WikiDer > Химическое осаждение из паровой фазы - Википедия

Chemical vapor deposition - Wikipedia
За научный журнал им. Химическое осаждение из паровой фазы, видеть Химическое осаждение из паровой фазы (журнал).
ОКРУГ КОЛУМБИЯ плазма (фиолетовый) усиливает рост углеродных нанотрубок в лабораторном PECVD-устройстве

Химическое осаждение из паровой фазы (ССЗ) это вакуумное напыление метод, используемый для производства высококачественных, прочных материалов с высокими эксплуатационными характеристиками. Этот процесс часто используется в полупроводниковая промышленность производить тонкие пленки.

При типичных сердечно-сосудистых заболеваниях вафля (субстрат) подвергается воздействию одного или нескольких летучий предшественники, который реагировать и / или разлагать на поверхности основы, чтобы произвести желаемый осадок. Часто летучие побочные продукты также производятся, которые удаляются потоком газа через реакционную камеру.

Микрофабрикация В процессах широко используется CVD для нанесения материалов в различных формах, в том числе: монокристаллический, поликристаллический, аморфный, и эпитаксиальный. Эти материалы включают: кремний (диоксид, карбид, нитрид, оксинитрид), углерод (волокно, нановолокна, нанотрубки, алмаз и графен), фторуглероды, нити, вольфрам, нитрид титана и различные диэлектрики high-k.

Типы

Термостенки CVD (периодический режим)
Плазменные сердечно-сосудистые заболевания

CVD практикуются в различных форматах. Эти процессы обычно различаются способами, с помощью которых инициируются химические реакции.

  • Классифицируется по условиям эксплуатации:
    • Атмосферное давление CVD (APCVD) - CVD при атмосферном давлении.
    • CVD низкого давления (LPCVD) - CVD при давлении ниже атмосферного.[1] Пониженное давление, как правило, уменьшает нежелательные газофазные реакции и улучшает однородность пленки на пластине.
    • CVD в сверхвысоком вакууме (UHVCVD) - CVD при очень низком давлении, обычно ниже 10−6 Па (≈10−8 торр). Обратите внимание, что в других областях нижнее деление между высоким и сверхвысокий вакуум часто бывает 10−7 Па.
    • CVD под атмосферным давлением (SACVD) - CVD при давлении ниже атмосферного. Использует Тетраэтилортосиликат (TEOS) и Озон для заполнения Si-структур с высоким аспектным соотношением диоксидом кремния (SiO2).[2]

Большинство современных CVD - это либо LPCVD, либо UHVCVD.

  • Классифицируется по физическим характеристикам пара:
    • Сердечно-сосудистые заболевания с применением аэрозолей (AACVD) - CVD, при котором прекурсоры транспортируются к субстрату с помощью аэрозоля жидкости / газа, который может быть создан ультразвуком. Этот метод подходит для использования с нелетучими прекурсорами.
    • Прямой впрыск жидкости CVD (DLICVD) - CVD, в котором прекурсоры находятся в жидкой форме (жидкое или твердое, растворенное в подходящем растворителе). Жидкие растворы впрыскиваются в испарительную камеру по направлению к инжекторам (обычно автомобильным). Пары прекурсора затем транспортируются к субстрату, как при классическом CVD. Этот метод подходит для использования с жидкими или твердыми прекурсорами. Используя эту технику, можно достичь высоких темпов роста.
  • Классифицируются по типу нагрева подложки:
    • CVD с горячей стенкой - CVD, в котором камера нагревается от внешнего источника питания, а подложка нагревается излучением от нагретых стенок камеры.
    • CVD с холодной стенкой - CVD, в котором только подложка непосредственно нагревается либо индукцией, либо пропусканием тока через саму подложку или нагреватель, контактирующий с подложкой. Стенки камеры имеют комнатную температуру.
  • Плазменные методы (см. Также Плазменная обработка):
    • CVD с использованием микроволновой плазмы (MPCVD)
    • Сердечно-сосудистые заболевания с плазменным усилением (PECVD) - сердечно-сосудистые заболевания, в которых используется плазма для увеличения скорости химической реакции прекурсоров.[3] Обработка PECVD позволяет осаждение при более низких температурах, что часто имеет решающее значение при производстве полупроводников. Более низкие температуры также позволяют наносить органические покрытия, такие как плазменные полимеры, которые использовались для функционализации поверхности наночастиц.[4]
    • Сердечно-сосудистые заболевания с дистанционным плазменным усилением (RPECVD) - аналогичен PECVD, за исключением того, что пластина-подложка не находится непосредственно в области плазменного разряда. Удаление пластины из области плазмы позволяет обрабатывать температуру до комнатной.
    • Химическое осаждение из паровой фазы с применением низкоэнергетической плазмы (LEPECVD) - CVD с использованием плазмы высокой плотности и низкой энергии для эпитаксиального осаждения полупроводниковых материалов при высоких скоростях и низких температурах.
  • Атомно-слойное CVD (ALCVD) - Нанесение последовательных слоев различных веществ для получения слоистых, кристаллический фильмы. Видеть Атомно-слойная эпитаксия.
  • Химическое осаждение из паровой фазы при горении (CCVD) - Химическое осаждение из паровой фазы или пламенный пиролиз - это метод нанесения высококачественных тонких пленок и наноматериалов в открытой атмосфере, основанный на пламени.
  • CVD с горячей нитью (HFCVD) - также известный как каталитическое CVD (Cat-CVD) или, чаще, инициированное CVD, в этом процессе используется горячая нить для химического разложения исходных газов.[5] Таким образом, температура нити и температура подложки контролируются независимо, позволяя более низкие температуры для лучшей скорости поглощения в подложке и более высокие температуры, необходимые для разложения предшественников свободных радикалов на нити.[6]
  • Гибридное физико-химическое осаждение из паровой фазы (HPCVD) - Этот процесс включает как химическое разложение газа-прекурсора, так и испарение из надежного источника.
  • Металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы (MOCVD) - Этот процесс CVD основан на металлоорганический прекурсоры.
  • Быстрое термическое CVD (RTCVD) - В этом процессе CVD используются нагревательные лампы или другие методы для быстрого нагрева подложки пластины. Нагревание только подложки, а не газа или стенок камеры помогает уменьшить нежелательные газофазные реакции, которые могут привести к частица формирование.
  • Парофазная эпитаксия (VPE)
  • Фотоинициированное ССЗ (PICVD) - в этом процессе используется ультрафиолетовый свет для стимуляции химических реакций. Это похоже на плазменную обработку, поскольку плазма является сильным источником УФ-излучения. При определенных условиях PICVD может работать при атмосферном давлении или близком к нему.[7]
  • Лазерное химическое осаждение из паровой фазы (LCVD) - Этот процесс CVD использует лазеры для нагрева пятен или линий на подложке в полупроводниковых приложениях. В МЭМС и производстве волокон лазеры используются быстро для разрушения газа-прекурсора (температура процесса может превышать 2000 ° C) для создания твердой структуры во многом так же, как 3D-принтеры на основе лазерного спекания создают твердые частицы из порошков. .

Использует

CVD обычно используется для осаждения конформных пленок и увеличения поверхности подложки способами, на которые более традиционные методы модификации поверхности не способны. CVD чрезвычайно полезен в процессе осаждение атомного слоя при нанесении очень тонких слоев материала. У таких пленок существует множество применений. Арсенид галлия используется в некоторых интегральные схемы (ИС) и фотоэлектрические устройства. Аморфный поликремний используется в фотоэлектрических устройствах. Определенный карбиды и нитриды придают износостойкость.[8] Полимеризация с помощью химического осаждения из паровой фазы, возможно, наиболее универсальная из всех областей применения, позволяет получать супертонкие покрытия, которые обладают некоторыми очень желательными качествами, такими как смазывающая способность, гидрофобность и устойчивость к атмосферным воздействиям и многие другие.[9] ССЗ металлоорганические каркасы, класс кристаллических нанопористых материалов, был недавно продемонстрирован.[10] Недавно расширенный как интегрированный процесс чистых помещений для нанесения субстратов большой площади,[11] Ожидается, что эти пленки найдут применение в газовых датчиках и низкокалорийные диэлектрикиТехнологии CVD также полезны для мембранных покрытий, например, при опреснении или очистке воды, поскольку эти покрытия могут быть достаточно однородными (конформными) и тонкими, чтобы они не забивали поры мембран.[12]

Коммерчески важные материалы, подготовленные CVD

Поликремний

Поликристаллический кремний депонируется из трихлорсилан (SiHCl3) или же силан (SiH4), используя следующие реакции:[13]

SiHCl3 → Si + Cl2 + HCl
SiH4 → Si + 2 H2

Эту реакцию обычно проводят в системах LPCVD либо с чистым силановым сырьем, либо с раствором силана с 70–80% азот. Температура от 600 до 650 ° C и давление от 25 до 150 Па дают скорость роста от 10 до 20. нм в минуту. Альтернативный процесс использует водород-основное решение. Водород снижает скорость роста, но для компенсации температура повышается до 850 или даже 1050 ° C. Поликремний можно выращивать непосредственно с легированием, если газы, такие как фосфин, арсин или диборан добавляются в камеру CVD. Диборан увеличивает скорость роста, но арсин и фосфин снижают ее.

Диоксид кремния

Диоксид кремния (обычно называемый просто «оксидом» в полупроводниковой промышленности) может быть нанесен с помощью нескольких различных процессов. Общие исходные газы включают силан и кислород, дихлорсилан (SiCl2ЧАС2) и оксид азота[14] (N2O), или тетраэтилортосиликат (TEOS; Si (OC2ЧАС5)4). Реакции следующие:[15]

SiH4 + O2 → SiO2 + 2 часа2
SiCl2ЧАС2 + 2 N2O → SiO2 + 2 N2 + 2 HCl
Si (OC2ЧАС5)4 → SiO2 + побочные продукты

Выбор исходного газа зависит от термостойкости подложки; например, алюминий чувствителен к высокой температуре. Силан осаждается при температуре от 300 до 500 ° C, дихлорсилан при температуре около 900 ° C и TEOS между 650 и 750 ° C, в результате чего образуется слой низкотемпературный оксид (LTO). Однако силан производит оксид более низкого качества, чем другие методы (более низкий диэлектрическая прочность, например), и он вкладывает неконформно. Любая из этих реакций может использоваться в LPCVD, но реакция силана также проводится в APCVD. Оксид CVD неизменно имеет более низкое качество, чем термический оксид, но термическое окисление можно использовать только на самых ранних стадиях производства ИС.

Оксид также может быть выращен с примесями (легирование или же "допинг"). Это может иметь две цели. Во время дальнейших этапов процесса, которые происходят при высокой температуре, примеси могут размытый из оксида в соседние слои (в первую очередь кремний) и легировать их. Для этого часто используются оксиды с содержанием примесей 5–15% по массе. Кроме того, диоксид кремния, легированный пятиокись фосфора («П-стекло») можно использовать для сглаживания неровностей. P-стекло размягчается и оплавляется при температуре выше 1000 ° C. Для этого процесса требуется концентрация фосфора не менее 6%, но концентрация выше 8% может вызвать коррозию алюминия. Фосфор осаждается из газообразного фосфина и кислорода:

4 PH3 + 5 O2 → 2 П2О5 + 6 часов2

Очки содержащие бор и фосфор (борофосфосиликатное стекло, BPSG) подвергаются вязкой текучести при более низких температурах; Температура около 850 ° C достижима для стекол, содержащих около 5 мас.% обоих компонентов, но стабильность на воздухе может быть труднодостижимой. Оксид фосфора в высоких концентрациях взаимодействует с окружающей влажностью с образованием фосфорной кислоты. Кристаллы БПО4 может также выпадать в осадок из стекла при охлаждении; эти кристаллы нелегко протравить в стандартной реактивной плазме, используемой для моделирования оксидов, и приведут к дефектам схемы при производстве интегральных схем.

Помимо этих преднамеренных примесей, оксид CVD может содержать побочные продукты осаждения. TEOS дает относительно чистый оксид, тогда как силан вводит примеси водорода, а дихлорсилан вводит хлор.

Также исследовалось осаждение при более низких температурах диоксида кремния и легированных стекол из TEOS с использованием озона, а не кислорода (от 350 до 500 ° C). Озоновые стекла имеют отличную форму, но имеют тенденцию к гигроскопичности, то есть они поглощают воду из воздуха из-за включения в стекло силанола (Si-OH). Инфракрасная спектроскопия и механическая деформация как функция температуры являются ценными диагностическими инструментами для диагностики таких проблем.

Нитрид кремния

Нитрид кремния часто используется в качестве изолятора и химического барьера при производстве ИС. Следующие две реакции выделяют нитрид кремния из газовой фазы:

3 SiH4 + 4 NH3 → Si3N4 + 12 часов2
3 SiCl2ЧАС2 + 4 NH3 → Si3N4 + 6 HCl + 6 H2

Нитрид кремния, нанесенный методом LPCVD, содержит до 8% водорода. Он также испытывает сильное растяжение стресс, что может привести к растрескиванию пленок толщиной более 200 нм. Однако у него выше удельное сопротивление и диэлектрическая прочность, чем у большинства изоляторов, обычно доступных в микропроизводстве16 Ω· См и 10 МV/ см соответственно).

Еще две реакции могут быть использованы в плазме для осаждения SiNH:

2 SiH4 + N2 → 2 SiNH + 3 H2
SiH4 + NH3 → SiNH + 3 H2

Эти пленки имеют гораздо меньшее растягивающее напряжение, но худшие электрические свойства (удельное сопротивление 106 до 1015 Ом · см и диэлектрическая прочность от 1 до 5 МВ / см).[16]

Металлы

CVD для вольфрам достигается из гексафторид вольфрама (WF6), которые могут быть депонированы двумя способами:

WF6 → W + 3 F2
WF6 + 3 часа2 → Вт + 6 ВЧ

Другие металлы, особенно алюминий и медь, могут быть депонированы CVD. По состоянию на 2010 г., коммерчески рентабельное химическое осаждение из паровой фазы для меди не существовало, хотя существуют летучие источники, такие как Cu (hfac)2. Медь обычно откладывается гальваника. Алюминий можно наносить из триизобутилалюминий (ТИБАЛ) и связанные алюминийорганические соединения.

CVD для молибден, тантал, титан, широко используется никель.[нужна цитата] Эти металлы могут образовывать полезные силициды при нанесении на кремний. Mo, Ta и Ti осаждаются LPCVD из их пентахлоридов. Никель, молибден и вольфрам можно осаждать при низких температурах из их карбонильных предшественников. В общем, для произвольного металла M, реакция осаждения хлоридов выглядит следующим образом:

2 мкл5 + 5 часов2 → 2 M + 10 HCl

тогда как реакция разложения карбонила может происходить самопроизвольно при термической обработке или акустической кавитации и выглядит следующим образом:

M (CO)п → M + n CO

разложение карбонилов металлов часто сильно осаждается влагой или воздухом, где кислород вступает в реакцию с предшественником металла с образованием металла или оксида металла вместе с диоксидом углерода.

Оксид ниобия (V) слои могут быть получены термическим разложением этоксид ниобия (V) с потерей диэтиловый эфир[17][18] согласно уравнению:

2 Nb (OC2ЧАС5)5 → Nb2О5 + 5 С2ЧАС5OC2ЧАС5

Графен

Многие варианты CVD могут быть использованы для синтеза графена. Несмотря на то, что было сделано много улучшений, перечисленные ниже процессы еще не являются коммерчески жизнеспособными.

  • Источник углерода

Самым популярным источником углерода, который используется для производства графена, является газообразный метан. Один из менее популярных вариантов - нефтяной асфальт, который отличается недорого, но с ним труднее работать.[19]

Хотя метан является наиболее популярным источником углерода, в процессе подготовки требуется водород, чтобы способствовать отложению углерода на подложке. Если соотношение потоков метана и водорода не подходит, это приведет к нежелательным результатам. Во время роста графена роль метана заключается в обеспечении источника углерода, роль водорода заключается в обеспечении атомов H для коррозии аморфного углерода,[20] и улучшить качество графена. Но избыточные атомы водорода также могут вызывать коррозию графена.[21] В результате нарушается целостность кристаллической решетки и ухудшается качество графена.[22] Следовательно, оптимизируя расход газов метана и водорода в процессе выращивания, качество графена может быть улучшено.

  • Использование катализатора

Использование катализатора жизнеспособно для изменения физического процесса производства графена. Известные примеры включают наночастицы железа, пену никеля и пары галлия. Эти катализаторы можно использовать либо in situ во время накопления графена, либо[19][23] или расположенные на некотором расстоянии в зоне осаждения.[24] Некоторым катализаторам требуется еще один шаг, чтобы удалить их из материала образца.[23]

Прямое выращивание высококачественных больших монокристаллических доменов графена на диэлектрической подложке имеет жизненно важное значение для приложений в электронике и оптоэлектронике. Сочетание преимуществ как каталитического химического осаждения из паровой фазы, так и ультраплоской диэлектрической подложки, химическое осаждение из паровой фазы с использованием газового катализатора[25] открывает путь к синтезу высококачественного графена для приложений устройств, избегая при этом процесса переноса.

  • Физические условия

Физические условия, такие как окружающее давление, температура, газ-носитель и материал камеры, играют большую роль в производстве графена.

В большинстве систем используется LPCVD с давлением от 1 до 1500 Па.[19][24][26][27] Однако некоторые по-прежнему используют APCVD.[23] Чаще используются низкие давления, поскольку они помогают предотвратить нежелательные реакции и обеспечивают более равномерную толщину осаждения на подложке.

С другой стороны, используемые температуры находятся в диапазоне 800–1050 ° C.[19][23][24][26][27] Высокие температуры приводят к увеличению скорости реакции. Следует проявлять осторожность, поскольку высокие температуры представляют более высокий уровень опасности в дополнение к более высоким затратам на электроэнергию.

  • Газ-носитель

В систему поступают газообразный водород и инертные газы, такие как аргон.[19][23][24][26][27] Эти газы действуют как носители, усиливая реакцию на поверхности и повышая скорость реакции, тем самым увеличивая осаждение графена на подложке.

  • Материал камеры

В CVD графена используются стандартные кварцевые трубки и камеры.[19][23][24][26][27] Кварц выбран потому, что он имеет очень высокую температуру плавления и химически инертен. Другими словами, кварц не мешает никаким физическим или химическим реакциям независимо от условий.

  • Методы анализа результатов

Рамановская спектроскопия, рентгеновская спектроскопия, просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) и сканирующая электронная микроскопия (СЭМ) используются для исследования и характеристики образцов графена.[19][23][24][26][27]

Рамановская спектроскопия используется для характеристики и идентификации частиц графена; Рентгеновская спектроскопия используется для характеристики химических состояний; ПЭМ используется для получения мелких деталей относительно внутреннего состава графена; СЭМ используется для исследования поверхности и топографии.

Иногда атомно-силовая микроскопия (АСМ) используется для измерения локальных свойств, таких как трение и магнетизм.[26][27]

Технику CVD с холодной стенкой можно использовать для изучения лежащих в основе науки о поверхности, связанных с зарождением и ростом графена, поскольку она позволяет беспрецедентно контролировать параметры процесса, такие как скорость потока газа, температура и давление, как продемонстрировано в недавнем исследовании. Исследование проводилось в самодельной вертикальной системе холодных стен с использованием резистивного нагрева путем пропускания постоянного тока через подложку. Это дало убедительное представление о типичном поверхностном механизме зародышеобразования и роста в двумерных материалах, выращенных с использованием каталитического химического осаждения из паровой фазы в условиях, которые необходимы в полупроводниковой промышленности.[28][29]

Графеновая нанолента

Несмотря на захватывающие электронные и тепловые свойства графена, он не подходит в качестве транзистора для будущих цифровых устройств из-за отсутствия запрещенной зоны между зоной проводимости и валентной зоной. Это делает невозможным переключение между включенным и выключенным состояниями относительно электронного потока. В более низком масштабе графеновые наноленты шириной менее 10 нм действительно демонстрируют электронные запрещенные зоны и, следовательно, являются потенциальными кандидатами для цифровых устройств. Однако точный контроль их размеров и, следовательно, электронных свойств представляет собой сложную задачу, и ленты обычно имеют неровные края, которые ухудшают их характеристики.

Алмаз

Отдельно стоящий монокристаллический алмазный диск CVD
A colorless faceted gem
Бесцветный драгоценный камень, вырезанный из алмаза, выращенного методом химического осаждения из паровой фазы.
Смотрите также: Синтетический алмаз § Химическое осаждение из паровой фазы

CVD можно использовать для получения синтетический алмаз создавая условия, необходимые для того, чтобы атомы углерода в газе оседали на подложке в кристаллической форме. CVD алмазов привлекло большое внимание в материаловедении, потому что оно позволяет использовать множество новых применений, которые ранее считались слишком дорогими. CVD-рост алмаза обычно происходит при низком давлении (1–27 кПа; 0.145–3.926 psi; 7.5–203 Торр) и включает подачу различного количества газов в камеру, подпитку их и создание условий для роста алмаза на подложке. Газы всегда включают в себя источник углерода и, как правило, также включают водород, хотя используемые количества сильно различаются в зависимости от типа выращиваемого алмаза. Источники энергии включают горячая нить, микроволновая печь власть, и дуговые разряды, среди прочего. Источник энергии предназначен для генерации плазмы, в которой газы расщепляются и возникают более сложные химические процессы. Фактический химический процесс роста алмаза все еще изучается и осложняется очень широким разнообразием используемых процессов роста алмаза.

С помощью химического осаждения из паровой фазы алмазные пленки можно выращивать на больших площадях подложки с контролем свойств получаемого алмаза. В прошлом, когда для производства алмаза использовались методы высокого давления и высокой температуры (HPHT), результатом обычно были очень маленькие свободно стоящие алмазы различных размеров. С помощью CVD-алмазов были достигнуты области роста диаметром более пятнадцати сантиметров (шести дюймов), и в будущем, вероятно, будут успешно покрыты алмазом гораздо большие области. Улучшение этого процесса является ключом к включению нескольких важных приложений.

Рост алмаза непосредственно на подложке позволяет добавлять многие важные качества алмаза к другим материалам. Поскольку алмаз имеет самый высокий теплопроводность Для любого объемного материала наслоение алмаза на высокотемпературную электронику (такую ​​как оптика и транзисторы) позволяет использовать алмаз в качестве радиатора.[30][31] Алмазные пленки выращивают на кольцах клапанов, режущих инструментах и ​​других объектах, которые выигрывают от твердости алмаза и чрезвычайно низкой скорости износа. В каждом случае рост алмаза должен выполняться осторожно, чтобы добиться необходимой адгезии к основанию. Очень высокая устойчивость к царапинам и теплопроводность алмаза в сочетании с более низкой коэффициент температурного расширения чем Pyrex стекло, а коэффициент трения близок к тефлоновому (политетрафторэтилен) и сильный липофильность сделало бы его почти идеальным антипригарным покрытием для посуды, если бы можно было экономично покрыть большие площади субстрата.

CVD-рост позволяет контролировать свойства получаемого алмаза. В области выращивания алмазов слово «алмаз» используется для описания любого материала, в основном состоящего из sp3-связанный углерод, и в него входит много различных типов алмазов. Регулируя параметры обработки - особенно вводимые газы, но также включая давление, при котором работает система, температура алмаза и метод генерации плазмы, можно получить множество различных материалов, которые можно рассматривать как алмаз. Монокристаллический алмаз может быть изготовлен из различных присадки.[32] Поликристаллический алмаз состоящий из размеров зерен нескольких нанометры нескольким микрометры можно выращивать.[30][33] Некоторые зерна поликристаллического алмаза окружены тонким неалмазным углеродом, а другие нет. Эти различные факторы влияют на твердость, гладкость, проводимость, оптические свойства алмаза и многое другое.

Халькогениды

Коммерчески, теллурид кадмия ртути представляет постоянный интерес для обнаружения инфракрасного излучения. Состоит из сплав CdTe и HgTe, этот материал может быть получен из диметилпроизводных соответствующих элементов.

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ «Химическое осаждение из паровой фазы при низком давлении - технология и оборудование». Crystec Technology Trading GmbH.
  2. ^ Shareef, I.A .; Rubloff, G.W .; Anderle, M .; Gill, W. N .; Cotte, J .; Ким, Д. Х. (1 июля 1995 г.). «Процесс химического осаждения озона из паровой фазы под атмосферой / процесс TEOS для заполнения траншеи SiO2». Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phencies. 13 (4): 1888–1892. Дои:10.1116/1.587830. ISSN 1071-1023.
  3. ^ Crystec Technology Trading GmbH, плазменное химическое осаждение из паровой фазы - технология и оборудование
  4. ^ Таварес, Джейсон; Swanson, E.J .; Куломб, С. (2008). «Плазменный синтез покрытых металлических наночастиц с поверхностными свойствами, адаптированными к дисперсии». Плазменные процессы и полимеры. 5 (8): 759. Дои:10.1002 / ppap.200800074.
  5. ^ Schropp, R.E.I .; Б. Станновски; ЯВЛЯЮСЬ. Брокхофф; P.A.T.T. ван Венендал; J.K. Рат. "ХОПФ с нагревом проволоки гетерогенных и поликристаллических кремниевых полупроводниковых тонких пленок для применения в тонкопленочных транзисторах и солнечных элементах" (PDF). Физика и механика материалов. С. 73–82.
  6. ^ Глисон, Карен К .; Кеннет К.С. Лау; Джеффри А. Колфилд (2000). «Структура и морфология фторуглеродных пленок, полученных методом химического осаждения из паровой фазы». Химия материалов. 12 (10): 3032. Дои:10,1021 / см 000499 Вт. S2CID 96618488.
  7. ^ Dorval Dion, CA; Таварес, Дж. Р. (2013). "Фотоинициированное химическое осаждение из паровой фазы как масштабируемая технология функционализации частиц (практический обзор)". Порошковая технология. 239: 484–491. Дои:10.1016 / j.powtec.2013.02.024.
  8. ^ Валь, Георг и другие. (2000) «Тонкие пленки» в Энциклопедия промышленной химии Ульмана, Wiley-VCH, Weinheim. Дои:10.1002 / 14356007.a26_681
  9. ^ Глисон, Карен; Айсе Асатекин; Майлз К. Барр; Самаан Х. Баксамуса; Кеннет К.С. Лау; Вятт Тенхафф; Цзинцзин Сюй (май 2010 г.). «Проектирование полимерных поверхностей методом осаждения из паровой фазы». Материалы сегодня. 13 (5): 26–33. Дои:10.1016 / S1369-7021 (10) 70081-X.
  10. ^ Стассен, я; Стили, М; Grenci, G; Ван Горп, H; Вандерлинден, Вт; Де Фейтер, S; Falcaro, P; Де Вос, Д; Vereecken, P; Амелут, Р. (2015). «Химическое осаждение из паровой фазы тонких пленок цеолитного имидазолатного каркаса». Материалы Природы. 15 (3): 304–10. Bibcode:2016НатМа..15..304С. Дои:10.1038 / nmat4509. PMID 26657328.
  11. ^ Cruz, A .; Стассен, I .; Krishtab, M .; Marcoen, K .; Стасин, Т .; Rodríguez-Hermida, S .; Teyssandier, J .; Pletincx, S .; Verbeke, R .; Rubio-Giménez, V .; Татай, С .; Martí-Gastaldo, C .; Meersschaut, J .; Vereecken, P.M .; Де Фейтер, С .; Hauffman, T .; Амелут, Р. (2019). «Интегрированный процесс чистых помещений для парофазного осаждения цеолитных имидазолатных каркасных тонких пленок с большой площадью». Химия материалов. 31 (22): 9462–9471. Дои:10.1021 / acs.chemmater.9b03435. HDL:10550/74201.
  12. ^ Servi, Amelia T .; Гильен-Бурриеза, Елена; Уорсингер, Дэвид М .; Ливернуа, Уильям; Нотаранджело, Кэти; Харраз, Джехад; Lienhard V, John H .; Арафат, Хасан А .; Глисон, Карен К. (2017). «Влияние толщины и конформности пленки iCVD на проницаемость и смачивание MD мембран» (PDF). Журнал мембрановедения. 523: 470–479. Дои:10.1016 / j.memsci.2016.10.008. HDL:1721.1/108260. ISSN 0376-7388.
  13. ^ Симмлер, В. "Соединения кремния, неорганические". Энциклопедия промышленной химии Ульмана. Вайнхайм: Wiley-VCH. Дои:10.1002 / 14356007.a24_001.
  14. ^ Труды Третьего Всемирного конгресса химического машиностроения, Токио, стр. 290 (1986)
  15. ^ Цао, Гочжун; Ван, Ин (2011). Наноструктуры и наноматериалы - синтез, свойства и применение. Мировое научное издательство. п. 248. Дои:10.1142/7885. ISBN 978-981-4322-50-8.
  16. ^ Зе, С. (2008). Полупроводниковые приборы: физика и техника. Wiley-India. п. 384. ISBN 978-81-265-1681-0.
  17. ^ Маруяма, Тоширо (1994). «Электрохромные свойства тонких пленок оксида ниобия, полученных методом химического осаждения из паровой фазы». Журнал Электрохимического общества. 141 (10): 2868–2871. Дои:10.1149/1.2059247.
  18. ^ Рахту, Антти (2002). Атомно-слоистое осаждение оксидов с высокой диэлектрической проницаемостью: рост пленки и исследования in situ (Тезис). Университет Хельсинки. HDL:10138/21065. ISBN 952-10-0646-3.
  19. ^ а б c d е ж г Лю, Чжучэнь; Ту, Чжицян; Ли, Юнфэн; Ян, Фань; Хан, Шуанг; Ян, Ван; Чжан, Лицян; Ванга, банда; Сюй, Чуньмин (2014-05-01). «Синтез трехмерного графена из нефтяного асфальта методом химического осаждения из паровой фазы». Письма о материалах. 122: 285–288. Дои:10.1016 / j.matlet.2014.02.077.
  20. ^ Пак, Хе Джин; Мейер, Янник; Рот, Зигмар; Скакалова, Вьера (весна 2010 г.). «Рост и свойства многослойного графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы». Углерод. 48 (4): 1088–1094. arXiv:0910.5841. Дои:10.1016 / j.carbon.2009.11.030. ISSN 0008-6223. S2CID 15891662.
  21. ^ Вэй, Дачэн; Лу, Юньхао; Хан, Ченг; Ниу, Тяньчао; Чен, Вэй; Ви, Эндрю Тай Шен (2013-10-31). «Критический рост кристаллов графена на диэлектрических подложках при низкой температуре для электронных устройств». Angewandte Chemie. 125 (52): 14371–14376. Дои:10.1002 / ange.201306086. ISSN 0044-8249. PMID 24173776.
  22. ^ Чен, Цзяньи; Го, Юньлун; Вэнь, Югэн; Хуанг, Липин; Сюэ, Юньчжоу; Гэн, Дэчао; Ву, Бин; Ло, Биронг; Ю, Гуй (14 февраля 2013). «Графен: двухэтапный рост без использования металлических катализаторов высококачественных пленок поликристаллического графена на подложках из нитрида кремния (Adv. Mater. 7/2013)». Современные материалы. 25 (7): 992–997. Дои:10.1002 / adma.201370040. ISSN 0935-9648.
  23. ^ а б c d е ж г Patel, Rajen B .; Ю, Чи; Чжоу, Цзэнмин; Икбал, Зафар (2014). «Новый путь синтеза графена с использованием наночастиц железа». Журнал материаловедения. 29 (14): 1522–1527. Bibcode:2014JMatR..29.1522P. Дои:10.1557 / jmr.2014.165.
  24. ^ а б c d е ж Мураками, Кацухиса; Танака, Сюнсуке; Хирукава, Аяка; Хияма, Такаки; Куваджима, Томоя; Кано, Эми; Такегучи, Масаки; Фудзита, Джун-ичи (2015). «Прямой синтез графена большой площади на изолирующей подложке с помощью химического осаждения из паров галлия». Письма по прикладной физике. 106 (9): 093112. Bibcode:2015АпФЛ.106и3112М. Дои:10.1063/1.4914114.
  25. ^ Тан, Шуцзе; Ван, Хаомин; Ван, Хуэйшань (2015). «Катализируемый силаном быстрый рост крупного монокристаллического графена на гексагональном нитриде бора». Nature Communications. 6: 6499. arXiv:1503.02806. Bibcode:2015 НатКо ... 6,6499 т. Дои:10.1038 / ncomms7499. ЧВК 4382696. PMID 25757864.
  26. ^ а б c d е ж Чжан, КанКун; Линь, WeiYi; Чжао, ЧжиЦзюань; Чжуан, ПингПин; Чжан, Линь Цзе; Чжоу, Инхуэй; Цай, ВэйВэй (2015-09-05). "CVD синтез легированного азотом графена с использованием мочевины". Наука Китай Физика, механика и астрономия. 58 (10): 107801. Bibcode:2015SCPMA..58.7801Z. Дои:10.1007 / s11433-015-5717-0. S2CID 101408264.
  27. ^ а б c d е ж Ким, Санг-Мин; Ким, Джэ-Хен; Ким, Кванг-Сеоп; Хванбо, Юнь; Юн, Чон-Хёк; Ли, Ын-Гю; Рю, Джечоль; Ли, Хак-Джу; Чо, Сынмин (2014). «Синтез CVD-графена на быстро нагретых медных фольгах». Наномасштаб. 6 (9): 4728–34. Bibcode:2014Nanos ... 6.4728K. Дои:10.1039 / c3nr06434d. PMID 24658264. S2CID 5241809.
  28. ^ Дас, Шантану; Друкер, Джефф (2017). «Зарождение и рост однослойного графена на электроосажденной меди методом химического осаждения из паровой фазы с холодной стенкой». Нанотехнологии. 28 (10): 105601. Bibcode:2017Nanot..28j5601D. Дои:10.1088 / 1361-6528 / aa593b. PMID 28084218.
  29. ^ Дас, Шантану; Друкер, Джефф (28 мая 2018 г.). «Масштабирование размеров графеновых островков до объединения». Журнал прикладной физики. 123 (20): 205306. Bibcode:2018JAP ... 123t5306D. Дои:10.1063/1.5021341.
  30. ^ а б Костелло, М; Tossell, D; Рис, Д.; Бриерли, К; Сэвидж, Дж (1994). «Алмазные защитные покрытия для оптических компонентов». Алмаз и сопутствующие материалы. 3 (8): 1137–1141. Bibcode:1994DRM ..... 3.1137C. Дои:10.1016/0925-9635(94)90108-2.
  31. ^ Сун Ли, Вунг; Ю, Джин (2005). «Сравнительное исследование теплопроводных наполнителей в заполнителях электронных компонентов». Алмаз и сопутствующие материалы. 14 (10): 1647–1653. Bibcode:2005DRM .... 14.1647S. Дои:10.1016 / j.diamond.2005.05.008.
  32. ^ Исберг, Дж (2004). «Монокристаллический алмаз для электронных приложений». Алмаз и сопутствующие материалы. 13 (2): 320–324. Bibcode:2004DRM .... 13..320I. Дои:10.1016 / j.diamond.2003.10.017.
  33. ^ Краусс, А (2001). «Тонкие ультрананокристаллические алмазные пленки для МЭМС и движущихся механических сборочных устройств». Алмаз и сопутствующие материалы. 10 (11): 1952–1961. Bibcode:2001DRM .... 10.1952K. Дои:10.1016 / S0925-9635 (01) 00385-5.

дальнейшее чтение

  • Джегер, Ричард С. (2002). «Пленочное осаждение». Введение в производство микроэлектроники (2-е изд.). Река Верхнее Седл: Prentice Hall. ISBN 978-0-201-44494-0.
  • Смит, Дональд (1995). Тонкопленочное напыление: принципы и практика. Макгроу-Хилл. ISBN 978-0-07-058502-7.
  • Добкин и Зурав (2003). Принципы химического осаждения из паровой фазы. Kluwer. ISBN 978-1-4020-1248-8.
  • К. Окада "Плазменное химическое осаждение нанокристаллического алмаза из газовой фазы" Sci. Technol. Adv. Mater. 8 (2007) 624 бесплатно скачать обзор
  • Т. Лю, Д. Раабе и С. Заефферер "3D томографический EBSD-анализ тонкой пленки CVD-алмаза" Sci. Technol. Adv. Mater. 9 (2008) 035013 бесплатная загрузка
  • Кристоф Вильд "Свойства и полезная формула CVD-алмаза" Буклет CVD Diamond (2008 г.) PDF бесплатная загрузка
  • Деннис В. Гесс, ХИМИЧЕСКОЕ ПАРОПОЛОЖЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКбесплатная загрузка из Электронные материалы и обработка: Материалы Первого Конгресса по электронным материалам и обработке, проведенного в связи с Всемирным конгрессом материалов 1988 г., Чикаго, Иллинойс, США, 24–30 сентября 1988 г., под редакцией Прабджита Сингха (спонсируется Отделом электронных материалов и обработки ASM INTERNATIONAL)