WikiDer > Дителлурид молибдена

Molybdenum ditelluride
Дителлурид молибдена
Дителлурид молибдена
Имена
Название ИЮПАК
бис (телланилиден) молибден
Другие имена
теллурид молибдена (IV)
Идентификаторы
3D модель (JSmol)
ChemSpider
ECHA InfoCard100.031.832 Отредактируйте это в Викиданных
Номер ЕС
  • 235-028-4
Характеристики
MoTe
2
Молярная масса351,14 г / моль[1]
Внешностьчерный / свинцово-серый твердый
Плотность7,7 г / см3[1]
Температура плавления разлагается
нерастворимый
Растворимостьразложен азотная кислота
не растворим в неокисляющих кислотах
Ширина запрещенной зоны1,1 эВ (прямой, монослой)[2]
0,9 эВ (непрямое, объемное)[2][3]
Структура
hP6, P63/ mmc, № 194 (α или 2H)

mP12, P21/ м, №11 (β или 1Т)

Родственные соединения
Другой анионы
оксид молибдена (IV) дисульфид молибдена диселенид молибдена
Другой катионы
дителлурид вольфрама
Если не указано иное, данные для материалов приведены в их стандартное состояние (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа).
☒N (что проверитьY☒N ?)
Ссылки на инфобоксы

Теллурид молибдена (IV), дителлурид молибдена или просто теллурид молибдена представляет собой соединение молибден и теллур с формулой MoTe2, соответствующий массовый процент из 27,32% молибдена и 72,68% теллура. Он может кристаллизоваться в двухмерные листы, которые можно уменьшить до монослои гибкие и почти прозрачные. Это полупроводник и может флуоресценция. Это часть класса материалов, называемых дихалькогениды переходных металлов. Как полупроводник запрещенная зона лежит в инфракрасной области. Это увеличивает возможность использования в качестве полупроводника в электронике или инфракрасный детектор.[4]

Подготовка

MoTe2 может быть приготовлен путем нагревания элементов с правильным соотношением вместе до 1100 ° C в вакууме.[5] Другой метод - осаждение из паровой фазы, при котором молибден и теллур улетучиваются в газообразном броме, а затем осаждаются.[6] Использование брома приводит к образованию полупроводник n-типа, тогда как использование теллура приводит только к полупроводник p-типа.[7]

Количество теллура в дителлуриде молибдена может варьироваться, при этом теллур будет немного недостаточным, если его не добавить в избытке во время производства. Молекулярная доля теллура колеблется от 1,97 до 2.[8] Избыточный теллур, отложившийся во время этого процесса, можно растворить с помощью серная кислота.[9]

Путем отжига пленки молибдена в парах теллура при температуре от 850 до 870 ° C в течение нескольких часов тонкий слой MoTe2 сформирован.[10]

Аморфную форму можно получить сонохимически реагируя гексакарбонил молибдена с теллуром, растворенным в декалин.[11]

Дителлурид молибдена может быть образован электроосаждение из решения молибденовая кислота (ЧАС2МоО4) и диоксид теллура (TeO2). Изделие можно гальванизировать на нержавеющую сталь или оксид индия и олова.[12]

Теллуризация тонкой пленки Mo при 650 ° C путем химическое осаждение из паровой фазы (CVD) приводит к гексагональной полупроводниковой α-форме (2H-MoTe2) при использовании MoO3 пленка производит моноклинную, полуметаллическую β-форму (1T'-MoTe2) при той же температуре 650 ° C.[13]

Физические свойства

Цвет

В виде порошка MoTe2 черный.[14]

Очень тонкие кристаллы MoTe2 можно сделать с помощью липкой ленты. Когда они тонкие, может передаваться красный свет толщиной около 500 нм. Даже более тонкие слои могут быть оранжевыми или прозрачными. Край поглощения возникает в спектре с длинами волн более 6720 A и более короткими волнами, которые сильно затухают. При 77 К край меняется на 6465 Å. Это соответствует темно-красному цвету.[15]

Инфракрасный

MoTe2 отражает около 43% в инфракрасном диапазоне, но имеет максимум на 234,5 см−1 и минимум 245,8 см−1.[16]

С понижением температуры полосы поглощения сужаются. При 77 К наблюдаются пики поглощения при 1,141, 1,230, 1,489, 1,758, 1,783, 2,049, 2,523, 2,578 и 2,805 эВ.[17]

Экситон Уровни энергии находятся на уровне 1,10 эВ, называемого A, и 1,48 эВ, называемого B, с разницей в 0,38 эВ.[18]

Рамановский спектр

Рамановский спектр состоит из четырех линий с волновыми числами 25,4, 116,8, 171,4 и двойной линии 232,4 и 234,5 см.−1.[16] Пик на 234,5 см.−1 связано с E12 г мода, особенно в нанослоях, но более толстые формы и объем имеют второй пик на 232,4 см−1 также, возможно, из-за E21U фононный режим. Пик около 171,4 см.−1 происходит от A1 г. 138 и 185 см−1 пики могут быть связаны с гармониками. B12 г соответствует пику около 291 см.−1 в нанослоях с несколькими слоями.[19] E12 г частота увеличивается при уменьшении количества слоев до 236,6 см−1 для одного слоя. А1 г режим понижает свою частоту по мере уменьшения количества слоев, становясь 172,4 см−1 для монослоя.[19]

Форма кристалла

Кристаллическая структура гексагонального (α или 2H) MoTe2
Кристаллическая структура орторомбического (β ', 1T' или Td) и моноклинного (β или 1T, тень) MoTe2
Электронная микрофотография моноклинной 1T 'MoTe2 вдоль оси кристалла [100][20]

MoTe2 обычно существует в трех кристаллических формах с довольно схожей слоистой структурой: гексагональной α (2H-MoTe2), моноклинный β (1T'-MoTe2) и ромбической β '. При комнатной температуре кристаллизуется в шестиугольная система похожий на дисульфид молибдена.[5] Кристаллы бывают пластинчатыми или плоскими.[6] MoTe2 имеет ячейка размеры a = 3,519 Å c = 13,964 Å и удельный вес 7,78 г · см−3.[5] Каждый атом молибдена окружен шестью атомами теллура в тригональной призме с разделением этих атомов Mo и Te на 2,73 Å.[5] Это приводит к подслоям молибдена, зажатым между двумя подслоями атомов теллура, а затем эта трехслойная структура складывается.[21] Толщина каждого слоя 6,97 Å.[15] Внутри этого слоя два атома теллура в одном подслое образуют угол 80,7 °. Атомы теллура в одном подслое находятся непосредственно над атомами в нижнем подслое, и они образуют угол 83,1 ° у атома молибдена. Другой угол Te-Mo-Te по подслоям составляет 136,0 °. Расстояние между атомами молибдена внутри подслоя составляет 3,518 Å. Это то же самое, что и расстояние между атомами теллура в подслое. Расстояние между атомом теллура в одном подслое и атомом в другом подслое составляет 3,60 Å.[22]

Слои склеиваются только вместе сила Ван дер Ваальса.[23] Расстояние между атомами теллура по слоям составляет 3,95 Å.[22] Атом теллура в нижней части одного слоя выровнен с центром треугольника из атомов теллура наверху слоя ниже. Таким образом, слои находятся в двух разных положениях.[22] Кристалл очень легко раскалывается в плоскости между трехслойными листами.[21] Размеры меняются с температурой, при 100 К a = 3,492 Å, а при 400 К - 3,53 Å. В том же диапазоне c изменяется от 13,67 до 14,32 Å из-за теплового расширения.[21] Гексагональную форму также называют 2H-MoTe.2, где «H» означает шестиугольник, а «2» означает, что слои находятся в двух разных положениях. Каждый второй слой расположен одинаково.

При температурах выше 900 ° C MoTe2 кристаллизуется в моноклинический 1T форма (β – MoTe2), с космическая группа P21/ м при размерах элементарной ячейки a = 6,33 Å, b = 3,469 Å и c = 13,86 Å с углом β = 93 ° 55 ′. В высокотемпературной форме кристаллы стержневидные. Измеренная плотность этого полиморфа составляет 7,5 г · см.−3, но по идее должно быть 7,67 г · см−3. Атомы теллура образуют искаженный октаэдр вокруг атомов молибдена.[6] Эта высокотемпературная форма, названная β – MoTe2 можно резко охладить до комнатной температуры.[24] В этом метастабильном состоянии β-MoTe2 выдерживает температуру ниже 500 ° C.[25] Когда метастабильный β – MoTe2 охлаждается ниже −20 ° C, его кристаллическая форма меняется на ромбическую. Это связано с тем, что угол моноклинности c изменяется на 90 °. Эта форма называется β 'или, ошибочно, Td.[26]

Переход от α- к β-MoTe2 происходит при 820 ° C, но если Te снижается на 5%, требуемая температура перехода увеличивается до 880 ° C.[25] К. Уэно и К. Фукусима утверждают, что при нагревании α-формы в низком или высоком вакууме она окисляется с образованием МоО.2 и что обратимые фазовые переходы не происходят.[27]

Оптом, MoTe2 с трудом может быть получен в виде монокристалла, но также может быть получен в виде порошка, в виде поликристаллической формы, в виде тонкой пленки, в виде нанослоя, состоящего из нескольких листов TeMoTe, двухслойного слоя, состоящего из двух листов, или в виде монослоя с один лист.

Тонкие нанослойные формы α-MoTe2 имеют разную симметрию в зависимости от количества слоев. При нечетном количестве слоев группа симметрии является D13ч без инверсия, но для четного числа слоев решетка такая же, если инвертировать, и группа симметрии D33D.[19]Нанотрубки диаметром 20–60 нм можно получить путем термообработки аморфного MoTe.2.[11]

Электрические

Объемный α-MoTe N-типа2 имеет электрическую проводимость 8,3 Ом.−1см−1 с 5 × 1017 подвижных электронов на кубический сантиметр. Насыпной MoTe типа P2 имеет электропроводность 0,2 Ом.−1см−1 и концентрация дырок 3,2 × 1016 см−3.[7] Пиковая электрическая проводимость составляет около 235 К, медленно снижаясь с понижением температуры, но также снижаясь до минимума около 705 К. Проводимость выше 705 К снова увеличивается с температурой.[14] Порошок MoTe2 имеет гораздо более высокое сопротивление.

β – MoTe2 имеет гораздо более низкое удельное сопротивление, чем α – MoTe2 более чем в тысячу раз со значениями около 0,002 Ом · см.[24] Он гораздо более металлический по своей природе.[25] В β-форме атомы молибдена расположены ближе друг к другу, так что зона проводимости перекрывается.[28] При комнатной температуре удельное сопротивление составляет 0,000328 Ом · см.[29]

Орторомбический МоТе2 имеет сопротивление примерно на 10% ниже, чем у β-формы, и сопротивление показывает гистерезис в несколько градусов в точке перехода около 250 К. Сопротивление падает примерно линейно с понижением температуры. При 180 К удельное сопротивление 2,52 × 10−4 Ом · см,[29] а при 120 мК материал становится сверхпроводником.[20]

При низких уровнях электрического тока напряжение пропорционально току в форме α. С высокими электрическими токами MoTe2 показывает отрицательное сопротивление, при этом по мере увеличения тока напряжение на материале уменьшается. Это означает, что существует максимальное напряжение, которое может быть приложено. В области отрицательного сопротивления ток должен быть ограничен, иначе тепловой разгон приведет к разрушению изделия, сделанного из материала.[30]

В Постоянная холла при комнатной температуре около 120 см3/ Кулон для стехиометрического α-MoTe2. Но по мере истощения Te константа падает почти до 0 для составов в диапазоне MoTe1.94 в MoTe1.95.[31]

В Коэффициент Зеебека составляет около 450 мкВ / К при комнатной температуре для чистого MoTe2, но это падает до 0 для MoTe1.95. Коэффициент Зеебека увеличивается при понижении температуры.[31]

Ширина запрещенной зоны

В объемной α-форме MoTe2 материал - полупроводник с комнатной температурой непрямая запрещенная зона 0,88 эВ и прямая запрещенная зона 1,02 эВ. Если вместо объемных форм измерять нанослои, непрямая запрещенная зона увеличивается по мере уменьшения количества слоев. α-MoTe2 изменяется от непрямого к прямому материалу запрещенной зоны в очень тонких слоях.[32] Это материал с прямой запрещенной зоной, когда он является одним или двумя слоями (однослойным или двухслойным).[33]

Для MoTe с дефицитом теллура ширина запрещенной зоны уменьшается.2 от 0,97 до 0,5.[8] В рабочая функция составляет 4,1 эВ.[34]

Магнетизм

α – MoTe2 является диамагнитный тогда как β – MoTe2 является парамагнитный.[25]

рентгеновский снимок

Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия на чистом MoTe2 поверхности кристаллов демонстрируют пики при 231 и 227,8 эВ, обусловленные молибденом 3d3/2 и 3d5/2; с 582,9 и 572,5 за счет теллура 3d3/2 и 3d5/2 электроны.[7]

Рентген K край поглощения встречается при 618,41 ± 0,04 X единиц по сравнению с металлическим молибденом при 618,46 xu.[35]

Микроскопия

Атомно-силовая микроскопия (AFM) ван-дер-ваальсовой поверхности α-MoTe2 показывает чередующиеся ряды гладких шаров, которые являются атомами теллура.[28] Изображения AFM часто делаются на кремнеземе (SiO2) поверхность на кремнии. Монослой α-MoTe2 имеет поверхность на 0,9 нм выше кремнезема, и каждый дополнительный слой α-MoTe2 добавляет 0,7 нм.[19]

Сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) α-MoTe2 показывает гексагональную сетку, похожую на проволочную сетку, где атомы молибдена вносят свой вклад в ток. Для получения изображения требуются более высокие напряжения смещения, выше 0,5 В или ниже -0,3 В.[28]

β-MoTe2 Поверхности, исследованные с помощью сканирующей туннельной микроскопии, могут показать либо узор из атомов теллура, либо узор из атомов молибдена на разных участках. Когда острие сканирования находится дальше от поверхности, видны только атомы теллура. Это объясняется dz2 орбитали из молибдена, проникающие сквозь поверхностный слой теллура. Молибден может обеспечивать гораздо больший ток, чем теллур. Но на большем расстоянии от теллура можно обнаружить только p-орбиталь. Более низкие напряжения, чем используемые для α-формы, по-прежнему создают атомные изображения.[28]

Микроскопия силы трения (FFM) был использован для получения скользящего изображения с разрешением ниже разрешения элементарной ячейки.[36][37]

Термический

Тепло в α-MoTe2 происходит из-за колебаний атомов. Эти колебания можно разделить на фононы в котором атомы движутся вперед и назад по-разному. Для монослойного скручивания атомов теллура в плоскости обозначено E ″, действие ножниц, когда теллур движется в плоскости слоя, обозначено как E '. Когда теллур колеблется в противоположных направлениях, перпендикулярных слою вне плоскости, фононная мода - A ′1 и если теллур движется в том же направлении, что и молибден, мода называется A ″.1. Из этих режимов первые три активны в Рамановский спектр. В бислое существует дополнительное взаимодействие между атомами внизу одного слоя и атомом наверху нижнего слоя. Символы режима модифицируются суффиксом «g» или «u». В многослойной объемной форме моды называются A1 г (соответствует A ′1 в монослое), A2u, B1U B2 г, E1 г, E1U, E2 г и E2u. Режимы E1 г, E12 г, E22 г, а А1 г Рамановские активные. Режимы E11U, E21U, А12u, а А22u активны в инфракрасном диапазоне.[19]

Молярная теплота образования α-MoTe2 составляет -6 кДж / моль из β-MoTe2. Теплота образования β-MoTe2 составляет -84 кДж / моль. Для Мо3Te4 она составляет -185 кДж / моль.[38]

Теплопроводность составляет 2 Втм−1K−1.[39]

Давление

Под давлением α-MoTe2 прогнозируется, что он станет полуметаллом между 13 и 19 ГПа. Форма кристалла должна оставаться неизменной при давлениях до 100 ГПа.[40] β-MoTe2 не прогнозируется, что под давлением он станет более металлическим.[40]

Фотоэмиссионная спектроскопия с угловым разрешением

MoTe2 экспонаты топологические дуги Ферми. Это свидетельство нового типа (тип-II) Фермион Вейля что возникает из-за нарушения Лоренц-инвариантность, не имеющий аналогов в физике высоких энергий, который может проявляться как топологически защищенное прикосновение между электронным и дырочным карманами. Топологические поверхностные состояния подтверждаются прямым наблюдением за поверхностными состояниями с помощью объемной и поверхностно-чувствительной фотоэмиссионной спектроскопии с угловым разрешением.[41]

Другой

коэффициент Пуассона V∞=0.37.[39]Коэффициенты упругости монослойных релаксированных ионов C11= 80 и C12=21.[39]Монослойный пьезоэлектрический коэффициент релаксированных ионов d11=9.13.[39]

Реакции

MoTe2 постепенно окисляется на воздухе, образуя диоксид молибдена (МоО2).[5] При повышенных температурах MoTe2 окисление производит Te2МоО7 и TeMo5О16.[42] Другие продукты окисления включают: триоксид молибдена, теллур и диоксид теллура.[43] Хлопья дителлурида молибдена, содержащие много дефектов, имеют более низкую люминесценцию и поглощают кислород из воздуха, теряя люминесценцию.[4][44]

При нагревании до высоких температур теллур испаряется из дителлурида молибдена, образуя дефицитные по теллуру формы, а затем Mo2Te3.[25] Это изменение мешает экспериментам, поскольку свойства значительно меняются с содержанием Te, а также с температурой. Давление паров Те2 над горячим моТе2 дается 108,398-11790 / т.[45] При дальнейшем нагревании Mo2Te3 испускает Te2 пар. Парциальное давление Те2 дается 105.56-9879 / т где Т в К, а давление в барах. Металлический молибден остался позади.[45]

Поверхность плоской части гексагонального кристалла (0001) покрыта теллуром и относительно инертна. На него могут быть добавлены другие похожие слои. Дисульфид вольфрама и диселенид вольфрама слои были добавлены к дителлуриду молибдена эпитаксия Ван-дер-Ваальса (vdWE).[46]Золото может быть нанесен на поверхности скола MoTe2. На α-форме золото имеет тенденцию осаждаться изотропно, но на β-форме оно образует удлиненные полосы вдоль направления [010] кристалла.[47] Другие вещества, осажденные на поверхности кристалла, включают: селенид индия (InSe),[48] сульфид кадмия (CdS),[49] теллурид кадмия (CdTe),[50] дисульфид олова (SnS2), диселенид олова (SnSe2),[51] и диселенид тантала (TaSe2).[52] Некоторые другие монослои также могут образовываться на MoTe.2 поверхности, в том числе силицен. Силицен Утверждается, что он становится полупроводником с нулевой запрещенной зоной на массивном кристалле, но имеет металлическую форму на или между монослоями MoTe2.[53] Органические молекулы могут быть включены в виде слоя на поверхность Ван-дер-Ваальса, включая ангидрид перилентетракарбоновой кислоты.[54]

Листы в α-MoTe2 может быть отделен и диспергирован в воде с холат натрия поверхностно-активное вещество и обработка ультразвуком. Образует оливково-зеленую суспензию. MoTe2 гидрофобен, но поверхностно-активное вещество покрывает поверхность липофильным хвостом.[55]

Листы в α-MoTe2 способны проникать щелочные металлы, такие как литий, с образованием интеркаляционные соединения. Это свойство означает, что его можно использовать в качестве электрода в литиевой батарее. До Ли1.6MoTe2 может быть сформирован. Этот материал имеет дифрактограмму, аналогичную α-MoTe.2.[56]

Андре Моретт, первый, кто сделал теллуриды из молибдена,[57] обнаружил, что он будет гореть в огне, окрашивая его в синий цвет и создавая белый дым диоксид теллура. Разбавленная азотная кислота может растворить ее при окислении. Однако горячая или холодная соляная или серная кислота не может повредить MoTe.2.[58][59] Однако концентрированная серная кислота при 261 ° C действительно полностью растворяет MoTe.2. Раствор гидроксида натрия частично растворяет MoTe2.[60]

Связанные вещества

Другой теллурид молибдена имеет формулу Мо2Te3.[5]

Еще один теллурид молибдена, названный октателлуридом гексамолибдена Mo6Te8 образует черные кристаллы в форме кубов. Он образуется, когда элементы в правильном соотношении нагреваются вместе при 1000 ° C в течение недели. Это связано с Фазы Шевреля, но без дополнительного катиона металла,[61] однако он не сверхпроводящий.[62]

Между слоями MoTe могут вставляться атомы металлов и органические молекулы.2.[63]

Возможные приложения

Возможное использование MoTe2 для смазки, электроники, оптоэлектроника или фотоэлемент материал. Диоды изготовлены из MoTe2 путем обжига материала p-типа в броме.[7] График зависимости тока диода от напряжения показывает очень небольшой ток при обратном смещении, экспоненциальную область с dV / dln (j), равную 1,6, и при более высоких напряжениях (> 0,3 В) линейный отклик из-за сопротивления.[64] При работе в качестве конденсатора емкость изменяется пропорционально квадрату смещения, а также уменьшается для более высоких частот.[64] Транзисторы также были построены из MoTe.2.[65] MoTe2 имеет потенциал для создания маломощной электроники. Полевые транзисторы (FET) были построены из двухслойных, трехслойных и более толстых нанослоев.[66] An амбиполярный Был построен полевой транзистор, а также полевой транзистор, который может работать в n- или p-режимах, с двумя верхними электродами.[67]

Потому что MoTe2 Имеет две фазы, могут быть сконструированы устройства, которые смешивают полупроводник 2H и металлическую форму 1T '. Лазер может быстро нагреть тонкий слой для преобразования 2H-MoTe2 в металлическую форму 1T'-MoTe2 (β – MoTe2).[68][сомнительный – обсуждать] Однако недавние исследования показали, что разложение MoTe2 to Te metal происходит вместо этого.[69] Доминирующие полосы комбинационного рассеяния Te и 1T'-MoTe2 (β – MoTe2) имеют аналогичные волновые числа; поэтому довольно легко спутать спектры комбинационного рассеяния элементарного Te и металлического 1T'-MoTe.2.

Полевой транзистор может быть построен с тонким слоем дителлурида молибдена, покрытым жидкостным затвором, состоящим из ионная жидкость или электролит, такой как перхлорат калия растворился в полиэтиленгликоль. При низком напряжении затвора ниже 2 вольт устройство работает в электростатическом режиме, когда ток от стока к истоку пропорционален напряжению затвора. При напряжении выше 2 В устройство переходит в промежуточную область, где ток не увеличивается. Через затвор протекает ток свыше 3,5 вольт, и происходит электролиз с внедрением атомов калия в MoTe.2 слой. Дителлурид молибдена, интеркалированный калием, становится сверхпроводящим при температурах ниже 2,8 К.[34]

В качестве смазки дителлурид молибдена может хорошо работать в вакууме и при температурах до 500 ° C с коэффициент трения ниже 0,1. Однако дисульфид молибдена имеет более низкое трение, а диселенид молибдена может функционировать при более высоких температурах.[70]

Из родственных дихалькогенидов можно производить довольно эффективные фотоэлектрические элементы.[64]

Потенциально сложенные монослои нитрид индия а дителлурид молибдена может привести к улучшенным свойствам фотоэлектрических элементов, включая более низкий показатель преломления и большее поглощение.[71]

Теллурид кадмия солнечные элементы часто наносятся на заднюю пластину из молибдена. Дителлурид молибдена может образовываться на контакте, и если это n-тип, он ухудшит характеристики солнечного элемента.[72]

Небольшие кусочки нанослоев дителлурида молибдена можно смешивать и диспергировать в расплавленном оловянном олове без реакции, и это вызывает удвоение жесткости получаемого композита.[73]

Дителлурид молибдена использовался в качестве субстрата для исследования белков с помощью атомно-силового микроскопа. Это лучше, потому что протеин прилипает сильнее, чем при использовании более традиционных материалов, таких как слюда.[74]

β – MoTe2 представляет собой сравнительно хороший электрокатализатор выделения водорода, демонстрирующий даже в неподдерживаемой форме и без какого-либо дополнительного наноструктурирования тафелевский наклон 78 мВ / дек. Полупроводниковый полиморф α – MoTe2 был признан неактивным для HER. Превосходная активность объясняется более высокой проводимостью β – MoTe.2 фаза.[75]

Недавние работы показали, что электроды, покрытые β – MoTe2 продемонстрировали увеличение количества газообразного водорода, образующегося во время электролиза, когда применялась определенная последовательность сильноточных импульсов. Оптимизируя импульсы тока через кислотный электролит, авторы смогли снизить перенапряжение, необходимое для выделения водорода, почти на 50% по сравнению с исходным неактивированным материалом.[76]

Многослойная металлическая форма 1T'-MoTe2 (β – MoTe2) усиливать SERS сигнал и, следовательно, некоторые липофильные маркеры (β–ситостерин) коронарных артерий и сердечно-сосудистых заболеваний можно выборочно обнаружить на поверхности многослойных пленок.[77]

Рекомендации

  1. ^ а б Хейнс, Уильям М., изд. (2011). CRC Справочник по химии и физике (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. п. 4.76. ISBN 1439855110.
  2. ^ а б Рупперт, Клаудиа; Аслан, Озгур Бурак; Хайнц, Тони Ф. (12 ноября 2014 г.). «Оптические свойства и запрещенная зона одно- и многослойного MoTe.2 Кристаллы ». Нано буквы. 14 (11): 6231–6236. Bibcode:2014NanoL..14.6231R. Дои:10,1021 / nl502557g. PMID 25302768.
  3. ^ Юн, Вон Сок; Han, S.W .; Хонг, Сун Чхоль; Ким, Ин Джи; Ли, Дж. Д. (2012). «Влияние толщины и деформации на электронные структуры дихалькогенидов переходных металлов: 2H-MX2 полупроводники (M = Мо, Вт; Икс = S, Se, Te) ". Физический обзор B. 85 (3): 033305. Bibcode:2012PhRvB..85c3305Y. Дои:10.1103 / PhysRevB.85.033305.
  4. ^ а б Зыга, Лиза (5 мая 2015 г.). «Двумерный материал, кажется, исчезает, но не исчезает». PysOrg. Получено 6 мая 2015.
  5. ^ а б c d е ж Puotinen, D .; Ньюнхэм, Р. Э. (1 июня 1961 г.). «Кристаллическая структура MoTe». Acta Crystallographica. 14 (6): 691–692. Дои:10.1107 / s0365110x61002084.
  6. ^ а б c Браун Б. Э. (1 февраля 1966 г.). «Кристаллические структуры WTe и высокотемпературного MoTe». Acta Crystallographica. 20 (2): 268–274. Дои:10.1107 / s0365110x66000513.
  7. ^ а б c d Bernède, J.C; Амори, C; Ассманн, L; Spiesser, M (декабрь 2003 г.). «Исследование MoTe методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.2 монокристаллы и тонкие пленки ». Прикладная наука о поверхности. 219 (3–4): 238–248. Bibcode:2003ApSS..219..238B. Дои:10.1016 / s0169-4332 (03) 00697-4.
  8. ^ а б Морсли, М; Капот, А; Jousseaume, V; Каттин, L; Конан, А; Зоэтер, М. (1997). "Электрические эффекты истощения теллура в MoTe2 − X монокристаллы, легированные бромом ». Журнал материаловедения. 32 (9): 2445–2449. Bibcode:1997JMatS..32.2445M. Дои:10.1023 / а: 1018569510512.
  9. ^ Kettaf, M .; Конан, А .; Bonnet, A .; Бернеде, Дж. К. (январь 1990 г.). «Электрические свойства тонких пленок дителлурида молибдена». Журнал физики и химии твердого тела. 51 (4): 333–341. Bibcode:1990JPCS ... 51..333 тыс.. Дои:10.1016 / 0022-3697 (90) 90116-в..
  10. ^ Bernede, J.C .; Pouzet, J .; Manai, N .; Муэ, А. Бен (январь 1990 г.). «Структурная характеристика синтезированных тонких пленок дителлурида молибдена». Бюллетень материаловедения. 25 (1): 31–42. Дои:10.1016 / 0025-5408 (90) 90159-у.
  11. ^ а б Цю, Лунхуэй; Pol, Vilas G .; Вэй, Юнь; Геданкен, Аарон (2003). «Двухэтапный процесс синтеза MoTe2 нанотрубки: сочетание сонохимического метода с термообработкой ». Журнал химии материалов. 13 (12): 2985. Дои:10.1039 / B308368C.
  12. ^ Инь, Лим Мэй; Mazlan, Nor Hamizah Bt .; Ананд, Т. Джозеф Сахая (2011). "Электроосажденный MoTe2 Тонкие пленки для фотоэлектрохимических (PEC) ячеек » (PDF). Международная конференция технических университетов Малайзии по технике и технологиям. Архивировано из оригинал (PDF) 18 мая 2015 г.. Получено 13 мая 2015.
  13. ^ Фрейзер, Джеймс П .; Масайтите, Людвика; Чжан, Цзинъи; Лэйнг, Стейси; Морено-Лопес, Хуан Карлос; Маккензи, Адам Ф .; Грэм, Дункан; Казакова Ольга; Пихлер, Томас; Макларен, Дональд; Ганин, Алексей Юрьевич (24.07.2020). «Выборочный фазовый рост и точный контроль слоя в MoTe 2». Коммуникационные материалы. 1 (1): 1–9. Дои:10.1038 / с43246-020-00048-4. ISSN 2662-4443.
  14. ^ а б Балакришнан, К .; Рамасами П. (март 1994 г.). «Исследование аномального электрического поведения монокристаллов дителлурида молибдена». Журнал роста кристаллов. 137 (1–2): 309–311. Bibcode:1994JCrGr.137..309B. Дои:10.1016/0022-0248(94)91291-2.
  15. ^ а б Фриндт, Р.Ф. (Сентябрь 1963 г.). «Оптические свойства монокристаллов WSe.2 и MoTe2". Журнал физики и химии твердого тела. 24 (9): 1107–1108. Bibcode:1963JPCS ... 24.1107F. Дои:10.1016/0022-3697(63)90024-6.
  16. ^ а б Wieting, T.J .; Grisel, A .; Леви, Ф. (январь 1980 г.). «Межслойное соединение и локализованный заряд в MoSe2 и α-MoTe2". Физика B + C. 99 (1–4): 337–342. Bibcode:1980PhyBC..99..337Вт. Дои:10.1016/0378-4363(80)90256-9.
  17. ^ Davey, B .; Эванс, Б. Л. (16 октября 1972 г.). «Оптические свойства MoTe2 и WSe2". Physica Status Solidi A. 13 (2): 483–491. Bibcode:1972PSSAR..13..483D. Дои:10.1002 / pssa.2210130217.
  18. ^ Coehoorn, R .; Haas, C .; де Гроот, Р. А. (1987). «Электронная структура MoSe2, MoS2, и WSe2. II. Природа оптической запрещенной зоны » (PDF). Физический обзор B. 35 (12): 6203–6206. Bibcode:1987ПхРвБ..35.6203С. Дои:10.1103 / PhysRevB.35.6203.
  19. ^ а б c d е Ямамото, Махито; Ван, Шэн Цунг; Ни, Мейян; Линь, Йен-Фу; Ли, Сун-Линь; Айкава, Шинья; Цзянь, Вэнь-Бинь; Уэно, Кейджи; Вакабаяси, Кацунори; Цукагоши, Кадзухито (22 апреля 2014 г.). «Сильное усиление рамановского рассеяния от объемно-неактивной колебательной моды в многослойном MoTe» (PDF). САУ Нано. 8 (4): 3895–3903. Дои:10.1021 / nn5007607. PMID 24654654. Получено 11 мая 2015.
  20. ^ а б Ци, Яньпэн; Наумов, Павел Г .; Али, Мажар Н .; Rajamathi, Catherine R .; Шнелле, Вальтер; Баркалов Олег; Ханфланд, Майкл; Ву, Шу-Чун; Шекхар, Чандра; Вс, Ян; Зюсс, Вики; Шмидт, Маркус; Шварц, Ульрих; Пиппель, Экхард; Вернер, Питер; Хиллебранд, Рейнальд; Фёрстер, Тобиас; Камперт, Эрик; Паркин, Стюарт; Cava, R.J .; Фельзер, Клаудиа; Ян, Бинхай; Медведев, Сергей А. (2016). "Сверхпроводимость в полуметалле Вейля кандидат MoTe2". Nature Communications. 7: 11038. arXiv:1508.03502. Bibcode:2016НатКо ... 711038Q. Дои:10.1038 / ncomms11038. ЧВК 4793082. PMID 26972450.
  21. ^ а б c Agarwal, M. K .; Каперс, М. Дж. (1 апреля 1972 г.). «Измерение параметров решетки дителлурида молибдена». Журнал прикладной кристаллографии. 5 (2): 63–66. Дои:10.1107 / s0021889872008787.
  22. ^ а б c Кноп, Освальд; Макдональд, Родерик Д. (1961). «Халкогениды переходных элементов III дителлурид молибдена». Канадский химический журнал. 39 (4): 897–905. Дои:10.1139 / v61-110.
  23. ^ Agarwal, M. K .; Каперс, М. Дж. (1 октября 1976 г.). «Дислокации в дителлуриде молибдена». Журнал прикладной кристаллографии. 9 (5): 407–410. Дои:10.1107 / s0021889876011710.
  24. ^ а б Револинский, Э .; Бирнцен, Д.Дж. (Март 1966 г.). «Электрические свойства α- и β-MoTe.2 в зависимости от стехиометрии и температуры приготовления ». Журнал физики и химии твердого тела. 27 (3): 523–526. Bibcode:1966JPCS ... 27..523R. Дои:10.1016/0022-3697(66)90195-8.
  25. ^ а б c d е Vellinga, M.B .; de Jonge, R .; Хаас, К. (август 1970 г.). «Переход от полупроводника к металлу в MoTe.2". Журнал химии твердого тела. 2 (2): 299–302. Bibcode:1970ЯСЧ ... 2..299В. Дои:10.1016 / 0022-4596 (70) 90085-х.
  26. ^ Manolikas, C .; van Landuyt, J .; Амелинкс, С. (16 мая 1979 г.). «Электронная микроскопия и электронографическое исследование доменных структур, дислокационной тонкой структуры и фазовых превращений в β-MoTe.2". Physica Status Solidi A. 53 (1): 327–338. Bibcode:1979PSSAR..53..327M. Дои:10.1002 / pssa.2210530138.
  27. ^ Уэно, Кейджи; Фукусима, Кодзи (1 сентября 2015 г.). «Изменения в структуре и химическом составе α-MoTe.2 и β-MoTe2 при нагревании в условиях вакуума ». Прикладная физика Экспресс. 8 (9): 095201. Bibcode:2015APExp ... 8i5201U. Дои:10.7567 / APEX.8.095201.
  28. ^ а б c d Hla, S.W .; Маринкович, В .; Продан, А .; Мушевич, И. (май 1996 г.). "СТМ / АСМ исследования β-MoTe2, α-MoTe2 и WTe2". Наука о поверхности. 352–354: 105–111. Bibcode:1996SurSc.352..105H. Дои:10.1016/0039-6028(95)01106-4.
  29. ^ а б Зандт, Торстен; Двелк, Гельмут; Яновиц, Кристоф; Манцке, Рекардо (сентябрь 2007 г.). «Квадратичная температурная зависимость удельного сопротивления металлического MoTe до 50 К2". Журнал сплавов и соединений. 442 (1–2): 216–218. Дои:10.1016 / j.jallcom.2006.09.157.
  30. ^ Конан, А .; Zoaeter, M .; Гуро, Г. (16 декабря 1976 г.). «Механизм теплового переключения в массивном MoTe.2-х соединения ». Physica Status Solidi A. 38 (2): 505–512. Bibcode:1976PSSAR..38..505C. Дои:10.1002 / pssa.2210380210.
  31. ^ а б Конан, Ален; Гуро, Гай; Зоэтер, Мохамед (апрель 1975 г.). «Транспортные свойства MoTe2-х и MoSe2-х соединения от 130 до 300 ° K ». Журнал физики и химии твердого тела. 36 (4): 315–320. Bibcode:1975JPCS ... 36..315C. Дои:10.1016/0022-3697(75)90029-3.
  32. ^ Лезама, Игнасио Гутьеррес; Убальдини, Альберто; Лонгобарди, Мария; Джаннини, Энрико; Реннер, Кристоф; Кузьменко, Алексей Б; Морпурго, Альберто Ф (6 августа 2014 г.). «Поверхностный транспорт и запрещенная структура расслоенного 2H-MoTe.2 кристаллы ". 2D материалы. 1 (2): 021002. arXiv:1407.1219. Bibcode:2014TDM ..... 1b1002G. Дои:10.1088/2053-1583/1/2/021002.
  33. ^ Чжан, Лицзюнь; Зунгер, Алекс (11 февраля 2015). "Эволюция электронной структуры в зависимости от толщины слоя в дихалькогенидах переходных металлов группы VIB: появление прототипов локализации". Нано буквы. 15 (2): 949–957. Bibcode:2015NanoL..15..949Z. Дои:10.1021 / nl503717p. PMID 25562378.
  34. ^ а б Ши, Ву; Е, Цзяньтинь; Чжан, Ицзинь; Судзуки, Рюдзи; Ёсида, Масаро; Миядзаки, Дзюн; Иноуэ, Наоко; Сайто, Ю; Иваса, Ёсихиро (3 августа 2015 г.). "Серия сверхпроводимости в дихалькогенидах переходных металлов методом ионного стробирования". Научные отчеты. 5: 12534. Bibcode:2015НатСР ... 512534С. Дои:10.1038 / srep12534. ЧВК 4522664. PMID 26235962.
  35. ^ Bhide, V.G .; Kaicker, S.K .; Бахл, М. (Январь 1974 г.). «Рентгеновские исследования K-поглощения сульфида, селенидов и теллуридов молибдена». Журнал физики и химии твердого тела. 35 (8): 901–904. Bibcode:1974JPCS ... 35..901B. Дои:10.1016 / с0022-3697 (74) 80096-х.
  36. ^ Hölscher, H .; Raberg, W .; Schwarz, U. D .; Hasbach, A .; Wandelt, K .; Визендангер, Р. (15 января 1999 г.). «Визуализация структур субэлементных ячеек в контактном режиме сканирующего силового микроскопа». Физический обзор B. 59 (3): 1661–1664. Bibcode:1999PhRvB..59.1661H. Дои:10.1103 / PhysRevB.59.1661.
  37. ^ Исикава, Макото; Окита, Шуничи; Минами, Нобуюки; Миура, Кодзи (январь 2000 г.). «Нагрузочная зависимость боковой силы и рассеяния энергии на поверхности NaF (001)». Наука о поверхности. 445 (2–3): 488–494. Bibcode:2000СурСк.445..488И. Дои:10.1016 / S0039-6028 (99) 01115-2.
  38. ^ О'Хара, П.А.Г .; Надежда, Г.А. (Июль 1989 г.). «Стандартная мольная энтальпия образования при 298,15 К β-модификации дителлурида молибдена». Журнал химической термодинамики. 21 (7): 701–707. Дои:10.1016/0021-9614(89)90051-7.
  39. ^ а б c d Балендран, Шивакарендран; Валиа, Сумит; Нили, Хусейн; Оу, Цзянь Чжэнь; Жуйков, Серж; Канер, Ричард Б .; Шрирам, Шарат; Бхаскаран, Мадху; Калантар-заде, Курош (26 августа 2013 г.). «Двумерный триоксид молибдена и дихалькогениды». Современные функциональные материалы. 23 (32): 3952–3970. Дои:10.1002 / adfm.201300125.
  40. ^ а б Рифликова, Михаэла; Мартонак, Роман; Тосатти, Эрио (10 июля 2014 г.). «Закрытие зазора под давлением и металлизация MoSe2 и MoTe2". Физический обзор B. 90 (3): 035108. arXiv:1605.05111. Bibcode:2014PhRvB..90c5108R. Дои:10.1103 / PhysRevB.90.035108.
  41. ^ Дэн, Кэ; Ван, Гуолян; Дэн, Пэн; Чжан, Кенан; Дин, Шицзе; Ван, Эрин; Ян, Минчжэ; Хуанг, Хуацин; Чжан, Хунъюнь; Сюй, Жилинь; Денлингер, Джонатан; Федоров, Алексей; Ян, Хайтао; Дуань, Вэньхуэй; Яо, Хун; Ву, Ян; Fan, Shoushan; Чжан, Хайцзюнь; Чен, Си; Чжоу, Шуюнь (5 сентября 2016 г.). "Экспериментальное наблюдение топологических дуг Ферми в полуметалле Вейля типа II MoTe2". Природа Физика. 12 (12): 1105–1110. arXiv:1603.08508. Bibcode:2016НатФ..12.1105Д. Дои:10.1038 / nphys3871.
  42. ^ Bart, J.C.J .; Кариати, Ф .; Deiana, S .; Мицера, Г. (январь 1982 г.). «Окисление дителлурида молибдена изучено методом спектроскопии ЭПР». Неорганика Chimica Acta. 57: 95–98. Дои:10.1016 / s0020-1693 (00) 86955-8.
  43. ^ Bart, J.C.J .; Ван Чыонг, Нгуен; Джордано, Н. (ноябрь 1980 г.). «Окисление дителлурида молибдена». Zeitschrift für Anorganische und Allgemeine Chemie. 470 (1): 233–240. Дои:10.1002 / zaac.19804700130.
  44. ^ Чен, Бин; Сахин, Хасан; Суслу, Аслихан; Дин, Лаура; Бертони, Мариана I .; Peeters, F.M .; Тонгай, Сефааттин (15 апреля 2015 г.). "Экологические изменения в MoTe2 Экситонная динамика за счет молекулярного взаимодействия, активируемого дефектами ». САУ Нано. 9 (5): 150415135844004. Дои:10.1021 / acsnano.5b00985. PMID 25868985.
  45. ^ а б О'Хара, П.А.Г. (июль 1987 г.). «Неорганические халькогениды: высокотехнологичные материалы, низкотехнологичная термодинамика». Журнал химической термодинамики. 19 (7): 675–701. Дои:10.1016/0021-9614(87)90090-5.
  46. ^ Tiefenbacher, S .; Петтенкофер, Ц .; Jaegermann, W. (апрель 2000 г.). "Муаровый узор в ДМЭ, полученный методом ван-дер-ваальсовой эпитаксии для WS с рассогласованием по решетке.2/ MoTe2(0001) гетероинтерфейсы ". Наука о поверхности. 450 (3): 181–190. Bibcode:2000СурСк.450..181Т. Дои:10.1016 / s0039-6028 (00) 00297-1.
  47. ^ Hla, S.W .; Маринкович, В .; Продан, А. (июнь 1996 г.). «Рост золота на (001) поверхностях α- и β-MoTe2". Наука о поверхности. 356 (1–3): 130–136. Bibcode:1996SurSc.356..130H. Дои:10.1016/0039-6028(95)01251-6.
  48. ^ Schlaf, R .; Tiefenbacher, S .; Lang, O .; Петтенкофер, Ц .; Jaegermann, W. (февраль 1994 г.). «Ван-дер-Ваальсовая эпитаксия тонких пленок InSe на MoTe.2". Наука о поверхности. 303 (1–2): L343–L347. Bibcode:1994SurSc.303L.343S. Дои:10.1016/0039-6028(94)90610-6.
  49. ^ Löher, T.; Tomm, Y.; Pettenkofer, C.; Jaegermann, W. (1994). "Van der Waals epitaxy of three-dimensional CdS on the two-dimensional layered substrate MoTe2(0001)". Applied Physics Letters. 65 (5): 555. Bibcode:1994ApPhL..65..555L. Дои:10.1063/1.112294.
  50. ^ Löher, T.; Tomm, Y.; Klein, A.; Su, D.; Pettenkofer, C.; Jaegermann, W. (1996). "Highly oriented layers of the three-dimensional semiconductor CdTe on the two-dimensional layered semiconductors MoTe2 and WSe2". Journal of Applied Physics. 80 (10): 5718. Bibcode:1996JAP....80.5718L. Дои:10.1063/1.363624.
  51. ^ Schlaf, R; Armstrong, N.R; Parkinson, B.A; Pettenkofer, C; Jaegermann, W (August 1997). "Van der Waals epitaxy of the layered semiconductors SnSe2 and SnS2: morphology and growth modes". Surface Science. 385 (1): 1–14. Bibcode:1997SurSc.385....1S. Дои:10.1016/S0039-6028(97)00066-6.
  52. ^ Shimada, Toshihiro; Ohuchi, Fumio S.; Parkinson, Bruce A. (15 February 2011). "Epitaxial Growth and Charge Density Wave of TaSe2". MRS Proceedings. 230. Дои:10.1557/PROC-230-231.
  53. ^ Scalise, E; Houssa, M; Cinquanta, E; Grazianetti, C; van den Broek, B; Pourtois, G; Stesmans, A; Fanciulli, M; Molle, A (29 May 2014). "Engineering the electronic properties of silicene by tuning the composition of MoX and GaX (X = S,Se,Te) chalchogenide templates". 2D Materials. 1 (1): 011010. Bibcode:2014TDM.....1a1010S. Дои:10.1088/2053-1583/1/1/011010.
  54. ^ Salaneck, William R. (2001). "8". Conjugated Polymer And Molecular Interfaces: Science And Technology For Photonic And Optoelectronic Application. pp. 241–267. ISBN 9780203910870.
  55. ^ Chen, Ying (Ian) (13 February 2015). Nanotubes and Nanosheets: Functionalization and Applications of Boron Nitride and Other Nanomaterials. CRC Press. п. 387. ISBN 9781466598102.
  56. ^ Ilić, D.; Wiesener, K.; Schneider, W.; Oppermann, H.; Krabbes, G. (January 1985). "Cycling behaviour of molybdenum dichalcogenides in aprotic organic electrolyte solution". Journal of Power Sources. 14 (1–3): 223–229. Bibcode:1985JPS....14..223I. Дои:10.1016/0378-7753(85)88034-4.
  57. ^ Shodhan, Ramesh Purushottamdas (1965). "Solid solubility of sulfur, selenium, and tellurium in molybdenum at 1100°C, lattice constants thermal expansion coefficients, and densities of molybdenum and the molybdenum-base alloys". Masters Theses. Получено 14 мая 2015.
  58. ^ Meyer, Shea Silverman (11 February 1966). "Molybdenum ditelluride and high-temperature, high-pressure synthesis method of preparing same". US Patent Office. Получено 14 мая 2015.
  59. ^ André Morette, Compt. Rend, vol. 215, No. 3, pp. 86–88, (1942)
  60. ^ Obolonchik, V. A.; Vainer, L. S.; Yanaki, A. A. (September 1972). "Chemical stability of tellurides of subgroup VIa transition metals in various corrosive media". Soviet Powder Metallurgy and Metal Ceramics. 11 (9): 727–729. Дои:10.1007/BF00801271.
  61. ^ Miller, G. J.; Smith, M. (15 June 1998). "Hexamolybdenum Octatelluride, Mo6Te8". Acta Crystallographica Section C. 54 (6): 709–710. Дои:10.1107/S0108270197017812.
  62. ^ Hamard, C.; Auffret, V.; Peña, O.; Le Floch, M.; Nowak, B.; Wojakowski, A. (September 2000). "Chevrel-phase solid solution Mo6Se8−xTeИкс. Study of its superconducting, magnetic and NMR properties". Physica B: Condensed Matter. 291 (3–4): 339–349. Bibcode:2000PhyB..291..339H. Дои:10.1016/S0921-4526(99)02286-3.
  63. ^ El-Mahalawy, S. H.; Evans, B. L. (1 February 1977). "Temperature dependence of the electrical conductivity and hall coefficient in 2H-MoS2, MoSe2, WSe2, and MoTe2". Physica Status Solidi B. 79 (2): 713–722. Bibcode:1977PSSBR..79..713E. Дои:10.1002/pssb.2220790238.
  64. ^ а б c Bernède, J. C.; Kettaf, M.; Khelil, A.; Spiesser, M. (16 September 1996). "p-n junctions in molybdenum ditelluride". Physica Status Solidi A. 157 (1): 205–209. Bibcode:1996PSSAR.157..205B. Дои:10.1002/pssa.2211570126.
  65. ^ Lin, Yen-Fu; Xu, Yong; Wang, Sheng-Tsung; Li, Song-Lin; Yamamoto, Mahito; Aparecido-Ferreira, Alex; Li, Wenwu; Sun, Huabin; Nakaharai, Shu; Jian, Wen-Bin; Ueno, Keiji; Tsukagoshi, Kazuhito (May 2014). "Ambipolar MoTe2 Transistors and Their Applications in Logic Circuits". Advanced Materials. 26 (20): 3263–3269. Дои:10.1002/adma.201305845. PMID 24692079.
  66. ^ Pradhan, Nihar R. (2014). "Field-Effect Transistors Based on Few-Layered α- MoTe2". ACS Nano. 8 (6): 5911–5920. arXiv:1406.0178. Bibcode:2014arXiv1406.0178P. Дои:10.1021/nn501013c. PMID 24878323.
  67. ^ Nakaharai, Shu; Yamamoto, Mahito; Ueno, Keiji; Lin, Yen-Fu; Li, Song-Lin; Tsukagoshi, Kazuhito (2 March 2015). "Electrostatic control of polarity of α-MoTe2 transistors with dual top gates". Bulletin of the American Physical Society. Получено 14 мая 2015.
  68. ^ Cho, S.; Kim, S.; Kim, J. H.; Zhao, J.; Seok, J.; Keum, D. H.; Baik, J.; Choe, D.-H.; Chang, K. J.; Suenaga, K.; Kim, S. W.; Lee, Y. H.; Yang, H. (6 August 2015). "Phase patterning for ohmic homojunction contact in MoTe2". Наука. 349 (6248): 625–628. Bibcode:2015Sci...349..625C. Дои:10.1126/science.aab3175. PMID 26250680.
  69. ^ Sakanashi, Kohei; Ouchi, Hidemitsu; Kamiya, Kota; Krüger, Peter; Miyamoto, Katsuhiko; Omatsu, Takashige; Ueno, Keiji; Watanabe, Kenji; Taniguchi, Takashi; Bird, Jonathan P; Aoki, Nobuyuki (2020-03-04). "Investigation of laser-induced-metal phase of MoTe2 and its contact property via scanning gate microscopy". Нанотехнологии. 31 (20): 205205. Дои:10.1088/1361-6528/ab71b8. ISSN 0957-4484.
  70. ^ Buckley, Donald H. (1971). Friction, Wear, and Lubrication in Vacuum (PDF). НАСА. pp. 161–163.
  71. ^ Villegas, Cesar E.P.; Rocha, Alexandre Reily (4 May 2015). "Elucidating the Optical Properties of Novel Hetero-Layered Materials Based on MoTe2-InN for Photovoltaic Applications". The Journal of Physical Chemistry C. 119 (21): 150504063713008. Дои:10.1021/jp5122596.
  72. ^ Dhar, N. (June 2014). "Effect of n-type transition metal dichalcogenide molybdenum telluride (n-MoTe2) in back contact interface of cadmium telluride solar cells from numerical analysis" (PDF). Chalcogenide Letters. 11 (6): 271–279. Получено 14 мая 2015.
  73. ^ May, Peter; Khan, Umar; Coleman, Jonathan N. (2013). "Reinforcement of metal with liquid-exfoliated inorganic nano-platelets" (PDF). Applied Physics Letters. 103 (16): 163106. Bibcode:2013ApPhL.103p3106M. Дои:10.1063/1.4825279. HDL:2262/67711.
  74. ^ Skorupska, K.; Lewerenz, H.J.; Smith, J.R.; Kulesza, P.J.; Mernagh, D.; Campbell, S.A. (November 2011). "Macromolecule–semiconductor interfaces: From enzyme immobilization to photoelectrocatalytical applications". Journal of Electroanalytical Chemistry. 662 (1): 169–183. Дои:10.1016/j.jelechem.2011.05.020.
  75. ^ McGlynn, Jessica C.; Cascallana-Matias, Irene; Fraser, James P.; Roger, Isolda; McAllister, James; Miras, Haralampos N.; Symes, Mark D.; Ganin, Alexey Y. (July 2017). "Molybdenum Ditelluride (MoTe2) Rendered into an Efficient and Stable Electrocatalyst for the Hydrogen Evolution Reaction by Polymorphic Control" (PDF). Energy Technology. 5 (2): 345–350. Дои:10.1002/ente.201700489.
  76. ^ McGlynn, Jessica C.; Dankwort, Torben; Kienle, Lorenz; Bandeira, Nuno A. G.; Fraser, James P.; Gibson, Emma K.; Cascallana-Matías, Irene; Kamarás, Katalin; Symes, Mark D.; Miras, Harry N.; Ganin, Alexey Y. (2019-10-29). "The rapid electrochemical activation of MoTe 2 for the hydrogen evolution reaction". Nature Communications. 10 (1): 4916. Bibcode:2019NatCo..10.4916M. Дои:10.1038/s41467-019-12831-0. ISSN 2041-1723. ЧВК 6820771. PMID 31664018.
  77. ^ Fraser, James P.; Postnikov, Pavel; Miliutina, Elena; Kolska, Zdenka; Valiev, Rashid; Švorčík, Vaclav; Lyutakov, Oleksiy; Ganin, Alexey Y.; Guselnikova, Olga (2020-09-28). "Application of a 2D Molybdenum Telluride in SERS Detection of Biorelevant Molecules". ACS Applied Materials & Interfaces. Дои:10.1021/acsami.0c11231. ISSN 1944-8244.