1 ° 26′10 ″ с.ш. 103 ° 45′58 ″ в.д. / 1,436 ° с.ш.103,766 ° в. / 1.436; 103.766 (GlobalFoundries Fabs в Вудлендсе, Сингапур)
Fab 8300 ммТехнологический кампус Лютера Форест, Округ Саратога, Нью-Йорк, США42 ° 58′12 ″ с.ш. 73 ° 45′22 ″ з.д. / 42,970 ° с.ш. 73,756 ° з.д. / 42.970; -73.756 (GlobalFoundries Fab 8)
Fab 9200 ммEssex Junction, Вермонт, США44 ° 29'N 73 ° 06'з.д. / 44,48 ° с.ш. 73,10 ° з.д. / 44.48; -73.10 (GlobalFoundries Fab 9)[38]
Fab 10300 ммEast Fishkill, Нью-Йорк, США (перевод в ON Semiconductor)41 ° 32′24 ″ с.ш. 73 ° 49′19 ″ з.д. / 41,540 ° с.ш. 73,822 ° з.д. / 41.540; -73.822 (GlobalFoundries Fab 10)

Производственные мощности 300 мм

Globalfoundries Fab 1 в Дрездене

Fab 1

Fab 1, расположенный в Дрезден, Германия, составляет 364 512 м2 завод, который был передан GlobalFoundries с самого начала: Fab 36 и Fab 38 были переименованы в Module 1 и Module 2 соответственно. Каждый модуль может производить 25 000 пластин диаметром 300 мм в месяц.[6][39]

Модуль 1 - цех по производству пластин диаметром 300 мм. Он способен изготавливать пластины на 40 нм, 28 нм BULK и 22 нм FDSOI. Модуль 2 первоначально назывался «(AMD) Fab 30» и представлял собой фабрику диаметром 200 мм, производившую 30 000 выходов вафель в месяц, но теперь он был преобразован в фабрику для изготовления вафель диаметром 300 мм. Вместе с другими расширениями чистых помещений, такими как Приложение, они имеют максимальную полную пропускную способность 80 000 пластин диаметром 300 мм в месяц. (Эквивалент 180 000 пластин 200 мм в месяц), используя технологии 45 нм и ниже.

В сентябре 2016 года GlobalFoundries объявила, что Fab 1 будет переоборудован для производства 12 нм полностью истощенных кремний на изоляторе (FDSOI) продукты.[40] Компания ожидала, что товары клиентов начнут изолента в первой половине 2019 года.

Fab 7

Fab 7, расположенный в Woodlands, Сингапур, это действующий 300-мм завод, первоначально принадлежавший Сертифицированный полупроводник. Он производит пластины толщиной от 130 до 40 нм по процессам объемной КМОП и КНИ. Он имеет максимальную полную мощность 50 000 пластин 300 мм в месяц (эквивалент 112 500 пластин 200 мм 200 мм в месяц), используя 130 до 40 нм технологии.[6]

Fab 8

Fab 8, расположенный в Технологический кампус Лютера Форест, Округ Саратога, Нью-Йорк, США - фабрика 300 мм. Этот завод был построен GF в качестве нового предприятия для передовых технологий. Он способен производить технологию узлов 14 нм. Строительство завода началось в июле 2009 года, а серийное производство началось в 2012 году.[6][41] Его максимальная производственная мощность составляет 60 000 пластин диаметром 300 мм в месяц, что эквивалентно более 135 000 пластин диаметром 200 мм в месяц. В сентябре 2016 года GlobalFoundries объявила, что сделает многомиллиардные инвестиции в переоборудование Fab 8 для производства 7 нм. FinFET запчастей со второй половины 2018 года.[42] Изначально планировалось использовать процесс литография в глубоком ультрафиолете, и в конечном итоге переход к литография в крайнем ультрафиолете.[43]

Однако в августе 2018 года GlobalFoundries приняла решение приостановить разработку и плановое производство 7 нм, сославшись на непозволительные затраты на оснащение Fab 8 для производства 7 нм. GlobalFoundries открыла возможность возобновления операций по 7 нм в будущем, если будут получены дополнительные ресурсы. На основании этого решения GlobalFoundries изменила стратегию компании, сосредоточив больше усилий на производстве и исследованиях FD-SOI. Fab 8 выполняет важную функцию по снабжению AMD (Advanced Micro Devices) пластинами ЦП для линейки микропроцессоров Zen, используемых в линейках процессоров Ryzen, Threadripper и Epyc. Оригинальные процессоры Zen и Zen + имеют монолитную конструкцию и были произведены на предприятиях Global Foundries на Мальте в г. Мальта, Нью-Йорк. В дальнейшем AMD будет разрабатывать дизайн нескольких микросхем с микропроцессором Zen 2. Zen 2 будет состоять из кристалла ввода-вывода 14/12 нм, окруженного несколькими кристаллами Core 7 нм. Когда Global Foundries объявила о приостановке производства 7 нм, AMD изменила свои планы, передав производство кристаллов с 7 нм ядрами в TSMC (Taiwan Semiconductor Corporation). В некоторых кругах ходили слухи о том, где будет происходить производство штампов. Во время телефонной конференции AMD за 4 квартал 2018 года, которая состоялась 29 января 2019 года, генеральный директор AMD Лиза Су объявила, что в WSA (соглашение о поставке пластин), регулирующее производство и приобретение пластин AMD у GlobalFoundries, в седьмой раз были внесены поправки. Поправка гласит, что AMD будет продолжать закупать узлы 12 нм и выше у Global Foundries, давая AMD возможность покупать пластины, изготовленные с узлами 7 нм, из любого источника без уплаты роялти. Соглашение будет действовать до 2024 года и гарантирует, что Global Foundries будет работать на своем заводе на Мальте в этот период. Ценовые обязательства на вафли действуют до 2021 года, когда, вероятно, в WSA снова будут внесены поправки.[44]

Fab 10

Fab 10,[45] находится в Ист-Фишкилл, Нью-Йорк, США, ранее назывался IBM Building 323. Он стал частью операций GlobalFoundries с приобретением IBM Microelectronics. В настоящее время он производит технологии вплоть до 14-нм узла. В апреле 2019 года было объявлено, что эта фабрика продана ON Semiconductor за 430 млн долларов. Объект будет передан в течение трех лет.[46]

Fab 11

Fab 11,[16]находится в Чэнду, Китай строится. Заброшен в мае 2020 года.

Производственные мощности 200 мм

Все фабрики 200 мм, кроме Fab 9, расположены в Сингапур, и первоначально принадлежала Сертифицированный полупроводник.

Fab 2

Fab 2, расположенный в Вудлендсе, Сингапур. Эта фабрика способна изготавливать пластины с длиной волны от 600 до 350 нм для использования в некоторых автомобильных ИС, ИС управления высоковольтным питанием и устройствах со смешанными сигналами.

Fab 3/5

Fab 3/5, расположенный в Вудлендсе, Сингапур. Эта фабрика способна изготавливать пластины с длиной волны от 350 до 180 нм для использования в высоковольтных ИС для драйверов небольших панелей и мобильных модулей управления питанием.

Fab 3E

Fab 3E, расположенный в Тампинс, Сингапур. Эта фабрика производит 180 нм пластины для использования в избранных автомобильных ИС, ИС управления высоковольтным питанием и продуктах смешанного типа со встроенной энергонезависимой памятью.

В январе 2019 года GlobalFoundries объявила о согласии продать свой Fab 3E в Сингапуре компании Vanguard International Semiconductor Corporation с переходом права собственности на 31 декабря 2019 года.

Fab 6

Fab 6, расположенный в Вудлендсе, Сингапур, представляет собой предприятие по производству меди, которое способно производить интегрированные продукты CMOS и RFCMOS для таких приложений, как Вай фай & Bluetooth устройства на 180 до 110 нм процессов. Позже завод был преобразован в 300-миллиметровый и объединен с Fab 7, производством продукции на основе 300-нм узла.

Fab 9

Fab 9,[45] расположен в поселке Эссекс-Джанкшен, Вермонт, США, недалеко от крупнейшего города Вермонта Берлингтон, стала частью GlobalFoundries с приобретением IBM Microelectronics. Фабрика производит технологии вплоть до узла 90 нм и является крупнейшим частным работодателем в штате Вермонт. На сайте также размещался пленник магазин масок, с усилиями по развитию вплоть до 7 нанометров node, пока он не был продан Toppan в 2019 году.[47]

Слияние и поглощение

Слияние с Chartered Semiconductor

6 сентября 2009 г. мажоритарный инвестор GlobalFoundries, компания Advanced Technology Investment Co. в Абу-Даби, объявила о согласии на приобретение сингапурской компании. Компания Chartered Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., на общую сумму 3,9 миллиарда долларов, при этом операции Chartered передаются GlobalFoundries.[48]

Chartered Semiconductor является членом Общая платформа, IBMСоюз полупроводниковых технологий. GlobalFoundries является партнером JDA Common Platform Technology Alliance.

Приобретение и продажа подразделения IBM по производству микросхем

В октябре 2014 года GlobalFoundries получила от IBM 1,5 миллиарда долларов США за приобретение бизнес-подразделения IBM по производству микросхем, включая фабрику 200 мм (теперь Fab 9) в Эссекс-Джанкшен, штат Вермонт, и фабрику 300 мм (теперь Fab 10) на Востоке. Фишкилл, Нью-Йорк. В рамках соглашения GlobalFoundries будет единственным поставщиком серверных процессоров IBM в течение следующих 10 лет. Сделка закрыта 1 июля 2015 года.[49] Сотрудники IBM-India, перешедшие в GlobalFoundries в рамках приобретения, теперь являются частью ее офиса в Бангалоре.[50]

В апреле 2019 г. ON Semiconductor и GlobalFoundries объявили о соглашении на 430 миллионов долларов о передаче права собственности на GlobalFoundries 300mm Fab 10 в Ист-Фишкилле, Нью-Йорк, компании ON Semiconductor.[51]

Технологические процессы

GlobalFoundries ' 28 нм Процесс FD-SOI второй источник из STMicroelectronics.[52] Позднее STMicroelectronics подписала с Samsung соглашение о поставках и лицензировании той же технологии.[53]

GlobalFoundries ' 14 нм 14LPP FinFET процесс второй источник из Samsung Electronics. GlobalFoundries ' 12 нм Узлы FinFET основаны на 14 нм 14LPP процесс.[2]

Этот список неполный; вы можете помочь добавление недостающих предметов с надежные источники.
Имя узлаITRS
узел
(нм)		Дата
представил		Размер вафли
(мм)		Литография
(длина волны)		Транзистор
тип		Ворота
подача
(нм)		Металл 1
подача
(нм)		SRAM
битовая плотность
(мкм2)
4S6001993200 штук-Планарный---
CS-245001993Масса-Планарный---
5л500-200 штук-Планарный---
5S5001994200 штук-Планарный---
SiGe 5HP5002001200-Планарный---
SiGe 5 утра5002001200-Планарный---
SiGe 5DM5002002200-Планарный---
SiGe 5PA5002002200-Планарный---
5X4501994200 штук-Планарный---
CS-343501995Масса-Планарный---
SiGe 5HPE3502001200-Планарный---
SiGe 5PAe[54]3502007200-Планарный---
SiGe 5PAx[54]3502016200-Планарный---
SiGe 1KW5PAe[54]350-200-Планарный---
SiGe 1K5PAx[54]3502016200-Планарный---
6S2901996200 штук-Планарный---
CS-442501998МассаСухой 248 нм DUVПланарный---
6S22501997200 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
6SF250-200 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
6X2501997200 штук-Планарный---
6RF2502001200 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
250SOI2501999200 ТАК ЧТО ЯСухой 248 нм DUVПланарный---
SiGe 6HP250-200Сухой 248 нм DUVПланарный---
SiGe 6DM250-200Сухой 248 нм DUVПланарный---
SiGe 6WL2502007200Сухой 248 нм DUVПланарный---
7S2201998200 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
220SOI2201999200 ТАК ЧТО ЯСухой 248 нм DUVПланарный---
7HV1802010200Сухой 248 нм DUVПланарный---
180 BCDLite[55]1802011200Сухой 248 нм DUVПланарный---
180 UHV[55]1802017200Сухой 248 нм DUVПланарный---
7SF1801999200 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
7ТГ180-200 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
7RF1802003200 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
8S1802000200 ТАК ЧТО ЯСухой 248 нм DUVПланарный---
7РФ СОИ[56]1802007200 RF-SOI, 300 RF-SOIСухой 248 нм DUVПланарный---
7SW RF SOI[56]1802014200 РФ-КНИСухой 248 нм DUVПланарный---
SiGe 7WL[57]1802003200Сухой 248 нм DUVПланарный---
SiGe 7HP1802003200Сухой 248 нм DUVПланарный---
130 BCDLite[55]1302014300Сухой 248 нм DUVПланарный---
130 BCD[55]130-300Сухой 248 нм DUVПланарный---
8SF1302000200 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
8SFG1302003200 штук, 300 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
8RF1302003200 штук, 300 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
130 г[58]130-300 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
130LP[58]130-300 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
130LP / EE[58]130-300 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
110TS[58]130-300 штукСухой 248 нм DUVПланарный---
9S1302000200 ТАК ЧТО Я, 300 ТАК ЧТО ЯСухой 248 нм DUVПланарный---
130РФСОИ[56]1302015300 RF-SOIСухой 248 нм DUVПланарный---
8SW RF SOI[56]1302017300 RF-SOIСухой 248 нм DUVПланарный---
SiGe 8WL[57]1302005200Сухой 248 нм DUVПланарный---
SiGe 8HP[57]1302005200, 300Сухой 248 нм DUVПланарный---
SiGe 8XP[57]1302016200Сухой 248 нм DUVПланарный---
9SF902004300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
9LP902005300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
9RF90-300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
10S902002300 ТАК ЧТО ЯСухой 193 нм DUVПланарный---
90РФСОИ902004300 RF-SOIСухой 193 нм DUVПланарный---
90WG[59]902018300Сухой 193 нм DUVПланарный---
90WG +[59]90?300Сухой 193 нм DUVПланарный---
SiGe 9HP[57]902014, 2018200, 300Сухой 193 нм DUVПланарный---
10SF65-300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
10LP65-300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
65LPe[60]652009300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
65LPe-RF[60]652009300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
10RFe65-300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
11S652006300 ТАК ЧТО ЯСухой 193 нм DUVПланарный---
65РФСОИ652008300 RF-SOIСухой 193 нм DUVПланарный---
55 BCDLite[60]552018300Сухой 193 нм DUVПланарный---
55HV[61]55?300Сухой 193 нм DUVПланарный---
55 ULP[60]55-300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
55LPe55-300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
55LPe-RF55-300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
55LPx[60]55-300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
55RF[60]55-300 штукСухой 193 нм DUVПланарный---
45LP45-300 штукСмачивать 193 нм DUVПланарный---
12S452007300 ТАК ЧТО ЯСмачивать 193 нм DUVПланарный---
45РФСОИ[56]452017300 RF-SOIСмачивать 193 нм DUVПланарный---
45CLO[62]452021300Смачивать 193 нм DUVПланарный---
40HV[61]40?300Смачивать 193 нм DUVПланарный---
40LP[63]40-300 штукСмачивать 193 нм DUVПланарный---
40LP-RF[63]40-300 штукСмачивать 193 нм DUVПланарный---
32LP32-300 штукСмачивать 193 нм DUV, двойной узорПланарный---
32ШП32?300 ТАК ЧТО ЯСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узорПланарный---
13S322009300 ТАК ЧТО ЯСмачивать 193 нм DUV, двойной узорПланарный---
28HV[61]282019300Смачивать 193 нм ДУВ, двойной узорПланарный---
28LP282009300 штукСмачивать 193 нм DUV, двойной узорПланарный---
28SLP[64]282010300 штукСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узорПланарный---
28 л.с.282010300 штукСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узорПланарный---
28л.с.[64]282011300 штукСмачивать 193 нм DUV, двойной узорПланарный---
28ШП282013300 штукСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узорПланарный---
28СЛП РФ282015300 штукСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узорПланарный---
28FDSOI[52] [53]282012300 FD-SOIСмачивать 193 нм DUVПланарный---
22FDX-ULP[65]222015300 FD-SOIСмачивать 193 нм DUV, двойной узорПланарный---
22FDX-UHP[65]222015300 FD-SOIСмачивать 193 нм DUV, двойной узорПланарный---
22FDX-ULL[65]222015300 FD-SOIСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узорПланарный---
22FDX-RFA[65]222017300 FD-SOIСмачивать 193 нм DUV, двойной узорПланарный---
22FDX RF +[66]222021300 FD-SOIСмачивать 193 нм DUV, двойной узорПланарный---
14LPP[67]142015300 штукСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узор3D (FinFET)78640.09
14 л.с.[68]142017300 ТАК ЧТО ЯСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узор3D (FinFET)---
12LP[69]122018300 штукСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узор3D (FinFET)---
12LP +[70]122019300 штукСмачивать 193 нм ДУВ, двойной узор3D (FinFET)---

Количество процессов, перечисленных здесь на данный момент: 102

Смотрите также

внешняя ссылка

Рекомендации

  1. ^ «После значительных достижений в области технологий, производственных мощностей и расширения, Санджай Джа из GlobalFoundries передаст эстафету ветерану отрасли Тому Колфилду». 9 марта 2018.
  2. ^ а б c Щор, Дэвид (22.07.2018). "VLSI 2018: лучшие характеристики GlobalFoundries, 12 нм, 12 LP". WikiChip Fuse. Получено 2019-05-31.
  3. ^ "[1]". 13 января, 2017. Проверено 3 февраля, 2017.
  4. ^ "О нас". GlobalFoundries. Получено 2019-07-04.
  5. ^ Натан Донато-Вайнштейн, Деловой журнал Кремниевой долины. "GlobalFoundries перемещает штаб-квартиру в Санта-Клару, арендует здание площадью 165 тыс. Кв. Футов". 12 марта, 2013. Проверено 2 мая, 2016.
  6. ^ а б c d «Производство». Получено 6 августа 2015.
  7. ^ «GlobalFoundries планирует стать публичной в 2022 году». Томс Оборудование. Получено 1 октября 2019.
  8. ^ Смит, Райан. «Технический бизнес: разойтись с трудностями - AMD перестает работать». anandtech.com. Получено 2019-08-29.
  9. ^ «AMD, Advanced Technology Investment Company и Mubadala вносят изменения в соглашения о сделке». mubadala.com. 2008-12-08. Получено 2019-08-29.
  10. ^ "GlobalFoundries, первая в мире глобальная литейная компания по производству полупроводников открывается для бизнеса". mubadala.com. 2009-03-04. Получено 2019-08-29.
  11. ^ «ATIC предлагает купить Chartered Semiconductor; GlobalFoundries вежливо улыбается». Перспектива ПК. Получено 2019-08-29.
  12. ^ «GlobalFoundries завершает интеграцию и становится первым в мире по-настоящему глобальным литейным предприятием». GlobalFoundries. 2010-01-17. Получено 2019-08-29.
  13. ^ Шимпи, Ананд Лал. «GlobalFoundries получила независимость, выкупает оставшуюся долю у AMD». АнандТех. Получено 8 декабря 2012.
  14. ^ «GlobalFoundries приобретет бизнес IBM в области микроэлектроники» (PDF). ibm.com. Получено 2019-09-02.
  15. ^ «GlobalFoundries представляет первые в отрасли потоки цифрового дизайна, готовые к 28-нанометровому разрешению» (Пресс-релиз). 13 января 2011 г.
  16. ^ а б "globalfoundries-to-expand-capacity-build-a-fab-in-china" (Пресс-релиз). 11 февраля 2017.
  17. ^ Катресс, Антон Шилов, Ян. «GlobalFoundries останавливает все 7-нанометровые разработки: попытки сосредоточить внимание на специализированных процессах». anandtech.com. Получено 2019-08-29.
  18. ^ "Документ". sec.gov. Получено 2019-08-29.
  19. ^ Марвелл. «Marvell приобретает Avera Semi, создавая инфраструктуру ASIC Powerhouse». prnewswire.com. Получено 2019-08-29.
  20. ^ Шилов, Антон. «GlobalFoundries продает 200-мм Fab 3E компании Vanguard и уходит из бизнеса MEMS». anandtech.com. Получено 2019-08-29.
  21. ^ eric.millington (22 апреля 2019 г.). «Партнер ON Semiconductor и GlobalFoundries передаст право собственности на 300-миллиметровый объект East Fishkill, штат Нью-Йорк». GlobalFoundries. Получено 2019-08-29.
  22. ^ eric.millington (13.08.2019). «Toppan Photomasks и GlobalFoundries заключают многолетнее соглашение о поставках». GlobalFoundries. Получено 2019-08-29.
  23. ^ «GlobalFoundries представляет первую в отрасли готовую к производству eMRAM на платформе 22FDX для IoT и автомобильных приложений». Дизайн и повторное использование. Получено 2020-03-12.
  24. ^ Зафар, Рамиш (26 августа 2019 г.). «GlobalFoundries предъявляет иск TSMC и 19 другим компаниям за предполагаемое нарушение патентных прав».
  25. ^ eric.millington (26 августа 2019 г.). «GlobalFoundries подает иски о нарушении патентных прав против TSMC в США и Германии». GlobalFoundries. Получено 2019-08-28.
  26. ^ "Информационный бюллетень СМИ" (PDF). GlobalFoundries. 25 августа 2019.
  27. ^ «TSMC будет энергично защищать свои запатентованные технологии в ответ на жалобы GlobalFoundries». tsmc.com. Получено 2019-08-28.
  28. ^ «TSMC подает жалобы на GlobalFoundries в США, Германии и Сингапуре за нарушение 25 патентов, чтобы подтвердить свое технологическое лидерство и защитить своих клиентов и потребителей во всем мире». tsmc.com. Получено 2019-10-02.
  29. ^ «TSMC и GlobalFoundries объявляют о разрешении глобальных споров с помощью широкой глобальной перекрестной патентной лицензии». tsmc.com. Получено 2019-10-29.
  30. ^ eric.millington (28.10.2019). «GlobalFoundries и TSMC объявляют о разрешении глобальных споров с помощью широкой глобальной перекрестной патентной лицензии». GlobalFoundries. Получено 2019-10-30.
  31. ^ МакГрегор, Джим. «Дело GlobalFoundries против TSMC - результат может иметь серьезные последствия». Forbes.
  32. ^ «TSMC предъявляет встречный иск к компании GlobalFoundries, конкурирующей с американским чипом, за нарушение патентных прав» - через mobile.reuters.com.
  33. ^ «TSMC обвиняет GlobalFoundries в нарушении 25 патентов на узловые процессы | ZDNet». zdnet.com.
  34. ^ https://www.wsj.com/articles/SB10001424052702304319804576389870140940108
  35. ^ https://en.wikipedia.org/wiki/Ajit_Manocha
  36. ^ https://www.globalfoundries.com/news-events/press-releases/globalfoundries-announces-new-chief-executive-lead-next-phase-growth
  37. ^ https://twitter.com/i/events/972196527216168960?lang=en
  38. ^ Д'Амброзио, Дэн (01.07.2015). "GlobalFoundries приобретает контроль над Essex Junction". Burlington Free Press. обширный производственный кампус на Робинсон-Паркуэй в Эссекс-Джанкшен
  39. ^ "404". Получено 6 августа 2015.
  40. ^ Кампман, Джефф (8 сентября 2016 г.). «GlobalFoundries добавляет 12-нм узел в свою дорожную карту FD-SOI». TechReport. Получено 16 сентября 2016.
  41. ^ "О нас". GlobalFoundries. 28 сентября 2016 г. Архивировано с оригинал 10 марта 2009 г.
  42. ^ Шилов, Антон (3 октября 2016 г.). «Дорожная карта обновлений GlobalFoundries». Анандтех. Получено 3 октября 2016.
  43. ^ Кампман, Джефф (15 сентября 2016 г.). «GlobalFoundries пропускает 10-нм узел на пути к 7-нм FinFET». TechReport. Получено 16 сентября 2016.
  44. ^ «GlobalFoundries останавливает все 7-нм разработки». АнандТех. Получено 28 августа 2018.
  45. ^ а б "Джим Дойл". Получено 6 августа 2015.
  46. ^ «Партнер ON Semiconductor и GlobalFoundries передаст право собственности на 300-миллиметровый объект East Fishkill, штат Нью-Йорк». Получено 24 апреля 2019.
  47. ^ Шилов, Антон (15 августа 2019 г.). «GlobalFoundries продает активы фотошаблона Toppan».
  48. ^ Боладжи Оджо, EE Times. "ATIC для покупки, сдайте Chartered в GlobalFoundries. "7 сентября 2009 г. Дата обращения 10 августа 2015 г.
  49. ^ Авторы: Алекс Баринка и Алан Кинг, Bloomberg. "IBM заплатит GlobalFoundries 1,5 миллиарда долларов за приобретение чипа. "20 октября, 2014. Проверено 10 августа, 2015.
  50. ^ "Мировые отделения". GlobalFoundries. 2016-10-28. Получено 2017-09-19.
  51. ^ Мурхед, Патрик. «ON Semiconductor и GlobalFoundries выигрывают, заключив сделку Fab 10 на 430 миллионов долларов». Forbes.
  52. ^ а б STMicroelectronics обеспечивает дополнительные источники для своей передовой 28- и 20-нм технологии FD-SOI с GLOBALFOUNDRIES "[2]". Проверено 26 октября, 2020.
  53. ^ а б Samsung и STMicroelectronics подписали стратегическое соглашение о расширении 28-нм технологии FD-SOI »[3]". Проверено 26 октября, 2020.
  54. ^ а б c d GlobalFoundries SiGe PA Technologies "[4]". Проверено 26 октября, 2020.
  55. ^ а б c d GlobalFoundries 130/180 нм "[5]". Проверено 27 декабря, 2019.
  56. ^ а б c d е GlobalFoundries RF SOI Technologies »[6]". Проверено 27 декабря, 2019.
  57. ^ а б c d е GlobalFoundries SiGe HP Technologies "[7]". Проверено 26 октября, 2020.
  58. ^ а б c d GlobalFoundries 130G / LP / EE "[8]". Проверено 26 октября, 2020.
  59. ^ а б GlobalFoundries Silicon Photonics "[9]". Проверено 26 октября, 2020.
  60. ^ а б c d е ж GlobalFoundries 55/65 нм "[10]". Проверено 27 декабря, 2019.
  61. ^ а б c Контроллеры дисплеев GlobalFoundries AMOLED "[11]". Проверено 26 октября, 2020.
  62. ^ GlobalFoundries Silicon Photonics: брак оптики и цифровых технологий в радиочастотном процессе GF »[12]". Проверено 26 октября, 2020.
  63. ^ а б GlobalFoundries 40 нм "[13]". Проверено 27 декабря, 2019.
  64. ^ а б GlobalFoundries 28 нм HKMG Technologies "[14]". Проверено 27 декабря, 2019.
  65. ^ а б c d GlobalFoundries 22FDX "[15]". Проверено 27 декабря, 2019.
  66. ^ GlobalFoundries анонсирует новую платформу 22FDX + »[16]". Проверено 25 сентября, 2020.
  67. ^ GlobalFoundries 14LPP »[17]". Проверено 26 октября, 2020.
  68. ^ GlobalFoundries предлагает специальную 14-нм технологию FinFET для систем IBM »[18]". Проверено 14 января, 2020.
  69. ^ Технология GlobalFoundries 12LP, 12 нм FinFET "[19]". Проверено 27 декабря, 2019.
  70. ^ GlobalFoundries представляет решение 12LP + FinFET для облачных и периферийных приложений ИИ »[20]". Проверено 26 октября, 2020.

Координаты: 37 ° 24′55 ″ с.ш. 121 ° 58′28 ″ з.д. / 37,415293 ° с.ш.121,974448 ° з.д. / 37.415293; -121.974448