WikiDer > Химическое осаждение из паровой фазы с плазменным усилением

Plasma-enhanced chemical vapor deposition
Аппарат PECVD в LAAS технологический комплекс в Тулузе, Франция.

Химическое осаждение из паровой фазы с плазменным усилением (PECVD) это химическое осаждение из паровой фазы процесс, используемый для нанесения тонких пленок из газ штат (пар) к твердый состояние на субстрат. Химические реакции участвуют в процессе, который происходит после создания плазма реагирующих газов. В плазма обычно создается радиочастота (РФ) (переменный ток (AC)) частота или постоянный ток (DC) разряд между двумя электроды, пространство между которыми заполнено реагирующими газами.

Сбросы для процессов

Плазма - это любой газ, в котором значительный процент атомов или молекул ионизирован. Фракционная ионизация в плазме, используемой для осаждения и обработки сопутствующих материалов, варьируется от примерно 10−4 в типичных емкостных разрядах до 5–10% в индуктивной плазме высокой плотности. Плазма для обработки обычно работает при давлении от нескольких миллиторр до нескольких миллиметров. торр, хотя дуговые разряды и индукционная плазма могут зажигаться при атмосферном давлении. Плазма с низкой фракционной ионизацией представляет большой интерес для обработки материалов, поскольку электроны настолько легкие по сравнению с атомами и молекулами, что обмен энергией между электронами и нейтральным газом очень неэффективен. Следовательно, электроны могут поддерживаться при очень высоких эквивалентных температурах - десятках тысяч кельвинов, что эквивалентно средней энергии в несколько электронвольт - в то время как нейтральные атомы остаются при температуре окружающей среды. Эти энергичные электроны могут вызывать многие процессы, которые в противном случае были бы очень маловероятными при низких температурах, такие как диссоциация молекул-предшественников и создание большого количества свободных радикалов.

Второе преимущество осаждения внутри разряда связано с тем, что электроны более подвижны, чем ионы. Как следствие, плазма обычно более положительна, чем любой объект, с которым она контактирует, так как в противном случае большой поток электронов перетекал бы из плазмы в объект. Разница в напряжении между плазмой и объектами на ее контактах обычно возникает в области тонкой оболочки. Ионизированные атомы или молекулы, которые диффундируют к краю области оболочки, ощущают электростатическую силу и ускоряются к соседней поверхности. Таким образом, все поверхности, подвергающиеся воздействию плазмы, подвергаются бомбардировке энергичными ионами. Потенциал на оболочке, окружающей электрически изолированный объект (плавающий потенциал), обычно составляет всего 10–20 В, но гораздо более высокие потенциалы оболочки достигаются путем корректировки геометрии и конфигурации реактора. Таким образом, пленки могут подвергаться бомбардировке энергичными ионами во время осаждения. Эта бомбардировка может привести к увеличению плотности пленки и помочь удалить загрязнения, улучшая электрические и механические свойства пленки. Когда используется плазма высокой плотности, плотность ионов может быть достаточно высокой, чтобы распыление осажденной пленки происходит; это распыление можно использовать для выравнивания пленки и заполнения канавок или отверстий.

Типы реакторов

Эта коммерческая система была разработана для области полупроводников и содержит три мишени диаметром 8 дюймов, которые можно запускать индивидуально или одновременно для нанесения металлических или диэлектрических пленок на подложки диаметром до 24 дюймов. Используется на Аргоннская национальная лаборатория.

Простой разряд постоянного тока можно легко создать за несколько торр между двумя проводящими электродами и может подходить для осаждения проводящих материалов. Однако изолирующие пленки быстро гаснут этот разряд по мере их нанесения. Чаще всего возбуждают емкостной разряд, прикладывая переменный или высокочастотный сигнал между электродом и проводящими стенками камеры реактора или между двумя цилиндрическими проводящими электродами, обращенными друг к другу. Последняя конфигурация известна как реактор с параллельными пластинами. Частоты в несколько десятков Гц до нескольких тысяч Гц будет производить изменяющуюся во времени плазму, которая неоднократно инициируется и гаснет; частоты от десятков килогерц до десятков мегагерц приводят к достаточно независимым от времени разрядам.

Частоты возбуждения в низкочастотном (НЧ) диапазоне, обычно около 100 кГц, требуют нескольких сотен вольт для поддержания разряда. Эти большие напряжения приводят к бомбардировке поверхностей ионами высокой энергии. Высокочастотная плазма часто возбуждается при стандартной 13,56 МГц частота широко доступна для промышленного использования; на высоких частотах ток смещения, возникающий в результате движения оболочки и рассеяния на ней, способствует ионизации, и, таким образом, более низких напряжений достаточно для достижения более высоких плотностей плазмы. Таким образом, можно регулировать химию и ионную бомбардировку в осаждении, изменяя частоту возбуждения или используя смесь низкочастотных и высокочастотных сигналов в двухчастотном реакторе. Мощность возбуждения от десятков до сотен ватт характерна для электрода диаметром от 200 до 300 мм.

Емкостная плазма обычно очень слабо ионизируется, что приводит к ограниченной диссоциации прекурсоров и низкой скорости осаждения. Гораздо более плотная плазма может быть создана с помощью индукционных разрядов, в которых индукционная катушка, возбуждаемая высокочастотным сигналом, индуцирует электрическое поле внутри разряда, ускоряя электроны в самой плазме, а не только на краю оболочки. Реакторы электронного циклотронного резонанса и антенны с геликонной волной также использовались для создания разрядов высокой плотности. В современных реакторах часто используются мощности возбуждения 10 кВт и более.

Плазма высокой плотности также может быть создана с помощью разряда постоянного тока в богатой электронами среде, полученной термоэлектронной эмиссией из нагретых нитей. Напряжения, необходимые для дугового разряда, составляют порядка нескольких десятков вольт, что приводит к образованию ионов низкой энергии. Плазма с высокой плотностью и низкой энергией используется для эпитаксиального осаждения с высокой скоростью в Химическое осаждение из паровой фазы с применением низкоэнергетической плазмы реакторы.

Происхождение

Работая в Standard Telecommunication Laboratories (STL), Харлоу, Эссекс, Суонн обнаружил, что высокочастотный разряд способствует осаждению соединений кремния на стенке сосуда из кварцевого стекла.[1] За несколькими внутренними публикациями STL в 1964 г. последовали французские,[2] Британский[3] и нас[4] патентные заявки. Статья была опубликована в журнале Solid State Electronics за август 1965 года.[5]

Свон присматривает за своим оригинальным прототипом оборудования тлеющего разряда в лаборатории в STL Harlow, Essex, 1960-е. Это был прорыв в осаждении тонких пленок аморфного кремния, нитрида кремния, диоксида кремния при температурах значительно ниже, чем нанесение методом пиролитической химии.
Фото тлеющего разряда Ричарда Сванна 1.jpgФото тлеющего разряда Ричарда Сванна 2.jpgФотография тлеющего разряда Ричарда Сванна 3.jpg

Примеры фильмов и приложения

Плазменное напыление часто используется в производстве полупроводников для конформного осаждения пленок (покрытия боковых стенок) и на пластинах, содержащих металлические слои или другие термочувствительные структуры. PECVD также обеспечивает одни из самых высоких скоростей осаждения при сохранении качества пленки (например, шероховатости, дефектов / пустот) по сравнению с напыление и термическое / электронно-лучевое испарение, часто в ущерб однородности.

Диоксид кремния может быть нанесен с использованием комбинации газов-прекурсоров кремния, таких как дихлорсилан или силан и прекурсоры кислорода, такие как кислород и оксид азота, обычно при давлении от нескольких миллиторр до нескольких торр. Плазма нанесенный нитрид кремния, сформированный из силан и аммиак или азот, также широко используется, хотя важно отметить, что таким способом невозможно нанести чистый нитрид. Плазменные нитриды всегда содержат большое количество водород, который можно прикрепить к кремний (Si-H) или азот (Si-NH);[6] этот водород оказывает важное влияние на поглощение в ИК- и УФ-диапазоне,[7] стабильность, механическое напряжение и электропроводность.[8] Он часто используется в качестве поверхностного и объемного пассивирующего слоя для коммерческих фотоэлектрических элементов из поликристаллического кремния.[9]

Диоксид кремния можно также осаждать из тетраэтоксисилан (TEOS) прекурсор кремния в кислородной или кислородно-аргоновой плазме. Эти пленки могут быть загрязнены значительным количеством углерода и водорода, поскольку силанол, и может быть неустойчивым на воздухе[нужна цитата]. Давление в несколько торр и малое расстояние между электродами и / или двухчастотное осаждение помогают достичь высоких скоростей осаждения с хорошей стабильностью пленки.

Плазменное осаждение диоксида кремния из силана и кислорода / аргона с высокой плотностью широко используется для создания почти безводородной пленки с хорошей конформностью на сложных поверхностях, последнее является результатом интенсивной ионной бомбардировки и последующего распыления осажденных молекул из вертикального положения на поверхность. горизонтальные поверхности[нужна цитата].

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ «Из первых рук: рождение химии тлеющего разряда (также известной как PECVD) - Wiki по истории инженерии и технологий». ethw.org. Получено 2018-07-13.
  2. ^ Стерлинг и Суонн. "Совершенствование методов формирования диванов". base-brevets.inpi.fr. Получено 2018-07-13.
  3. ^ Стерлинг и Суонн, Усовершенствования или относящиеся к способу формирования слоя неорганического соединения
  4. ^ Стерлинг и Суонн, Способ формирования покрытий из оксида кремния в электрическом разряде
  5. ^ Стерлинг, Х.Ф .; Суонн, R.C.G (1965-08-01). «Химическое осаждение из паровой фазы за счет высокочастотного разряда». Твердотельная электроника. 8 (8): 653–654. Дои:10.1016 / 0038-1101 (65) 90033-Х. ISSN 0038-1101.
  6. ^ Ай и Айдынли. Сравнительное исследование водородных связей в диэлектриках для оптических волноводов на основе кремния, выращенных методом PECVD. Оптические материалы (2004) т. 26 (1) с. 33-46
  7. ^ Albers et al. Снижение потерь водорода в оптических волноводах PECVD-SiOxNy в ближней инфракрасной области. Ежегодное собрание Общества лазеров и электрооптики, 1995 г. Материалы конференции 8-го ежегодного собрания, том 1., IEEE (1995) vol. 2 с. 88-89 т. 2
  8. ^ Г. Теллез и др., ИНФРАКРАСНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА SiN-ПЛЕН НА Si ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ. МАСТЕР ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ, Военно-морская аспирантура, Монтерей, Калифорния, США (2004)
  9. ^ Эль-амрани, А .; Menous, I .; Mahiou, L .; Tadjine, R .; Туати, А .; Лефгум, А. (2008-10-01). «Пленка из нитрида кремния для солнечных батарей». Возобновляемая энергия. 33 (10): 2289–2293. Дои:10.1016 / j.renene.2007.12.015.